图的第二个最小特征值的界

设Ｇ是ｎ个顶点的简单图，λｎ－１（Ｇ）为Ｇ的第二个最小特征值。Ｇ的非孤立点形成的图记为Ｇ１，Ｖ（Ｇ１）＝ｓ，（３≤ｓ≤ｎ）。本文主要证明了：ａ．若Ｇ１不是完全偶图，则λｎ－１（Ｇ）≤λｓ－１（Ｋ２，ｓ－２＾－ｅ），等式成立＝Ｇ１≌Ｋ２，ｓ－２＾－＾ｅ。其中图Ｋ２，ｓ－２＾－＾ｅ为完全偶图Ｋ２，ｓ－２去掉一边ｅ而得到的图ｂ．若Ｇ１既不是完全偶图，又不是Ｋ２，ｓ－２＾－ｅ，则λｎ－１（Ｇ）＜－√２／２     

相同维数的非线性不可约特征标很少的有限群

证明了当ｋ≥２时,Ｇ为Ｄｋ群当且仅当Ｇ＝Ｈ｜×Ｇ′是以素数幂阶群Ｇ′为核的,以循环群Ｈ为补的Ｆｒｏｂｅｎｉｕｓ群,且Ｇ有含在Ｇ′中的一段主群列１＝ＱｓＱｓ－１Ｑ１＝Ｇ″Ｑ０＝Ｇ′,使Ｑｉ／Ｑｉ＋１＝Ｚ（Ｇ′／Ｑｉ＋１）,Ｑｉ／Ｑｉ＋１＝ｑｒ＝Ｇ′／Ｇ″,对每ｇ∈Ｑｉ－Ｑｉ＋１,｜ＣＧ′（ｇ）｜＝｜Ｇ′／Ｑｉ＋１｜＝ｑ（ｉ＋１）ｒ,ｉ＝０,１,,ｓ－１．且有ｋ｜Ｈ｜＋ｓ｜Ｈ｜＝ｓ（ｑｒ－１）．     

与σ—sylow塔群同阶型的群

Ｊ．Ｇ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎ在１９８７年提出了如下公开问题：Ｔｈｏｍｐｓｏｎ猜想设Ｇ＿１，Ｇ＿２是同阶型有限群，且Ｇ＿１可解，则Ｇ＿２可解．Ｔｈｏｍｐｓｏｎ猜想是一个相当困难的问题．本文初步研究了这个问题，得到如下：定理５设Ｇ＿１是σ－ｓｙｌｏｗ塔群，且Ｇ＿１与Ｇ＿２同阶型，则Ｇ＿２是σ－Ｓｙｌｏｗ塔群．推论６设Ｇ＿１是超可解群，且Ｇ＿１与Ｇ＿２同阶型．则Ｇ＿２是Ｓｙｌｏｗ塔群，因而Ｇ＿２是可解群．定理７设Ｇ＿１是幂零群，且Ｇ＿１与Ｇ＿２同阶型，则Ｇ＿２是幂零群．     

Expresion der Antigene CD44-v6 und E48 auf Tumorzellen der Plattenepithelkarzinome im Kopf-Hals-Bereich

ＦａｂｒｉｃｉｕｓＥ．Ｍ．１）ＧｕｓｃｈｍａｎｎＭ．２）ＬａｎｇｆｏｒｄＡ．１）ＨｅｌＢ．１）ＷｉｌｓｎｅｒＧ．Ｐ．３）ＬａｉＲ．４）ＶｏｇｅｌＭ．２）ＢｉｅｒＪ．１）（１）ＫｌｉｎｉｋｆüｒＭｕｎｄ－,Ｋｉｅｆｅｒ－ｕｎｄＧｅｓｉｃｈｔｓｃｈｉｒｕ...     

