空心阴极放电自脉冲现象的实验研究

研究了氩气中圆柱形空心阴极放电的自脉冲现象.测试了空心阴极放电不同阶段的伏安特性及自脉冲频率和电流脉冲上升沿随放电平均电流、气压和电路电容的变化;讨论了自脉冲的形成机理. 结果表明,自脉冲现象出现在空心阴极放电的负阻特性阶段,并具有稳定的频率.自脉冲频率随平均电流的增加而线性增大,气压和孔径的乘积pD值对频率的影响与其大小有关,但电极间的并联电容不影响脉冲频率;电流脉冲上升沿几乎与平均电流、气压或并联电容无关. 实验结果表明,自脉冲现象是空心阴极本身的一种特征放电过程.     

采用双等离子体制备非晶态碳膜的研究

采用直流金属磁过滤阴极真空弧(FCVA)制造出Ti和乙炔(C2H2)气体的双等离子体在单晶硅(100)上制备非晶态碳膜.重点研究了乙炔气体和过滤线圈电流对非晶态碳膜的结构、形貌和机械性能的影响.研究结果表明,薄膜中主要成分是TiC,并以(111)作为主晶向;随着过滤线圈电流的增大,薄膜的晶粒度越来越小;薄膜表面的粗糙度逐渐减小,变得更加平整;薄膜的应力减小,可以下降到2.5 GPa.薄膜的显微硬度和弹性模量随着C2H2体积流qV(C2H2)的增大而降低,硬度和弹性模量分别可以达到33.9 GPa和237.6 GPa.非晶态碳膜的摩擦因数在0.1～0.25之间,大大低于衬底材料单晶硅片的摩擦因数0.6.随着过滤线圈电流增大,摩擦因数减小.     

阴极真空弧放等离子体的过滤及传输

阴极真空弧放电产生高密度等离子体的同时，也产生尺寸可达微米量级的液滴，液滴对膜层的污染限制了它的应有和，为解决这个问题，可采用轴对称磁场约束阴极斑，磁过滤器过滤等离子体出束中的液滴，结果表明液滴在磁过滤器出口处已基本上被过滤掉了，该处离子束流达到１２０ｍＡ。     

阴极真空弧放电等离子体的过滤及传输

阴极真空孤放电产生高密度等离子体的同时，也产生了尺寸可达微米量级的液滴，液滴对膜层的污染限制了它的应用。为解决这个问题，可采用轴对称磁场约束阴极斑，磁过滤器过滤等离子体出束中的液滴。结果表明液滴在磁过滤器出口处已基本上被过滤掉了，该处离子束流达到１２０ｍＡ。     

基于磁过滤阴极真空弧沉积技术制备AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜及其性能研究

基于磁过滤阴极真空弧沉积技术研究了负偏压对AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的形貌、元素以及微观结构的影响,进而讨论了AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的成膜及结晶机制．通过SEM、EDS、XRD和TEM对薄膜的形貌与结构等性能进行测试分析,实验结果表明:不同沉积离子能量条件下,薄膜具有优异的表面品质;随着沉积离子能量的不断增加,薄膜厚度随之减小;同时,沉积离子能量对高熵晶相的调控有明显效果,沉积离子能量的增加使AlCrTiZrMo高熵合金薄膜微结构从非晶相(am)转变为相稳定的am+FCC纳米复合结构．      

脉冲式高频振荡引弧器的研究

介绍一种脉冲式高频振荡引弧器的组成和工作原理，采用脉冲变压器取代工频变压器．使脉冲引弧装置具有体积小、重量轻、效率高、引弧迅速可靠等特点．     

氧化方式对碳阴极产过氧化氢性能增强作用

针对目前电化学产过氧化氢多采用粉末碳电极的问题,通过碳化天然松木得到微通道碳块,然后分别进行过氧化氢氧化、空气氧化、草酸氧化和混合溶液氧化4种处理方式．在双池反应器中,分别将未处理微通道碳块和4种方式处理的微通道碳块材料分别做阴极,Pt做阳极,研究了处理前后材料产过氧化氢能力,探究了氧化处理与材料亲水性、氧含量、电流密度以及过氧化氢产量之间的关系．结果显示,未处理和4种方式处理材料产过氧化氢的浓度分别为1 340、3 520、1 651、2 293、1 619 μmol/L．可见4种处理方式均能提高过氧化氢产量．过氧化氢氧化提高的量最多,提高了1.63倍．过氧化氢氧化处理不仅提高材料的亲水性,促进氧气扩散,而且增加的CO和COOH基团可以提高电流密度,利于过氧化氢产生．     

