PIN管结电容的代换测量与回归分析

通过一组标准电容的代换测量，建立了测量电压与电容量的函数关系，并采用插值算法和回归分析得到结电容与偏压的特性曲线，该方法有效地克服了杂散电容及电路噪声对没蛳精度的影响，测试误差主要取决于标准电容的精度。     

实用麦克劳真空计的误差分析

<正> 麦克劳真空计是Mcleod 于1874年首先设计制作的,一直沿用至今已有一百多年历史了。这中间虽经许多人在结构上的多次改进,但其基本原理仍然是玻义耳定律,或者称玻义耳——马略特定律.麦克劳真空计之所以长期被人们采用,不仅因为它的结构简单,制作方便,而且还因为它是作为一种绝对真空计存在着,其它许多真空计基本上都是由它来校准的,所以它又叫做标准真空计,或者叫做压缩式标准真空计。尽管如此,由于它使用水银作为工     

基于石墨烯/聚苯胺纳米线阵列复合薄膜的柔性超级电容器

该文报道了基于石墨烯/聚苯胺纳米线阵列自支撑薄膜的柔性超级电容器.首先通过抽滤方法制备了柔性的石墨烯自支撑薄膜,然后在石墨烯薄膜表面原位生长聚苯胺纳米线阵列,得到了石墨烯/聚苯胺纳米线阵列柔性复合薄膜.同时,基于该柔性薄膜组装出三明治结构的柔性超级电容,并测试了其电化学性能.结果表明复合的薄膜具有优异的比电容（278Fg？1）和循环稳定性（循环8000次,容量保持80%）.     

碳纳米管薄膜电极电容去离子研究

采用低压化学气相沉积方法制备碳纳米管薄膜电极，研究碳纳米管薄膜的电容去离子行为.碳纳米管薄膜主要由中孔和部分大孔组成，适合电容去离子应用.详细研究了工作条件（流速、电压）和离子特性对碳纳米管薄膜电容去离子性能的影响.结果表明：电极电压越高，除盐率越高；存在一个最佳流速，此时除盐率最高；离子半径越小，电荷越小的离子，更容易吸附.     

新型真空计的研究

文中通过对智能真空计的测量范围以及测量精度要求的分析，给出了具体的电路设计方案及软件实现方案。     

简易测量铁芯电感线圈固有电容

分析了铁芯电感线圈的等效电路,提出了测量其固有电容的新途径。该方法简单易行,不用附加任何辅助元件（如标准电感、标准电容等）,也不需要测量电路。     

流量计法测量微型溅射离子泵抽速的方法

介绍了基于流量计法原理搭建的抽速测量装置.在1×10^-4~1×10^-2Pa下使用磁悬浮转子真空计测量压力，当压力低于1×10^-4Pa时使用电离真空计测量压力.提出了一种测量电离真空计抽速与放气率的方法，测量了电离真空计在1×10^-6~1×10^-4Pa压力下的抽速与放气率.在搭建好的设备上，测量了微型溅射离子泵对氮气和氦气的抽速.使用COMSOL软件分析了不同压力下泵的放电状态并与实验结果进行对比，所得结果一致性好.流量计法的相对标准不确定度低于4.4%     

CSFX-120薄膜电容测试分选机的结构设计

CSFX-120薄膜电容测试分选机的最大特点是采用一个动力源带动凸轮完成各种复杂的动作。通过介绍CSFX-120薄膜电容测试分选机的工作原理、性能指标，着重对分选机机械结构设计及关键技术难点进行了阐述，并对已批量生产的电容分选机市场前景进行了展望。     

金刚石薄膜电容的欧姆接触

用本征金刚石薄膜制备的电容具有高储能，高击穿电压，耐高温，基本电阻可调节以及良好的化学稳定性等特点.金属与金刚石薄膜形成欧姆接触是电极金属的选取是制备金刚石薄膜电容的重要一步.本文主要研究金刚石薄膜的欧姆接触及其I-V曲线.     

适于电容传感器测量的新方法

本文介绍了一种新的电容自动测量方法和电路。该方法是在低频和恒频率条件下测电容,克服了谐振法由于电容值变化引起频率变化而带来的各种干扰,因而特别适合于时变电容(传感器)的测量。实验表明该方法测量精度较高。文中将它与其它测量方法进行比较,说明了该方法的特点。     

金刚石薄膜电容的欧姆接触

用本征金刚石薄膜制备的电容具高储能，高击穿电压、耐高温，基本电阻可调节以及良好的化学稳定性等特点。金属与金刚石薄膜形成欧姆接触是电极金属的选取是制备金刚石薄膜电容的重要一步。本文主要研究金刚石薄膜的欧姆接触及其I-V曲线。     

电化学阳极氧化处理对超纳米金刚石/多层石墨烯复合薄膜电容性能的影响

为解决表面疏水导致的超纳米金刚石/多层石墨烯复合薄膜(UNCD/MLG)电容性能差的问题,通过电化学阳极氧化工艺对微波等离子化学气相沉积的UNCD/MLG薄膜进行表面处理以改善其相应性能。采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)对处理前后薄膜的表面微观形貌进行对照分析,并用拉曼光谱(Raman)、光电子能谱(XPS)和静态接触角(Contact angle)表征其表面微观状态,用循环伏安法(CV)和恒流充放电法(GCD)比较分析处理前后薄膜的电容性能。结果表明,与原始薄膜相比,处理后的薄膜由超疏水性变为亲水性,且其电容值最大提高约115倍,表明电化学阳极氧化处理可以有效地对UNCD/MLG薄膜进行表面改性,大幅提升其电容性能。     

