纳米光伏技术的现状与发展

介绍了传统薄膜太阳电池里的纳米结构和量子结构太阳电池，分析了纳米光伏技术的现状，提出了今后纳米光伏技术的发展方向。     

干氧法钝化发射区改善硅太阳电池短波响应

干氧法钝化发射区改善硅太阳电池短波响应李健，金国，季秉厚，于光（内蒙古大学物理学系，０１００２１，呼和浩特）ＩｍｐｒｏｖｉｎｇＳｈｏｒｔｗａｖｅＲｅｓｐｏｎｓｅｏｆＳｉＳｏｌａｒＣｅｌｌｂｙｔｈｅＤｒｙ－ＯｘｉｄｅＰａｓｓｉｖａｔｉｏｎｏｎｔｈｅＣｅ...     

多晶硅太阳电池的高温水蒸汽处理

文章研究了多晶硅太阳电池的高温水蒸汽处理，对处理前后太阳电池光谱响应、开路电压、短路电流等太阳电池的特性进行了测量。处理后太阳电池的性能得到了改善，获得了较好的处理条件及处理效果。     

太阳电池I－V数据采集系统

本文利用ＩＥＥＥ－４８８接口板，Ｋｅｉｔｈｌｅｙ６１７静电计，ＩＢＭ－ＰＣ微机，编程实现了太阳电池Ｉ－Ｖ数据的自动采集、存储．以ａ－Ｓｉ：ＨＰｉｎ型太阳电池为样品，计算出相应的电池参量，验证了该系统的可行性和准确性．     

太阳电池I－V数据采集系统

本文利用ＩＥＥＥ－４８８接口板，Ｋｅｉｔｈｌｅｙ６１７静电计，ＩＢＭ－ＰＣ微机，编程实现了太阳电池Ｉ－Ｖ数据的自动采集、存储．以ａ－Ｓｉ：ＨＰｉｎ型太阳电池为样品，计算出相应的电池参量，验证了该系统的可行性和准确性．     

晶体硅太阳电池缺陷分析

晶体硅太阳电池的出现,为人们生活提供了新的便利,但是这种电池在使用中也存在一定缺陷.该文主要对晶体硅太阳电池缺陷进行分析,总结了晶体硅太阳电池的缺陷分类评价体系,从体系标准和缺陷类型的角度,列出常见的缺陷判定方法,然后对两种典型缺陷进行分析,主要有边缘漏电和裂纹,通过这种方式能够使相关人员更加快捷的掌握电池的具体情况,采取相应措施,确保晶体硅太阳电池的问题能够得到及时的修复,解决存在的隐患,让晶体硅太阳电池在使用中更加安全.     

太阳电池阻抗测量系统设计

为测量晶体硅太阳电池在不同光照强度和偏压下的阻抗特性和伏安特性,设计并制作了一种太阳电池阻抗测量系统。系统以STM32F103处理器为核心,通过I2C接入阻抗数字变换芯片AD5933,用于阻抗测量,在液晶显示屏显示结果。系统设有量程切换单元,可选择合适的量程以减小测量误差。测量系统可完成太阳电池的常规I-V特性曲线和阻抗谱的测量。分析了偏置电压对太阳电池性能的影响。实测结果表明,系统可完成激励频率为100Hz～1MHz时的扫频阻抗谱测量,阻值范围为0～10MΩ,能够满足一般实验室条件下太阳电池阻抗频谱测试的要求。     

非晶硅太阳电池的性能与薄膜特性的关系

在ＲｉｃｈａｒｄＳ．Ｃｒａｎｄａｌｌ和Ｐｏｒｐｏｎｔｈ Ｓｉｃｈａｎｕｇｒｉｓｔ等人工作的基础上,用平均场区域近似（ＵＦＲＡ）方法,对ｐ－ｉ－ｎａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜太阳电池进行了解析分析,得出了电池性能参数与本征层光学带Ｅｇ、电子迁移率Ｕｎ的关系。开路电压Ｖｏｃ、短路电流Ｊｓｃ、电池效率随Ｅｇ的增大而急剧减小,而填充因子Ｆｆ随Ｅｇ的增大而缓慢减小。Ｖｏｃ,Ｊｓｃ,Ｆｆ都随Ｕｎ的增大而增大,变化最大,其     

国产空间实用太阳电池抗质子辐射性能研究

研究了国产卫星用背场Ｓｉ太阳电池和ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能随质子辐照注量１×１０９ －５ × １０１３ ｃｍ－２的变化．实验表明,２种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势．背场 Ｓｉ太阳电池性能参数短路电流Ｉｓｃ和最大输出功率Ｐｍａｘ衰降变化快,辐照注量为２ × １０１０ｃｍ－２时, Ｐｍａｘ就已衰降为原值的７５％,而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池对应相同的衰降辐照注量达８×１０１１ｃｍ－２,且 Ｉｓｃ和Ｐｍａｘ衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近３ × １０１２ ｃｍ－２时才迅速下降．背场Ｓｉ太阳电池性能 衰降与质子辐照引入的Ｅｖ＋０．１４ ｅＶ和Ｅｖ＋０．４３ ｅＶ深能级有关,而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能衰降 与辐照产生的Ｅｃ－０．４１ ｅＶ深能级有关．     