阴极弧离子镀TiAlSiN涂层摩擦与磨损行为

采用阴极弧离子镀法在GH4169合金表面制备了TiAlSiN涂层,通过扫描电镜和能谱仪分析了其表面和界面的形貌和能谱,用轮廓仪测试了涂层表面粗糙度.在往复式摩擦磨损试验机上进行了涂层摩擦与磨损实验,通过能谱仪分析了涂层表面磨损后点能谱和面能谱,考察了TiAlSiN涂层的摩擦因数和磨损性能,对其磨损机理进行了讨论.实验结果显示涂层表面组织结构较为致密,表面粗糙度为194.57 nm;涂层主要成分为Ti、Al、Si和N元素,Si原子细化了TiN和AlN晶粒;涂层结合界面发生了化学反应和成分的相互扩散,其结合形式为化学结合;涂层摩擦因数平均值为0.493,磨损形式为磨粒磨损;磨损痕迹面扫描结果表明,磨损后Al和Ti形成的氮化物减少,Si和N原子无明显的减少现象,涂层耐磨性增强主要依赖于Si和N形成的化合物.     

反应阴极弧镀过程中N_2流量与弧电流强度对TiN镀层的影响

研究了反应阴极弧镀过程中Ｎ２流量及弧电流强度对Ｔｉ阴极耗损率的影响，以及Ｎ２耗损与Ｔｉ阴极耗损间的关系，并对各种情况下的镀层进行结构分析。试验表明Ｔｉ阴极耗损率与Ｎ２流量有关，且在弧镀过程中，只要保持Ｎ２在真空室中有一定的压力，单位时间内Ｎ２耗损的原子数与Ｔｉ阳极耗损的原子数的比约为１：１．镀层沉积速度与结构取决于Ｎ２流量和弧电流强度。     

交流脉冲制备TiO2薄膜的性能研究

利用150kHz交流脉冲放电进行等离子体化学气相沉积（PCVD），使用Ti（OC3H7）4为源物质，在普通钠钙载玻片上制备了TiO2膜．主要考查了交流脉冲电压、反应室工作气压、气体流量、薄膜沉积温度等工艺参数对薄膜光学特性的影响,通过薄膜透过率和吸光度分析，探讨了各工艺参数对成膜品质的影响．结果表明：在载玻片上．根据不同沉积条件可制成性能不同的TiO2薄膜，均有光催化特性且附着力好．     

电弧放电法快速合成金刚石薄膜

本文用电弧放电等离子体ＣＶＤ快速生长金刚石薄膜。用拉曼散射，Ｘ射线衍射、电子显微镜等方法进行了结构表征。文中所论述的恒定的基板温度对沉积金刚石薄膜是非常重要的。     

阴极电沉积TiO2薄膜的工艺及性能

使用TiCl4的前驱体溶液,采用阴极电沉积法在301不锈钢表面制备TiO2薄膜,并研究了电化学沉积过程的机理和工艺条件.应用X射线衍射(XRD)、热重-差热分析(TG-DTA)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)等技术对TiO2沉积层的组成和结构进行了表征.用Tafel曲线评估了TiO2薄膜在模拟海水溶液中的电化学腐蚀行为,并以甲基橙为目标降解物研究了TiO2薄膜的光催化性能.     

浅谈低温辐射电热膜采暖后的配电系统设计

介绍了海华名园住宅小区的电气设计,重点探讨了采用低温辐射电热膜采暖技术后的多层住宅配电系统的设计方案。     

真空自耗熔炼钛锆合金锭的研制及性能研究

采用真空自耗电极电弧熔炼法熔炼钛锆合金铸锭.实验分析了真空自耗熔炼钛锆合金锭的影响因素,并对钛锆合金力学性能分析.结果表明:钛锆合金与纯钛相比具有较高的硬度及良好的抗拉强度.     

戈尔膜分离净化卤水的技术研究

戈尔膜过滤是美国戈尔公司成熟的膜分离先进技术．已成功应用于众多工业领域,但在中国制盐业尚未见报道．用戈尔膜分离净化卤水,生产高纯度工业盐．在中试期间,进行了卤水预处理与过滤后的质量、膜结垢的清洗等技术研究,研制出高效酸难溶垢清洗剂,以化学清洗法清除粘膜的硫酸钡垢．同时,解决了分离净化产生的三废处理问题．     

浅谈高校图书馆如何促进科研成果转化——以河南科技大学图书馆地方经济调研为例

分析了制约科研成果转化的因素,探讨了将科研成果应用到战略新兴产业中的对策,阐述了高校图书馆在促进科研成果转化过程中的积极作用。