印刷电路板结构中的等效介电常数和快速电容提取

提出了用于印刷电路板（PCB）扁平多层介质结构的等效介电常数的概念，使在PCB结构中电容提取的计算量减少到自由空间中电容提取的量级。并保持相当的精度，此外还可与目前计算电容效率最高的多级加速法兼容，计算实例表明，该等效介电常数的概念及相应的处理方法是有效和可靠的     

MFS结构铁电薄膜C-V特性的研究及界面电位降的计算

利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT／PZT／BIT,PZT／BIT和BIT层状铁结构电薄膜,借助HP4192A低频率阻抗分析仪对样品的C—V特性进行了测试,用半导体理论讨论了金属—铁电薄膜—半导体（MFS）结构的电容电压（C—V）特性,由C-V曲线理论算出界面电位降Vi,结果表明,界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关．在三种结构中,BIT／PZT／BIT结构的界面电压降为最小,其界面效应优于单层和双层结构的界面效应．     

高速齿轮试验台薄膜反馈节流静压轴承

讨论了在高速齿轮试验台中采用的薄膜反馈节流静压轴承的结构设计，并提出了其耦合参数的最佳选择方法。该轴承具有很高的径向及轴向承载能力与寿命，以及高的运转精度、轴承油膜刚度。     

以SiO2/Si为衬底的Ba1-xLaxNbyTi1-yO3薄膜的敏感特性

通过离子束溅射技术淀积在SiO2/Si衬底上的钛酸镧钡铌膜（Ba1-xLaxNbyTi1-yO3），制成集薄膜电阻和金属－绝缘体－半导体（MIS）电容为一体的传感器。实验结果表明，薄膜电阻在303－673K温度范围内对可见光和热具有良好的灵敏特性，同时MIS电容对相对湿度有很高的灵敏度。我们测试了此薄膜的光吸收特性，并得到了它的禁带宽度。最后，我们研究了薄膜电阻的阻抗温度频率特性和频率对MIS电容湿敏特性的影响。     

电容阵列开关时序优化在A/D转换器中的应用

欲提高逐次逼近式A／D转换器的精度，常受到内部DAC（Digital-to-Analog Converter）结构参数误差等因素的制约，同时A／D转换器的低功耗问题亦受到关注．为减小电荷分布式DAC中电容离散引入的积累梯度误差，改善输出积分线性度（INL，integral nonlinearity），引入INL bounded算法对实际工艺条件下的DAC电容阵列的导通时序进行了优化．通过引入预增益级和Latch级，改进了内部比较器的结构，降低了静态功耗，提高了转换精度和工艺的可靠性．仿真结果表明，设计ADC的分辨率可达14bit，其1NL提高2倍以上，功耗8．25mW．该设计可利用0．6μm2P2M标准的CMOS工艺实现．     

TDLAS湿度传感器与维萨拉湿度传感器性能对比研究

水汽含量对于诸如文物保护、气象、工业生产等领域都有明确标准并需要严格控制,因此能够精确和快速的实现环境湿度监测已成为一大研究热点.现在常用的湿度传感器为芬兰VAISALA生产的湿度传感器系列,但是其测湿部分采用聚合物高分子薄膜电容传感器,存在响应时间长,褪湿慢等缺点,已经不能满足用户需求.基于TDLAS技术的湿度传感器使用半导体激光器作为光源,参考气室提供光谱调节反馈,构成了一种高精度水汽含量检测系统,响应速度快,灵敏度高,可以克服传统湿度传感器的不足.该文以米歇尔露点仪为标准,对比测试了TDLAS湿度传感器与传统的VAISALA电容传感器响应时间、测量精度等性能.证明了TDLAS湿度传感器具有更好的测量准确度与灵敏度.     

退火温度对钽基RuO2·nH2O电沉积薄膜电容性能的影响

以RuCl3·xH2O的水溶液为电沉积溶液, 通过恒流电沉积法在钽箔上电沉积一层RuO2·nH2O薄膜, 研究退火温度对RuO2·nH2O薄膜的电容性能的影响;采用CHI660B电化学测试仪和循环伏安法对薄膜的电容性能进行测试;分别采用扫描电子显微电镜、能谱仪及X射线衍射仪对薄膜的形貌和微孔形态、薄膜元素及薄膜的物相进行分析. 结果表明, 未经退火处理的RuO2·nH2O薄膜的电容性能不稳定, 在循环伏安法测试中电容量随循环次数的增加而降低;将RuO2·nH2O薄膜分别在不同温度(100, 150, 200, 250和300 ℃)下进行的2 h的退火处理, 经退火处理后的RuO2·nH2O薄膜的电容性能经过60次的循环后趋于稳定, 其中, 经过100 ℃退火处理的RuO2·nH2O薄膜的比电容最大, 其比电容为0.083 8 F/cm2.     

超薄石墨烯薄膜的制备及其超级电容器性能的研究

通过真空抽滤的方法得到了超薄的、可独立存在的还原态的氧化石墨烯薄膜(RGO)。该石墨烯薄膜表现出良好的柔性和机械强度。在三电极体系下,把石墨烯薄膜作为超级电容器电极,测试了其电化学性能,所测得的电化学曲线具有典型的双电层电容器的特点。在2mV/s的扫速下比电容值最高可以到达215.6F/g,同时石墨烯薄膜也呈现出良好的化学稳定性和循环性能。