晶硅太阳能电池片弯曲研究进展

本文在介绍铝背场形成过程以及铝背场结构的基础上,阐述了丝网印刷晶硅太阳电池弯曲度产生的原因,介绍了目前国内外解决晶硅太阳电池弯曲的几种方法,最后提出改变浆料成分是解决弯曲的最佳方法。     

高低发射区（HLE）硅太阳电池

对ＨＬＥ硅太阳电池做了光谱响应表达式的推导，理论上的数值计算及实验结果分析表明，硅ＨＬＥ太阳电池在采用浅的重掺杂区及较深的低掺杂区构成电池发射区时，可获得比常规（ＣＶ）电池更好的光谱响应，从而提高了短路电流，并对暗电流有抑制作用，可获得较高的开路电压，结果使ＨＩ－Ｅ硅太阳电池具有较高的光电转换效率．     

太阳能电池技术进展与趋势

本文主要介绍太阳能电池的最新技术进展和太阳能电池的应用,阐述了单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳电池、化合物薄膜太阳能电池及染料敏化太阳能电池的技术进展和发展前景.     

三结砷化镓叠层太阳电池的光学匹配设计与分析

电流匹配是两端式多结叠层太阳电池设计中的关键和难点;同时,合理的吸收光谱分布将有利于电流匹配的获得。文章采用TFC光学薄膜仿真软件,模拟与分析了三结砷化镓太阳电池的多层减反射膜、顶电池窗口层和顶电池等功能层的吸收谱、反射谱和透射谱,以及对太阳电池吸收光谱的影响,结合太阳电池性能分析,得出了几何结构优化设计,可确保较好的电流匹配。     

CIS／CdS太阳电池的研制

用蒸发硒化方法制作ＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）膜，进而制成ＣＩＳ／ＣｄＳ太阳电池，转换效率达到７．６２％，文章对制作工艺、电池性能以及显著的退火效应进行了研究。     

Li／FsS2电池常温放电过程的磁怀研究

本文报导组装特殊结构的Ｌｉ／ＦｓＳ２电池，对其放电过程中磁性的变化进行了测定，实验结果支持了作者关于该电池过程中有植根于晶粒表面的弯电杆状分子－ＦｗＳ２晶粒）－Ｓ－Ｆｅ－Ｓ－Ｌｉ生成的观点，而且对中间产物ＬｊｚＦｅＳ２的产生过程作了与磁性变化规律相一致的，经过程也解释了天然黄铁矿Ｌｉ／ＦｅＳ２电池常温放电只适宜于微电流的原因。     

带有CGL：B：C的大面积a－Si：H太阳电池的研制

报导了在Ｐ／Ｉ界面引入ＣＧＬ：Ｂ：Ｃ＊缓冲层对大面积（２７９０ｃｍ２）单结集成Ｐ－Ｉ－Ｎ型。ａ－ＳＩ：Ｈ太阳电池性能影响的研究结果．实验发现：带有ＣＧＬ：Ｂ：Ｃ层的ａ－ＳＩ：Ｈ太阳电池性能的提高主要是填充因子ＦＦ的增加所导致，实验所得电池的ＦＦ平均达６０．３３％，平均有效面积转换效率ＦＦ达６．０％，分别比目前的生产水平（ＦＦ＝５３．９％，ＥＦ＝５３％）提高了１１．９９％和１３．２％．最后，依据建立的电池能带模型，从理论上解释了引入ＣＧＬ：Ｂ：Ｃ后电池性能得以提高的原因．     

多重p-i-n a-Si太阳电池

一种新型的a-si太阳电池已被研制出。该种电池是由多重p-i-n单元电池组成,其开路电压V_oc几乎和p-i-n单元数成正比。     

异质面GaAs太阳电池暗电流—电压特性的隧穿效应

在２００－３００Ｋ温度内测量了由ＬＰＥ生长的异质面高效ＧａＡｓ太阳电池暗电流－电压特性的温度关系。对实测的Ｉ－Ｖ特性进行拟合分析，认为低温低偏压下的过剩电流，起因于耗尽层内禁带中局域态间热协助的多级带间隧穿效应。     

密封铅酸蓄电池的研究

阐述了密封铅酸蓄电池中板栅合金，极板制和加酸量控制方法。试验电池重量的体积能量密度分别为３５－３７Ｗｈ／ｋｇ和９３－９９Ｗｈ／ｄｍ＾３。放电率从０．０５～２Ｃ范围内的Ｐｅｕｋｅｒｔ直线斜率为１．１２。用电阻１．５Ω短接电池２１天后可用正常充电方法恢复至初始容量８６％。贮存６个月后的电池容量仅损失１７％。在５０％ＤＯＤ情况下，电池循环寿命大于５００次。     

复合光伏阵列的优化匹配研究

为了提高光伏发电效率,降低独立光伏发电系统成本,将强光特性的单晶硅电池和弱光特性的非晶硅电池复合应用在发电系统中。通过对太阳电池的I-V特性分析,构建复合光伏阵列输出功率与辐照强度、温度之间的关系,通过辐射量、日照时数等气象参数对定容量的独立光伏发电系统进行了光伏复合组件的优化研究。