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利用共沉淀法制备了纳米ZrO2粉体,观测到样品晶相随煅烧温度升高逐渐由四方相转化为单斜相.在室温观察到纳米ZrO2有较强的峰值分别位于380 nm和470 nm的蓝紫、近紫外发射.同时观测到随着煅烧温度的升高和颗粒尺寸的增大,两个发射谱带的强度变化明显不同. 相似文献
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采用低温固相反应法以CoCl2、FeCl3和NaOH为原料制备了CoFe2O4铁氧体纳米粉体.采用X射线衍射仪(XRD)扫描电子显微镜(SEM)振动样品磁强计(VSM)对样品的成分、形貌和宏观磁性进行了表征,利用等加速穆斯堡尔谱仪对样品进行了穆斯堡尔谱的测量.结果表明,使用本方法可以在较低的温度下(90℃)方便地得到纯度较高,颗粒度(11~56nm)分布较均匀的CoFe2O4纳米颗粒.用这种方法制备的CoFe2O4粉体单畴临界尺寸在23nm左右.超精细场随着退火温度的升高而增大. 相似文献
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通过水热合成法制备了配位聚合物[Cd(2,2-′dipha)(H2O)(phen)].3H2O,利用X射线单晶衍射对其进行了结构表征.单晶分析结果表明:化合物属三斜晶系,P-1空间群,a=0.968 0(5)nm,b=1.193 1(6)nm,c=1.215 6(6)nm,α=71.697(5)°,β=71.741(5)°,γ=74.355(6)°,V=1.242 7(10)nm^3,Z=2,T=293(2)K,R1=0.038 0,wR2=0.075 5. 相似文献
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用NH4Al(SO4)2.12H2O、ZrOCl2.8H2O和NH4HCO3为原料,采用共沉淀法合成了t-ZrO2/Al2O3纳米复合粉体.前驱体的制备温度以45℃为宜,反应物NH4HCO3/(Zr Al)摩尔比对反应中锆的沉淀率影响显著.前驱体经1 100℃焙烧1 h后出现t-ZrO2和γ-Al2O3的宽化衍射峰,t-ZrO2较均匀地分散于氧化铝中,两相晶粒大小都在10~20 nm之间,样品进一步加热到1 200℃时α-Al2O3相迅速生成并伴有部分晶粒融合发生. 相似文献
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HfO2基铁电薄膜是一种环境友好型的铁电材料,具有尺寸可缩放性、与CMOS兼容性好等多方面优势,有望代替传统钙钛矿结构材料成为铁电存储器件的主要组成材料之一近年来,已有相关研究表明Zr掺杂的HfO2基薄膜具有良好的铁电性然而,针对其复合多层结构的铁电薄膜却鲜有报道为此,该研究利用金属有机物分解法制备了HfO2和ZrO2层交替生长的HfO2 ZrO2纳米多层薄膜,对薄膜的物相、表面形貌和铁电性能进行了相应的表征和分析,研究了退火工艺对薄膜铁电性能的影响结果表明,随着纳米层数的增加,HfO2 ZrO2薄膜的结晶性得到改善,且薄膜表面致密度增加,表面较为平整,晶粒有所细化在400 ℃、1 min的退火条件下,HfO2/ZrO2纳米多层薄膜具有明显的铁电性,电流翻转峰明显,剩余极化强度高达16 μC/cm2,纳米多层薄膜具有最小的漏电流密度以及良好的耐疲劳性能 相似文献
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以NiO和Fe2O3粉末为实验原料,采用粉末冶金固相烧结法制备了NiFe2O4陶瓷粉体,并研究了不同烧结温度范围和烧结时间对合成NiFe2O4陶瓷粉体的影响,分析了不同烧结条件下生成的NiFe2O4粉体的形貌及结构,确定了制备NiFe2O4陶瓷粉体最佳工艺条件:在1100~1200℃的温度下烧结6h. 相似文献
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以溶胶-凝胶法制备的纳米SiO2颗粒和微米Y2O3为原料,在高能行星磨上球磨混合粉末(摩尔比2:1),冷压成型后烧结,制备出纯相γ-Y2Si2O7.借助X射线衍射、扫描电镜、能谱等方法研究了该材料的低温烧结行为.结果表明,该材料能够在1350℃下低温烧结出纯相γ-Y2Si2O7.用谐振腔法在X波段测试了γ-Y2Si2O7的介电性能.结果表明,该材料具有良好、稳定的介电性能. 相似文献
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利用水热反主尖,成功在地160℃的低温下,直接在蒸钛硅衬底表面合成了多晶BaTiO3薄膜。扫描电镜观察发现薄膜的组织结构均匀、致密、平均晶粒尺寸约100nm。对比快速热退火前后薄膜的扩展电阻深度分布、SEM形貌象和X射线衍射谱发现:薄膜呈多层结构,退火前为立为BaTiO3/非晶BaTiO3-x/Ti/Si,退火后变为四方BaTiO3/Ti/Si。 相似文献
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在氢气气氛下还原Fe2O3/Al2O3得到Fe/Al2O3纳米复合粉末.利用X射线衍射、扫描电子显微镜和振动样品磁强计对产物的结构、形貌和磁性进行了研究.结果表明,随样品中Fe含量的增加,α-Fe的晶粒尺寸变大,样品的矫顽力减小、比饱和磁化强度增大. 相似文献