脉冲激光沉积（PLD）晶态4H—SiC薄膜

碳化硅因具有许多独特而优异的物化性能,长期受到广泛重视,特别是作为光电、半导体材料更受到青睐。然而,由于碳化硅制备优质单晶材料的困难,使得其应用受到阻滞。故探索制备大面积高质量晶态碳化硅薄膜的研究成为重要的课题。寻求新的较低温度下制备优质晶态碳化硅薄膜的方法和条件将具有重要意义。     

脉冲激光沉积大面积高温超导氧化物薄膜

高温超导体在各领域的应用越来越受到人们的重视,特别是在微电子学、微波器件和磁测量等方面比如延迟线、滤波器、超导天线、超导量子干涉仪(SQUID)已进入实用化阶段.制作这些器件不仅要求超导体为大面积的薄膜,而且要求膜的厚度以及超导特性(零电阻温度,临界电流密度,表面电阻等)具有很好的均匀性.虽然目前制备高T_c氧化物薄膜的方法很多,脉冲激光沉积(pulsed laser deposition)、磁控溅射(magnetron-spuffering),金属有机化学气     

脉冲激光诱导蒸气沉积硅薄膜

近年来,激光诱导化学反应研究的很广泛。激光的频率调谐到与分子的振荡能级相匹配时,分子的振动模式将受到很大影响。类似分子的激发,可以导致在基板上沉积固体薄膜。硅薄膜在太阳能材料和半导体工业方面是很重要的。它可用不同的方法来制备,其中化     

用脉冲准分子激光在P-Si(100)衬底上沉积高取向KTN薄膜

利用Sol Gel法制备了优质KTN陶瓷靶材 ,用PLD技术成功地在P Si(10 0 )衬底上沉积出了较纯净钙钛矿相 (>98% )的KTN薄膜 ,并对所制备的薄膜进行了XRD ,SEM分析     

脉冲准分子激光PZT铁电薄膜沉积及其特性研究

随着大规模集成电路的迅速发展,要求集成器件向三维器件及多功能器件发展.由于铁电薄膜具有非挥发性(non-volatility)、抗辐照性(radiation-hardness)、电极化特性,因此,铁电薄膜及其在微电子和光电子领域中的应用研究已成为当前国际上新型功能材料与集成器件的热点,如铁电随机存储器(FERAM)、动态随机存储器(DRAM)、薄膜电容、SAW器件及红外探测器等.     

脉冲激光沉积TiO2薄膜的I-V和C-V

报道了使用３５５ｎｍ激光烧蚀金属钛在ｐ－Ｓｉ基片上反应性沉积ＴｉＯ２薄膜,并对Ａｌ／ＴｉＯ２／Ｓｉ电容器的Ｃ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性进行了测量。结果表明经过７００℃退火处理的薄膜具有高的介电常数４６。     

脉冲激光淀积单取向超导Ba_(1-x)K_xBiO_3(BKBO)薄膜

Ba_(1-x)K_xBiO_3(BKBO)氧化物超导体的发现,引起了人们浓厚的兴趣.高温超导体,如YBCO,呈各向异性的电学性质,相干长度ζ较短(ab)平面相干长度约为1.2～1.5nm,c方向相干长度约为0.2～0.3 nm),较难制备出在超导电子学上有重要应用的SIS型隧道结.而BKBO是一立方晶体超导体,具备各向同性的电学性质,并且相干长度较长,约为5～7nm,有可能制备出性能优良的SIS型隧道结.Fink等人制备了滞后的YBCO/SrTiO_3/BKBOJosephson结,并观察到了Shapiro台阶和自感应台阶.BKBK/I/BKBO型结构也相继发表,     

微波方法制备(100)晶面取向的金刚石薄膜

采用ＭＷＰＣＶＤ制备金刚石膜的方法,以甲烷和一氧化碳为碳源气体,在适当的衬底温度与反应气体配比条件下,通过使衬底匀速转运,合成出具有晶面取向的均匀生长的金刚石薄膜,在优化的工艺条件下这种定向金刚石膜的生长与单晶硅衬底的类型及没有明显的直接关系。     

