1─苯基杂氮硅三环的从头计算研究

本文用量子化学从头计算方法研究了１－苯基杂氮硅三环的电子结构和化学键．基集包括了硅原子的收缩的ＳＴＯ－３Ｇ的３ｄ轨道，研究结果表明：硅的３ｄ轨道对形成苯环与硅之间的σ，л相互作用和Ｎ→Ｓｉ配键均有重要贡献     

具有生物活性的杂氮硅三环类化合物的理论研究

用量子化学ＭＮＤＯ方法研究了杂氮硅三环类化合物的电子结构和化学健以及结构与生物活性的关系。结果表明，偶极矩与毒性的关系以及ＬＵＭＯ是定域于Ｒ－Ｓｉ键的反键ａ轨道，Ｒ－Ｓｉ是一个弱键，它的断裂速度与杂氮硅三环类化合物的毒性相关联。     

Eu2S,EuS2电子结构和化学键的密度泛函理论研究

利用密度泛函理论方法对Ｅｕ２Ｓ,ＥｕＳ２的电子结构和化学键进行了研究。结果表明：Ｅｕ２Ｓ和ＥｕＳ２分子中的Ｅｕ－Ｓ键均主要来自Ｅｕ５ｄ和Ｓ３ｐ轨道的相互作用４ｆ轨道基本Ｅ     

多孔硅特性研究

采用连续变化的单色光作为激光光源，进行了多孔硅的退火研究，测量了多孔硅的光致发光谱，结果表明，其发光机理一是由量子限制效应所决定；另一种由Ｓｉ－Ｈ键所决定。     

1—（4,7,10—三氮杂癸基）—2,8,9—三氧杂—5—氮杂—1—硅杂三…

由ｒ氯丙基三氯硅烧经醇解，胺取代，醇交换等反应制得１－（４，７１０－三氮杂癸基）－２，８－９－三氧杂－５－氮杂－１－硅杂（３．３．３．Ｏ＾１，５）十一烷，对该化合和光谱特征进行了表征，对质谱裂解机理进行了较详细地研究推导。     

聚二苯基硅硼氧烷的结构及性质

对聚二苯基硅硼氧烷（（ＰＢ）＿ｐ树脂）的某些物理性质（如溶解性，热性能，回潮性）及其结构进行了测试和研究。研究了辐射对该聚合物结构和性能的影响。结果表明：（ＰＢ）＿ｐ树脂中含有Ｓｉ－Ｏ键和Ｂ－Ｏ键；相对分子质量为４５４；具有水解不稳定性；具有较强的耐辐射性能及优良的耐热性能，其耐辐射剂量超过２３．３×１０￣７ｒａｄｓ，热分解温度高于４００℃，属于热固性树脂。     

含二茂铁硅杂噁唑烷的合成

由α－卤代苯基二茂铁甲醇与二乙醇胺反应,合成了一系列卤代苯基二茂铁基双（β－羟乙基）甲胺,后者与二乙氧基硅烷发生酯交换反应,合成了一类新的含二茂铁硅杂口恶唑烷．由于氮原子孤对电子与硅原子空ｄ－轨道的作用,使这类化合物的红外光谱和核磁共振氢谱均表现出特殊的性质．     

1－（4，7，10－三氮杂癸基）－2，8，9－三氧杂－5－氮杂－1－硅杂三环［3．3．3．O~（1，5）］十一烷的合成与光谱研究

由ｒ─氯丙基三氯硅烧经醇解、胺取代、醇交换等反应制得１－（４，７，１０－三氮杂癸基）－２，８，９－三氧杂－５－氮杂－１－硅杂［３．３．３．Ｏ１，５］十一烷．对该化合和光谱特征进行了表征，对质谱裂解机理进行了较详细地研究推导．     

含粉煤灰或矿渣与硅灰的不同组合的混凝土(英文)

本研究评价了在高性能混凝土中掺加粉煤灰－硅灰或磨细矿渣－硅灰的不同组合时的抗压强度、劈拉强度和氯离子渗透性。在水胶比０．２８～０．３３、总胶凝材料用量５００～５５０ｋｇ／ｍ３下，采用这两种矿物掺和料组合替代３０％～５０％的硅酸盐水泥时，混凝土２８ｄ抗压强度大多为８５～１００ＭＰａ，２８ｄ劈拉强度大多为５．５～６．５ＭＰａ，并具有高工作性和很低的氯离子渗透性；混凝土的早期强度发展快，而且后期强度持续增长。含粉煤灰－硅灰或矿渣－硅灰的不同组合的混凝土的劈拉强度与抗压强度的比值为０．０６３～０．０６６。不存在一个对于抗压强度和劈拉强度都是最佳的掺和料组合。     

镧—菸酸配合物的电子结构与化学键性质研究

用分子轨道法研究了镧－菸酸配合物的电子结构和化学键性质．配合物的ＨＯＭＯ（最高占据分子轨道）主要由Ｃ、Ｏ、Ｎ原子的２ｐ轨道组成；ＬＵＭＯ（最低非占据分子轨道）主要由Ｌａ３＋离子的６ｓ、５ｄ、４ｆ轨道组成．在配位过程中有配体向金属离子的电荷转移．配体共转移１．０１７个电子到金属离子上，与Ｌａ３＋离子带１．９８３个正电荷相符合．Ｌａ—Ｏ键具有一定的共价性，由Ｃ原子、两个Ｏ原子与金属离子形成的共价键有一定的流动性．其中５ｄ轨道对形成Ｌａ—Ｏ配位键贡献最大，４ｆ轨道贡献最小．     