应变超晶格(InxGa1-xAs)n/(GaAs)n(001)的电子结构和光学性质

用半经验的紧束缚方法ｓｐ３ｓ＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构．给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系,以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系．在得到超晶格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该超晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料ＧａＡｓ和体合金ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ的光学性质作了比较．计算结果表明,应变超晶格在较宽的能量范围有较好的光谱响应．     

关于Grassmann流形G2（n＋2）上测地线的一些性质

本文首先针对一类Ｇｒａｓｓｍａｎｎ流形Ｇ２（ｎ＋２），给出它的一种几何实现Ｇ１（ｓｎ＋１），即单位球面Ｓｎ＋１Ｒｎ＋２上的全体大圆所构成的流形．证明了它们之间是等距微分同胚的．同时利用Ｙ．Ｃ．Ｗａｎｇ关于一般Ｇｒａｓｓｍａｎｎ流形上微分几何的研究结果，在Ｇ１（Ｓｎ＋１）上证明了测地线的一些更具体的性质．这些结果都具有非常直观的几何意义．     

元素的阶除一些素数外连续的有限群

有限群Ｇ称为ＯＣ_ｎｐ－群，如果元素阶的集合πｅ（Ｇ）＝｛１，２，…，ｎ，ｐ１，ｐ２，…，ｐｓ｝．其中ｎ＋１＜ｐ１＜ｐ２＜…＜ｐｓ．ｐｉ是素数（ｉ＝１，２，…，ｓ）．ｎ为自然数．证明了ＯＣｎｐ－群的完全分类定理定理设Ｇ是ＯＣｎｐ－群，ｓ≥１，则１≤ｎ≤５或ｎ＝８，且ｓ≤２．进一步：Ⅰ．如果１≤ｎ≤２，则Ｇ是质元群且可解．Ⅱ．如果：ｎ＝３，４，５，８，则Ｇ是单群且ｎ＝３时，ｎ＝４时，ｎ＝５时，ｎ＝８时，     

正则^＊—半群的覆盖

设Ｓ是一个正则＊－半群,Ｃ＊（Ｓ）是Ｓ的最小自共轭全子半群．在Ｓ上定义关系ρ：ａρｂｕ,ｖ∈Ｃ＊（Ｓ）ｓ．ｔ．ｕ＊ｕ＝ａａ＊,ｕｕ＊＝ｂｂ＊,ｖ＊ｖ＝ｂ＊ｂ,ｖｖ＊＝ａ＊ａ,ｂ＝ｕａｖ．用Ｇ表示Ｓ／ρ的置换群,Ｐ（Ｇ）表示Ｇ非空子集的集合．τ是Ｓ到Ｐ（Ｇ）的映射满足条件：（１）ｓ１,ｓ２∈Ｓ,（ｓ１τ）（ｓ２τ）（ｓ１ｓ２）τ;（２）ｓ∈Ｓ,｛ｇ－１∈Ｇ：ｇ∈ｓτ｝ｓ＊τ;（３）１τ－１＝Ｃ＊（Ｓ）．则Ｔ＝｛（ｓ,ｇ）∈Ｓ×Ｇ：ｇ∈ｓτ｝是Ｓ的一个Ｃ＊－酉覆盖．称正则＊－半群Ｓ的一个子集Ｈ是允许的,如果关于任意ａ,ｂ∈Ｈ,ｕ,ｖ∈Ｃ＊（Ｓ）,有ａ＊ｂ,ａｂ＊∈Ｃ＊（Ｓ）和ｕａ,ｂｖ∈Ｈ．用Ｃ（Ｓ）表示Ｓ的所有允许子集（注意到Ｃ（Ｓ）是逆半群）．设Ｓ是一个正则＊－半群,Ｇ是一个群．如果θ：ｇ→θｇ是Ｇ到Ｃ（Ｓ）的一个准同态满足∪ｇ∈Ｇθｇ＝Ｓ,则Ｔ＝｛（ｓ,ｇ）∈Ｓ×Ｇ：ｓ∈θｇ｝是Ｓ的一个Ｃ＊－酉覆盖且Ｔ／σＧ．反之,Ｓ的每一个Ｃ＊－酉覆盖都可以如此构造．     

