混合自旋─1/2─自旋─S伊辛模型临界温度的自由费密近似解

本文考虑正方晶格上混合自旋─１／２─自旋─Ｓ伊辛模型。运用自由费密近似方法对该模型进行了求解，计算得到了临界温度的自由费密近似解，并与Ｙｏｕｓｉｆ和Ｂｏｗｅｒｓ的高温级数解结果进行比较。     

Union Jack晶格上混合自旋-1/2—自旋-S伊辛模型临界温度的自由费米近似解

考虑Union Jack晶格上各向异性二体耦合相互作用的混合自旋-1/2—自旋-S伊辛模型,运用自由费米近似方法对模型进行了求解,得到了模型临界温度的自由费米近似解.     

一种复杂的混合自旋模型及其临界温度求解

提出了正方格子上一种更为复杂的两体各向异性相互作用的混合自旋模型，分别通过平均场近似及同普适类标度变换理论，求出了该模型临界温度所满足的方程；分析讨论了该模型的耦合常数简化为特定模型时的临界温度值。     

自旋S=1键稀释蜂窝格子伊辛模型的临界温度

本文提出一种新的缀饰方法将自旋 S=1淬灭键稀释伊辛模型在交换作用参数子空间:exP(K)cosk(J)=1映象到混合自旋淬灭座稀释缀饰格子系统。对此混合自旋缀饰格子系统应用退火模型近似求得了自旋 S=1淬灭键稀释蜂窝格子伊辛系统的临界温度与键浓度之间的解析关系。所得结果在弱稀释极限下与严格解一致。     

UnionJack晶格上混合自旋模型临界温度与自旋耦合作用的关系

本文研究了ｕｎｉｏｎ ｊａｃｋ晶格上各向同性的混合自旋模型临界温度与旋耦合作用的关系,文中分别采用平均场近似和自由费密近似两种方法求解。在耦合常数简化为正方晶格上的混合自旋模型时,得到与其它解符合较好的临界温度。     

混合自旋无规律键横向伊辛模型的有限集团近似

用有限集团近似（FCA）研究了自旋为－1／2与－3／2的混合自旋向无规键伊辛模型,讨论了相图与其它的临界性质,发现了来自于交换作用起伏的重入现象。     

在横场中(1/2,1)混合自旋各向异性XY模型的量子纠缠

通过引入negativity的概念,研究了（1／2,1）混合白旋各向异性XY模型的量子纠缠,得到了两个白旋在外场中的有限温度时的量子纠缠的数值结果．发现该系统存在一个临界温度Tc,当温度大于Tc时,量子纠缠消失．     

自旋1／2和自旋1系统在一维变化磁场中的精确解和Aharonov－Anandan相

本文首先根据Ｍｉｚｒａｈｉ构造不变量的方法建立了在一维变化磁场中自旋ｊ系统的不变量，然后利用自旋１／２和自旋１系统不变量的简明矩阵形式直接求解不变量的本征波函数，由此给出了该系统含时Ｓｃｈｒｏｄｉｎｇｅｒ方程的精确解，进而根据Ｌｅｗｉｓ相讨论了此系统的Ａｈａｒｏｎｏｖ－Ａｎａｎｄａｎ相。     

电磁场中自旋为1/2的粒子随机力学模型

本文给出自旋为1/2的粒子在电磁场中的随机力学模型,在这基础上寻求Dirac方程以及Pauli方程中自旋波函数所确定的概率方程.     

非均匀磁场中（1／2，1）混合自旋海森堡XXZ模型的热纠缠

研究在非均匀磁场作用下的两混合自旋（1／2，1）各向异性海森堡XXZ模型的热纠缠特性．在均匀磁场下，随着各向异性参数的增加，临界磁场和临界温度都增大．在非均匀磁场体系中磁场不均匀度在提高纠缠的临界温度和扩大纠缠存在的范围方面起着很重要的作用．     

三维伊辛模型临界点温度的模拟计算

用蒙特卡罗方法计算了三维伊辛模型的临界点温度，模拟计算的结果表明：与坐标空间重正化群方法相比，蒙特卡罗方法具有过程简单，效率高．结果准确的特点．     

二维Ising模型元胞自动机(Q2R)模拟

用元胞自动机Q2R规则来模拟微正则系综的临界行为,同时考虑到二维Ising模型[2]的同步演化.计算结果表明,此数值仿真能够显示二维晶格在孤立条件下的自发磁化.可以为三维Ising模型的仿真计算奠定基础.     

焙烧温度对SO_4~(2-)/TiO_2固体超强酸抗水稳定性的影响

通过水预处理方法对比研究了不同焙烧温度制备的SO_4~(2-)/TiO_2固体超强酸的抗水稳定性,借助XRD、NH_3-TPD、FT-IR、TG和BET等表征技术分析材料的结构特征。结果表明,当焙烧温度在500℃以下时,所制得的SO_4~(2-)/TiO_2固体超强酸具有相近的优异酯化性能;当焙烧温度提升至600℃以上时,SO_4~(2-)/TiO_2的孔结构坍塌,SO_4~(2-)含量下降,酯化性能显著下降。经过水预处理后,所有固体超强酸酯化活性降低,主要与其SO_4~(2-)脱落和酸量明显减小有关。相比之下,400℃制备的SO_4~(2-)/TiO_2固体超强酸催化剂具有较好的稳定性。     

A1-A2/O法处理高浓度氨氮废水最佳条件确定

试验用水主要污染因子：化学需氧量（COD）、氨氮（NH3-N）．采用国家标准分析方法进行分析．对影响处理效率的环境因素及工艺参数进行研究确定．工艺参数的试验过程包括：最佳水力停留时间的确定;混合液回流比的确定;系统进水C／N比对硝化效果的影响等。     

煅烧温度对TiO2/Si光电效应的影响

采用溶胶 -凝胶法在P -型单晶硅的表面镀上一层TiO2 薄膜 ,并在 2 0 0～ 90 0℃下煅烧得到TiO2 Si复合材料 .研究结果发现 ,经不同温度煅烧得到的TiO2 Si复合材料中TiO2 的晶相结构以及复合材料的吸光性能不同 ,其光电响应特性亦不同 .经 40 0℃煅烧得到的复合材料的光电压最强 ,相对于单晶硅约提高了 3个数量级     

新型固体超强酸S2O82-/TiO2的酯催化性能研究

利用低温方法制备了S2O82-/TiO2固体超强酸催化剂,研究了该催化剂在乙酸和异戊醇酯化反应中的催化活性和稳定性.观察了焙烧温度、（NH4）2S2O8溶液浸渍浓度对催化剂催化性能的影响,以及催化剂用量、醇酸比、反应时间、反应温度等因素对酯化率的影响.结果表明：在450～500℃焙烧和用1.00mol/L的（NH4）2S2O8浸渍所得的S2O82-/TiO2对酯化反应具有良好的催化活性,反应的最佳醇酸摩尔比为1.2：1,催化剂用量为反应物料总量的1.0%,反应时间1.5h,反应温度110～120℃,酯化率可达95%.     

预合成对Li1/2Ln1/2TiO3(Ln=Sm,Nd)微波介电性能的影响

研究了在不同的预合成和烧结条件下,Li1/2Ln1/2TiO3(Ln=Sm,Nd)的微波介电性能．当Ln=Sm,预烧温度为1000℃,烧结温度在1200～12500℃,样品的微波介电性能好．典型值为εr=52,Qf=2280GHz;当Ln=Nd,烧结温度在1200～12500ε,预烧温度为1000ε或950℃的样品εr、Qf值较高,典型值为εr=80,Qf=2100GHz．