^5D态在D2对称晶体中的哈密顿矩阵及应用

本文推导了３ｄ~４／３ｄ~６离子~５Ｄ组态在Ｄ_２对称的晶体场中包括自旋－轨道、自旋－自旋和外磁场作用的哈密顿矩阵，并研究了ＺｎＳｅ：Ｃｒ~（２＋）中的零场分裂参量和塞曼谱。     

自由基反应在硅氢加成中的应用

在文献基础上，通过对硅氢加成反应的探讨，阐述了硅氢自由基加成反应中硅烷自由基产生的方式，即热力引发、有机过氧化物、紫外光和γ－射线以及它们的联合使用等方法；通过例证，论述了Ｃ＝Ｃ、Ｃ＝Ｃ键在自由基加成的差别，指出在相同条件下，Ｃ＝Ｃ键经Ｃ＝Ｃ键在反应过程中出现的副反应多。     

二价硅化合物的研究（Ⅰ）2，5－二叔丁基－1－硅杂－2，5－二氮杂－3－环戊烯硅烯的合成

用３０％乙二醛与叔丁基胺反应，生成双核乙二醛缩叔丁基胺西夫碱，在ＴＨＦ中，与锂、四氯化硅反应，生成１，１－二氯－２，５－二叔丁基－１－硅杂－２，５－二氮杂－３－环戊烯，再与金属钾反应，生成２，５－二叔丁基－１－硅杂－２，５－二氮杂－３－环戊烯硅烯，用元素分析和１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６）作了鉴定．     

自旋三重态对半磁半导体Cd1—xFexTe和Cd1—xFexSe的基态精细结…

本文在强场图象下推导了３ｄ＾４／３ｄ＾６离子在三角晶场中包括自旋－轨道相互作用的哈密顿矩阵公式，采用双ＳＯ轨道模型计算了Ｆｅ＾２＋在Ⅱ－Ⅵ半磁半导体ＣｄＴｅ和ＣｄＳｅ中的基态精细结构分裂（ＦＳＳ），理论计算的ＦＳＳ和实验结果符合很好，并且发现自旋三重态对基态折ＦＳＳ起着重要的影响。     

TbP5O14非晶体及其掺杂后的喇曼光谱

报道了ＴｂＰ＿５Ｏ＿（１４）非晶材料及其掺入Ｇｄ￣（３＋）和Ｐｒ￣（３＋）之后的喇曼光谱．讨论了掺杂稀土离子对分子键结构和光学性能的影响．实验结果表明３２５ｃｍ￣（－１）线的主要贡献者是ＲＥ－０键．掺杂稀土离子并不取代Ｔｂ￣（３＋），而是和形成新的ＲＥ－０键．     

八配体CdF2和CaF2中掺杂Co^2＋的电子光谱和g因子研究

在晶体场理论基础上，考虑到掺杂离子引起晶体局域结构畸变和利用Ｃｏ＾２＋离子的３ｄ轨道函数，研究了八配位立方晶体ＣｄＦ２和ＣａＦ２中掺杂Ｃｏ＾２＋离子的ｄ－ｄ电子光谱和ＥＰＲｇ因子，研究表明，局域结构畸变对ｇ因子的影响不应忽略。     

多孔硅的制备与微结构分析

本文通过电化学阳极氧化方法制备了多孔硅,并对它的微观形貌和红外吸收光谱进行分析,结果表明多孔硅的微观结构与电流密度、腐蚀流配比有关。随着电流密度的升高,氢氟酸浓度的增大,多孔硅的微观结构将从“海绵”状转变成“树枝”状,随腐蚀时间延长,Ｓｉ－Ｈ键和Ｓｉ－Ｏ键明显地增强,这有利于改善发光。     

Co_3（CO）_9（μ_3－PR）（R＝Li，H，OH，F）系列分子电子结构及规律探讨

用ＤＶ－Ｘα法计算了系列簇合物分子Ｃｏ３（ＣＯ）９（μ３－ＰＲ），Ｒ分别为Ｌｉ，Ｈ，ＯＨ和Ｆ．计算结果表明，簇合物分子轨道大体可分为四个占据轨道能级组．随着三桥合磷原子所带Ｒ基接受电子能力的增大，整体分子能级谱呈规律性降低．Ｃｏ－Ｃｏ特征键分子轨道的能级组较Ｃｏ－Ｐ键轨道能级组的能量高，且相对集中．当Ｒ拉电子的能力增加到如Ｆ原子时，两能级间隔为１．０４ｅＶ．作为催化剂，这种电子结构特征是较为有利的．另外，分子内三钴原子面上羰基的Ｃ－Ｏ键较面下三羰基键合要弱．     

CrO_4~（2－）离子中铬是SP~3杂化吗

本文从杂化轨道理论和分子轨道理论两个侧面论述了ＣｒＯ４２－离子中铬的杂化轨道类型是ｄ３Ｓ而不是ｓｐ３。     

D4h对称下^5D,^3L和^1L态的哈密矩阵研究及它的应用

本文推导了３ｄ＾４／３ｄ＾６离子在Ｄ４ｈ对称下＾５Ｄ、＾３Ｌ（Ｌ＝Ｐ，Ｄ，Ｆ，Ｇ，Ｈ）和＾１Ｌ（Ｌ＝Ｓ，Ｄ，Ｆ，Ｇ，Ｈ）态的哈密顿矩阵元，其中包括晶场、自旋－轨道、自旋－自旋相互作用及Ｔｒｅｅｓ＇修正。