MOCVD制备GaAs／AlGaAs多量子阱的光致发光特性

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多量子阱结构进行了光致发光特性的测量。结果观察到三个发光峰；位于１．６６４ｅＶ处的峰是自由激子发光；峰值处于１．４８ｌｅＶ的发光是ＧａＡｓ中施主Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子向受主Ｓｉ（Ａｓ）跃迁引起的；而在１．５２９ｅＶ处的弱发光峰是ＧａＡｓ阱层中Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。     

高斯随机变量序列的收敛性和抽象Wiener空间

研究Ｇａｕｓｓ随机变量序列的０－１律与相关的抽象Ｗｉｅｎｅｒ空间．主要结果如下：设｛Ｆｎ（ｗ）｝是概率空间（Ω，，Ｐ）上的Ｇａｕｓｓ随机变量序列．若对任何实数是高斯随机变量，则有收敛或１。     

蒙新区网蝽科昆虫国内新纪录种及分布（半翅目：异翅亚目：网蝽科）

记载了我国蒙新区网蝽科昆虫１５种，其中檬色平冠网蝽ＣａｔｏｐｌａｔｕｓｃｉｔｒｉｎｕｓＨｏｒｖａｔｈ，室贝脊网蝽ＧａｌｅａｌｕｓｃｅｌｌｕｌａｒｉｓＪａｋｏｖｌｃｖ和肿兜贝脊网蝽Ｇ．ｓｃｒｏｐｈｉｃｕｓＳａｕｎｄｅｒ３种为中国新纪录种，另有８种分别在新疆、甘肃、青海等地区的分布亦为首次记载，还有１属１种为内蒙古新纪录属种．     

In Vitro Konstruktion und Erfolgreiche Transplantation von Kryokonservierten Membran-Zel-Transplantaten(MZT) auf Vollhautwunden Athymischer Nacktmuse

Ｋｏｐｐ，Ｊ１，２）Ｊｉａｏ，Ｘ．Ｙ．１，３）Ｃｈｅｎ，Ｙ．Ｌ．１，２）Ｓｔａｒｋ，Ｇ．Ｂ．１，２，３）（１）ＡｂｔｅｉｌｕｎｇＰｌａｓｔｉｓｃｈｅｕｎｄＨａｎｄｃｈｉｒｕｒｇｉｅ，ＣｈｉｒｕｒｇｉｓｃｈｅＵｎｉｖｅｒｓｉｌｔｓｋｌｉｎｉｋ，Ｆｒｅｉ...     

一种腹柱虫(Gastrostyla sp.)棘毛的数目变异和生理改组的观察

关于腹毛目纤毛虫棘毛数目的变异已有许多报道,有的种类变异幅度较小,如游仆虫（Ｅｕ－ｐｌｏｔｅｓ）的尾棘毛在２～３根之间变化［１］．有些种类变异的范围和幅度较大,如Ａｍｐｈｉｓｉｅｌｌｉｄａｅｓｐ．［２］．施氏腹柱虫（Ｇ．ｓｔｅｉｎｉｉ）［３］和刺木盾纤虫（Ａｓｐｉｄｉｓｃａａｃｕｌｅａｔａ）［４］．产生这种变异的内在原因　图１　Ｇａｓｔｒｏｓｔｙｌａｓｐ．腹面形态　Ｆｉｇ．１　Ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ（Ｖｅｎｔｒａｌｖｉｅｗ）ｏｆＧａｓ－ｔｒｏｓｔｙｌａｓｐ．尚不清楚．在刺木盾纤虫上观察到,形态发生…     

