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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
采用高温固态反应法制备了具有钙钛矿结构的锰氧化物La0.67Ca0.33MnO3,利用X射线衍射、光致发光谱等实验技术研究其结构和性质。应用光致发光方法研究发现了两套谱线变化的规律,这两套谱线变化源于两种微观作用的相互竞争。这两种作用是:(i)eg电子与t2g自旋相互作用;(ii)eg电子与晶格振动耦合相互作用。  相似文献   

2.
用溶胶凝胶法制备了Zn0.95Co0.05O包覆的La0.67Ca0.33MnO3 (LCMO) 纳米复合材料,研究了包覆材料对磁电阻性能的影响.实验结果表明,Zn0.95Co0.05O的表面包裹(修饰)大幅度增强了复合材料的磁电阻值;低场和高场下以及不同的温度区域内磁电阻有着不同的温度和磁场效应,意味在不同温区具有不同的磁电阻机制;采用低温隧穿磁电阻效应和逾渗模型较好地解释了实验结果.  相似文献   

3.
采用固相反应法制备了系列铁掺杂稀土锰基氧化物La0.67Ca0.33Mn1-xFexO3(其中0≤x≤0.1)样品,利用X射线衍射(XRD)对该样品的晶体结构进行了表征.结果表明:在整个替代范围内,样品单相性很好,呈正交相结构,说明铁离子完全进入了晶格内部,铁离子对Mn位的替代是有效的.  相似文献   

4.
5.
利用磁控溅射,将磁电阻材料La0.67Ca0.33MnO3与金属Ag,Fe等材料相结合,制成了多层膜,测得了三层膜“La0.67Ca0.33MnO3/Ag/Fe”的巨磁电阻效应。  相似文献   

6.
利用脉冲激光沉积技术制备了p-n型的La0.67Sr0.33MnO3/GaN异质结.在室温下测量了La0.67Sr0.33MnO3/GaN异质结的电流-电压特性曲线,结果表明该异质结具有较好的整流效应.对该异质结的光电效应进行了测量,发现该异质结还具有明显的光电效应:当用光功率为6mW、波长520nm的光照射该异质结时该异质结的光电压可达33μV.还发现异质结的光电压与入射光的功率及光子能量有依赖关系:入射光功率或光子能量越大,光电压越高.根据La0.67Sr0.33MnO3/GaN的能带结构对实验结果作了解释.结果表明La0.67Sr0.33MnO3/GaN异质结可用作光电器件.  相似文献   

7.
使用高温固相反应法制备了具有钙钛矿结构的锰基氧化物La0.7Ca0.3Mn1-xTixO3,利用X射线衍射、红外光谱等实验技术手段研究其结构和性质。发现在进行掺杂的样品中金属钛离子占据了锰离子的位置,并且所制备的一系列样品均为单相结构。  相似文献   

8.
研究了La(2-x)Bix/3Ca1/3MnO3体系的电阻行为和磁性转变,当x=0.0,0.2时,样品表现为铁磁转变,居里温度Tc分别为265K和245K,铁磁转变伴随着半导体-金属转变,对应于磁电阻效应的极大值;当x=0.4时,样品表现为复杂的磁性转变,样品的电阻率为半导体特性,对应的磁性转变没有半导体,金属转变发生,在x=0.4和0.6两个样品中,1T外场下85K时获得大于86%的巨磁电阻效应  相似文献   

9.
采用高温固态反应法制备了具有钙钛矿结构的多晶氧化物La0.67Ca0.33MnO3, 利用X射线衍射、 电子顺磁共 振等实验技术研究其结构和顺磁到铁磁的磁性相转变. 电子顺磁共振实验可以观测到样品在磁有序转变温度 (Tc) 附近的动态磁性相转变, 并且与磁化强度的实验结果一致. 对Tc附近的磁性相转变进行了分析.  相似文献   

10.
通过实验研究了La0.67-xSmxSr0.33MnO3(x=0.00,0.10,0.20,0.30)体系的M-T曲线、ESR曲线、ρ-T曲线和MR-T曲线.实验结果表明:随着Sm掺杂的增加,体系从长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态和反铁磁状态转变,Sm掺杂引起的磁结构变化和额外磁性耦合将导致CMR效应.  相似文献   