TiO2(锐钛矿)纳米晶体薄膜的制备

二氧化钛是一种应用广泛、价格便宜的材料,通常所用TiO_2颗粒都在微米量级以上,且杂质较多,常用于涂料、研磨剂、甚至牙膏、化妆品等。由于它具有半导体特性,所以用途更加广泛,利用它制成的氧敏、湿敏传感器,目前已得到广泛应用.TiO_2还是一种很好的催化剂,可以通过它的光辅助催化作用破坏各种有机染料,对解决日益严重的有机染料污染提供有效的处理方法。早在70年代,自从Fujishima和Honda利用它来进行光电解水以来,其在光电化学电池方面的应用也倍受人们的关注。近年来,随着纳米材料科学的迅速发展,人们发现纳米TiO_2在光辅催化降解方面的作用更加明显,特别是1991年Gratzel所领导的研究小组,把纳米晶体TiO_2多孔膜,应用于光电化学太阳能电池上取得了突破性进展,目前,他们又把TiO_2多孔膜作为一个电极,应用于锂蓄电池中,制成Li/LiCF_3SO_3+PC/TiO_2蓄电池,获得成功。     

脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜的研究

铁电薄膜存储器(FRAM)由于具有动态随机存储器(DRAM)快速读写功能和可擦写唯读存储器(EPROM)非挥发性,又具有抗辐照、功耗低等特性,已成为国际上固态器件研究的一个热点。铁电存储器常用的铁电材料是Pb(ZrTi)O_3(PZT)等氧化物钙钛矿结构材料。由于这些铁电材料抗疲劳性能较差,阻碍了铁电存储器的商品化进程。de Araujo等人报道了铋系层状类钙钛矿结构的铁电薄膜具有抗疲劳特性,用这类铁电材料制作的铁电存储器,在10~(12)次重复开关极化后,仍没有显示疲劳现象,并且具有很好的信息储存寿命和较低的漏电流。     

Cu_2BaSn(S,Se)_4薄膜研究进展

Cu_2BaSn(S, Se)_4薄膜是在Cu_2ZnSn(S, Se)_4的基础上发展提出的一类新型半导体材料.具有与Cu_2ZnSn(S,Se)_4相类似的性质特点,如直接带隙、带隙可调(1.5～2.1 e V)、p型半导体特性、大吸光系数、高载流子迁移率和良好化学稳定性等.更重要的是, Cu_2ZnSn(S, Se)_4中Cu和Zn原子半径相似,易出现铜锌位置互换形成反位缺陷.而Cu_2BaSn(S, Se)_4中Ba和Cu的原子半径相差较大,反位缺陷形成能较高,不易形成缺陷.因此通过将Ba取代Zn后形成的Cu_2BaSn(S, Se)_4能缓解反位缺陷和带边拖尾等问题,使得Cu_2BaSn(S, Se)_4成为了替代Cu_2ZnSn(S, Se)_4的可选材料之一.另外Cu_2BaSn(S, Se)_4具有优异的光电特性,使其成为光电领域非常重要的材料之一.本文主要阐述了近几年来Cu_2BaSn(S, Se)_4薄膜的研究进展.包括基本特性,如结构和吸光特性等、各种生长方法的优缺点和在太阳能电池及光电化学等领域的研究进展情况.最后总结并展望了Cu_2BaSn(S, Se)_4的应用前景,为未来的研究提供方向.     

新型激光晶体Nd∶Gd_(0.8)La_(0.2)VO_4的生长及其激光性能的研究

激光二极管(简称ＬＤ)泵浦的固体激光器具有效率高、体积小、输出稳定、寿命长的优点,在军事、工业、医学和科研等领域有广泛的应用,是近年来国内外激光领域的一个研究热点.目前在这个领域中,Ｎｄ∶ＹＶＯ4晶体的激光器已商品化.Ｎｄ∶ＧｄＶＯ4激光晶体与Ｎｄ∶ＹＶＯ4相比,具有吸收系数大[1],热导率高[2],激光性能优良[3]等优点.由Ｎｄ∶ＧｄＶＯ4通过离子替代形成的Ｎｄ∶Ｇｄ0.5Ｌａ0.5ＶＯ4晶体[4],与Ｎｄ∶ＧｄＶＯ4相比,其吸收半宽较大.为把两者的优点相结合,我们生长了Ｌａ掺杂量为20%的晶体,即Ｎｄ∶Ｇｄ0.8Ｌａ0.2ＶＯ4,并对其性…     

吸附氦(~4He)薄膜准二维运动的有效势近似

实验技术的发展,已经可以控制被吸附在石墨基底上的氦形成一个或多个单原子层,并对它们的某些物理特性进行测量.Siddon和Schick采用自由二维空间模型曾对氦薄膜的若干物理现象作出较好的描述.近年来实验的测量精度不断提高,显示出自由二维空间模型与体系的实际状况尚有明显的差距.为了对较     