模拟污水中氮,磷对水稻劝苗过氧化氢酶和乙醇酸氧化酶…

以水稻为材料，研究了不同深度的模拟污水中Ｎ、Ｐ对幼苗过氧化氢酶（Ｃａｔａｌａｓｅ，ＣＡＴ，ＥＣ１．１１．１．６）、乙醇酸氧化酶（Ｇｌｙｃｏｌａｔｅｏｘｉｄａｓｅ，ＧＯ，ＥＣ１．３．３．１）、过氧化和物酶（Ｐｅｒｏｘｉｄａｓｅ，ＰＯＤ，ＥＣ１．１１．１．７）和叶绿素含量的影响。结果表明：低浓度Ｎ、Ｐ浓度分别超过８．５６ｍｍｏｌ．Ｌ＾－１和０－０．２ｍｍｏｌ．Ｌ＾－１范围）可诱导ＣＡＴ活性增大，而后下     

n—Ga1—xAlxAs的电子喇曼散射,束缚声子和DX中心

观测到ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的束缚声子和电子喇曼散射．对ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ进行喇曼散射实验，揭示了在低温光照条件和组分超过某临界值的合金半导体存在着有效质量型的浅施主能级，引起束缚声子和电子喇曼散射．在较高温度，此能级电子减少到由ＤＸ中心表征的施主深能级．实验结果证实了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的ｎ型杂质具有深－浅双稳特性．根据晶格动力论，浅释了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ中施主的电荷态．     

应变超晶格（InxGa1—xAs）n／（GaAs）n（001）的电子结构和光？…

用半经验的紧束缚方法ｓｐ＾３ｓ＾＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构。给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系,以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系。在得到超昌格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料ＧａＡｓ和     

关于测井序列和地震道的反射系数序列的分形性质

应用分式Ｂｒｏｗｎ运动和分式Ｇａｕｓｓ噪声之样本函数的分形性质，分析了吉拉克地区，轮南第５７号测井序列，得到其速率序列及其扫射系数序列分别是维数为１．７６和１．１０的分形，它们的谱密度分别为ｆ＾０．５１和ｆ＾－０．０８。应用局部分式Ｂｒｏｗｎ运动和局部分式Ｇａｕｓｓ噪声的分形性质放改进的反褶积法，分析了吉拉克地区地震道信号，是到了各地震道ＣＤＰ之反射系数序列维数为（２－ＨＫ）的局部分式Ｇａｕｓｓ噪     

Die Prfabrikation von Bilaminr Epithelialiserten Lappen durch Gewbexpander und Keratinozyten-Fibrin-Kleber-Suspension

ＪｉａｏＸ．Ｙ．１，２）ＫｏｐｐＪ１）ＴａｎｃｚｏｓＥ１）ＸｉｎｇＸ２）ＳｔａｒｋＧ．Ｂ．１，２）（１）Ａｂｔ．ＰｌａｓｔｉｓｃｈｅｕｎｄＨａｎｄｃｈｉｒｕｒｇｉｅ，ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｓｋｌｉｎｉｋＦｒｅｉｂｕｒｇ，Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ；２）Ａｂｔ...     

GaAS-Ga_(1-x)Al_xAS双异质结激光器欧姆接触的研究

我们用正交表研究ＧａＡｓ的欧姆接触工艺．实验结果表明， ｐ－ＧａＡｓ用 Ａｕ—Ｃｒ 金、ｎ－ＧａＡｓ用 Ａｇ—Ｓｎ合金的欧姆接触工艺．比接触电阻率 Ｒｃ＜１０－４（欧姆）（厘 米）３应用于 ＧａＡｓ—Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ双异质结激光器．得到良好的效果。     

半绝缘GaAs中的双极扩散长度

分析了半绝缘（ Ｓ Ｉ） Ｇａ Ａｓ 表面光伏的特点和公式．用表面光伏方法测量了不同砷压热处理 Ｓ Ｉ Ｇａ Ａｓ 单晶的双极扩散长度,用 １．１ μｍ 红外吸收法测量 Ｅ Ｌ２ 浓度,并对测量结果作了分析和讨论．指出双极扩散长度 Ｌａ 是反映 Ｓ Ｉ Ｇａ Ａｓ 质量的一个重要电学参数．