11.
12.
La0.67Ca0.33MnO3薄膜中的非欧姆行为研究   总被引:5,自引:1,他引:5  
 用四探针法对不同倾斜衬底La0.67Ca0.33MnO3薄膜进行了不同电流下的电阻温度关系测试,发现了3个结果:①偏电流>1mA时,焦耳热作用使电阻温度曲线的转变点温度下降;②偏电流<1mA时,薄膜的转变点电阻随所加的偏电流的增加而减小,这是对欧姆行为的偏离(即非欧姆行为);③这一偏离随衬底倾斜角度的增加而增加.对经过氧气氛高温退火的La0.67Ca0.33MnO3薄膜进行了测量,发现峰值电阻及峰值电阻的变化明显减小.初步分析的结果是:①大电流的加热效应是峰值温度偏移;②可能是晶界作为隧穿结导致了薄膜中的非欧姆行为.  相似文献   

13.
制备了Yttrium掺杂的La0.67Ca0.33MnO3多晶样品.通过室温下的X射线衍射,用Rietveld精修方法得到它的结构特性.随着Yttrium成分的增加,或者La位阳离子的平均半径的降低,八面体倾斜变形度增加.Mn-O-Mn键的键角随Yttrium成分的增加而增加.Mn-O键的平均键长在整个过程中相对保持不变,但单个Mn-O键长和Mn-O-Mn键角反映出室温下Yttrium掺杂LCMO合作Jahn-Teller效应的存在.  相似文献   

14.
Orientational domains at room temperature in orthorhombic perovskite La0.33Ca0.67MnO3 were studied by group-theory and observed systematically using transmission electron microscopy. There are six orientational variants (A, A′, B, B′, C andC′) in orthorhombic perovskite La0.33Ca0.67MnO3. Their orthorhombicb o directions are parallel to thea p,b p andc p directions of the cubic prototypic perovskite, respectively. In each case there are two orientational variants (e.g.,A andA′) with theira o andc o axes interchanged. Among the possible 15 boundaries between these 6 variants there are only two types of domain boundaries: (1) m<100>boundariesC′/C, A′/A, andB′/B. (2) m<110>boundaryiesC′/A, C′/A′, C′/B, C′/B′, C/A, C/A′, C/B, C/B′, B′/A, B′/A′, B/A, andB/A′. Foundation item: Supported by the National Natural Science Foundation of China (19974031) and US DOE(DE-AC02-98CH10886) Biography: WANG Ren-hui (1937-), male, Professor.  相似文献   

15.
采用固相反应方法制备了La0.67Ca0.33Mn1-xFexO3(0 x 0.2)的一系列样品.分别用X射线衍射、正电子湮没技术对样品进行了检测,结果表明:在整个掺杂范围内样品单相性很好,随着掺杂量的增加,样品中铁磁与反铁磁团簇的相互竞争和由于电子局域化而引起的极化导致了正电子寿命的变化.  相似文献   

16.
采用脉冲激光沉积法制备La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)薄膜,溶胶-凝胶法制备PbZr0.4Ti0.6O3(PZT)薄膜,在SrTiO3(STO)基片上制备了LSMO/PZT/LSMO异质结电容器.X线衍射(XRD)研究表明LSMO和PZT薄膜在STO基片上实现了外延生长.LSMO/PZT/LSMO电容器具有良好的铁电性能,在5 V测试电压下,剩余极化强度为26.9 μC/cm2,矫顽电压为2.5 V,LSMO/PZT/LSMO电容器显示出了良好的抗疲劳性能.5 V电压下电容器的漏电流密度为7.4×10-6 A/cm2,在0~2.9 V为欧姆导电机制,2.9~5 V满足空间电荷限制电流(SCLC)导电机制.  相似文献   

17.
Cr掺杂对La0.67Ca0.33MnO3物性的影响   总被引:1,自引:1,他引:1  
本文研究了Cr掺杂对La0.67Ca0.33MnO3物性的影响。探讨了Cr掺杂对晶体结构的影响、Cr掺杂对磁场的影响、Cr掺杂导致的反常电阻和磁电阻行为,以及Cr掺杂对La0.67Ca0.33MnO3极化子输运的影响。有新的发现:实验结果显示了特殊的双峰CMR行为,而且CMR效应的温区被极大地拓宽,从低温区直至室温以上,说明Mn位的Cr掺杂是调节CMR效应的有效方法。  相似文献   

18.
采用固相反应方法制备了名义成分为La0.67Sr0.33Mn1-xFexO3(0≤x≤0.20)的系列样品.通过对La0.67Sr0.33MnO3系列样品的XRD曲线、R—T曲线的测量,研究了Fe掺杂对样品磁电性质的影响.室温下利用正电子湮没技术对样品进行了研究,根据正电子寿命谱参数的变化情况讨论了掺杂样品中缺陷及电子结构的变化.实验结果显示,该系列样品可以忽略氧空位缺陷的影响,样品中位错、微空洞和晶界等缺陷的存在、铁磁与反铁磁作用的相互竞争及样品内部电子局域化所形成的极化行为等因素导致了样品性质的变化.  相似文献   

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