掺杂激光晶体Er:KGd(WO_4)_2和KEr(WO_4)_2的配位场理论计算

在掺杂激光晶体的光谱学研究中,一个很重要的工作就是分析发光离子的光谱斯塔克能级结构,根据发光离子在激光晶体中的点群对称性,由实验能级从理论上拟合出它们的配位场参数。掺杂激光晶体Er:KGd(WO_4)_2和KEr(WO_4)_2是70年代末得到的一类激光晶体,     

CCI_4 Ba(~1S),Ba(~3D)分子束反应的激光诱导荧光与化学发光研究

用分子束实验装置,对CCl_4 Ba(~1S)(或Ba(~3D))反应进行了激光诱导荧光与化学发光的研究。在Ba(~1S) CCl_4→BaCl CCl_3反应中,测得了BaCl(C~2Π—X~2∑~ )跃迁△V=—1带系的激光激发谱,求出了BaCl基态的振动态分布,发现振动布居非常窄,并强烈反转,最大布居的振动能级约为v″=44。用在Ba原子束中放电的方法,激发部分Ba原子至亚稳态~3D态(大约占总束强的10％),并在收集光路上加干涉滤光片消除背景光干扰,测得了包含有Ba(~3D)原子反应的激光激发谱,发现激光诱     

新型激光晶体Nd:Sr5(VO4)3F的LD泵浦激光特性

掺钕氟钒酸锶[Nd:Sr_5(VO_4)_3F,简称Nd:SVAP]是近年才见报道的新型激光晶体材料.1993年12月Loutts在美国MRS年会上首次披露生长成Nd:SVAP晶体,1994年他们报道了用钛宝石激光泵浦的Nd:SVAP激光特性.该晶体泵浦阈值低、转换效率高,适于制作激光二极管(LD)泵浦的小型固体激光器,应用前景非常广阔.但是,至今未见LD直接泵浦的实验结果报道.以钒的氧化物和锶的盐类作为起始原料,经过配方筛选和原料处理工艺的优化,我们首先合成出用于单晶生长的多晶备料,之后,采用Czochraski技术生长出单晶.但这种单晶必须经过适当的后处理,方可进行样品定向、加工和镀膜,从而进行激光实验.     

CCI_4+Ba(~1S),Ba(~3D)分子束反应的激光诱导荧光与化学发光研究

原子簇化合物化学键理论是当代理论化学的一个重大课题。这一理论的发展对于沟通无机化学和有机化学、在更广泛的范围内更深刻地揭示化学键的本质具有重大意义。七十年代,Wade、Mingos和Lauher提出和发展了骨架电子对理论(Wade规则),提供了多面体骨架分子轨道成键数的计数方法。实际上,作者从局域分子轨道法和骨架分子轨道法就可概括络合物的成键规律。Ruedenberg和Hoffman提出生成轨道法,他们     

用具有单晶硅辐射基片加热器和活性氧发生器的激光淀积系统制备双面YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜

超导微波器件是高温超导薄膜的重要应用之一,尤其是使用YBa_2Cu_2O_(7-δ)(YBCO)高温超导薄膜制作无源微波器件,例如超导微带谐振器、滤波器、超导天线、超导延迟线等,更受到各国有关研究组的重视,而且发展很快.这类器件的核心部件是一块刻成特定图形的YB-CO超导薄膜,在薄膜的另一面放置另一块低电阻率的金属薄膜或超导薄膜做为接地电极.这种结构的微波器件虽然取得了很大进展,但是仍然因为基片的微变形或金属电极的电阻而使器件的损耗较大,这种由于非理想接地电极引起的损耗可能占到总损耗的30%.如果用双面超导薄膜制作微波器件则这种损耗可以消除.因而,使用双面超导薄膜制备超导微波器件是进一步降低微波损耗的重要途径.从90年代初到现在国际上一些先进的实验室一直进行制备双面超导薄膜的研究,并在美、日、德等国的一些实验室获得成功.制备双面超导薄膜的方法有多种,如脉冲激光淀积(PLD)法、MOCVD法、共蒸发法和溅射法等.在这些方法中脉冲激光淀积法因为有其独特的优点而倍受重视.采用激光法制备双面高T_c超导薄膜的关键之一是基片的非接触加热技术.目前常被采用的非接触加热方法有3种:1.卤素灯加热,2.空腔加热,3.二氧化碳激光加热.以上3种加热方法都存在着各种不同的缺点,例如结构复杂,使用不便