差分式电流模式跳耦结构跨导-电容滤波器

应用模拟梯型ＬＣ原型电路法，提出了一种新颖的跳耦结构差分式连续时间电流模式跨导－电容低通滤波器；面向实际电路完成了ＭＯＳ管级的计算机仿真。仿真结果表明该电路方案正确有效，适于全集成     

CMOS-DRAM的性能和设计

本文对近期发展起来的ＣＭＯＳ－ＤＲＡＭ的设计方案和性能优点进行了全面的分析。做在Ｎ阱内的单元阵列在抗α软失效方面有很大的好处。利用ＣＭＯＳ的特点使外围电路静态化既可以简化电路，又能提高电路速度和可靠性。对Ｓ／Ｒ放大器，时钟电路和行译码器等关键电路进行了较详细的分析，显示出ＣＭＯＳ－ＤＲＡＭ比ＮＭＯＳ－ＤＲＡＭ的优越性。     

一种实用模糊控制器的研制

针对一个磁场中悬浮金属小球的控制问题，设计了有两输入一输出和九条规则的模糊控制器。控制器采用了一种新的模糊化和去模糊方法，它克服了通常的模糊化方法中由于把精确量分等级而带来的信息损失。模拟结果表明模糊控制与常规 Ｐ Ｉ Ｄ 方法相比，具有过渡时间短、超调量小和稳定性好的特点。用 Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ电流型电路进行了设计，并用改进型 Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ工艺流水，结果表明该电路较好地达到了设计要求。全部电路近 ３００ 个 Ｍ Ｏ Ｓ管，面积为 １１ ｍ ｍ ２， 功耗为１０７ ｍ Ｗ 。     

CCⅡ实现的全集成MOSFET－C连续时间滤波器

利用Ｃｚａｒｎｕｌ提出的ＭＯＳ电阻电路（ＭＲＣ）、Ⅱ型电流传送器（ＣＣⅡ）和电容Ｃ，构成了实现高阶连续时间滤波器的各种基本积木块──理想积分器、阻尼积分器及加权相加器等；其中由笔者首次给出基于ＣＣⅡ和ＭＲＣ的可集成阻尼积分器和加权相加器，并用所构成的基本块实现了一个基于ＣＣⅡ的通用二阶ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ连续时间滤波器．这种滤波器不仅与基于运放的ＭＯＳＦＥｔ－Ｃ连续时间滤波器一样可以单片集成化，而且比后者具有更优越的高频性能．     

CCⅡ实现的全集成MOSFET—C连续时间滤波器

利用Ｃｚａｒｎｕｌ提出的ＭＯＳ电阻电路，Ⅱ型电流传送器和电容Ｃ，构成了实现高阶连续时间滤波器的各种基本积木块－理想积分器、阻尼积分器及加权相加器等。其中由笔者首次给出了基于ＣＣⅡ和ＭＲＣ的可集成阻尼积分器和加权相加器，并用所构成的基本块实现的了基于ＣＣⅡ的通用二阶ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ连纽时间滤波器。     

功率MOSFET安全工作区的确定

本文研究了功率ＭＯＳＦＥＴ管的安全工作区的计算及绘制方法。在使用功率ＭＯＳＦＥＴ器件时，应根据应用具体条件（如散热器热阻、环境温度、工作电流和电压）重新确定功率ＭＯＳＦＥＴ器件的安全工作区，为正确使用该器件和设计电路参数提供依据。     

神经网络并行算法型CMOS模数转换器设计

基于神经网络和开关电容技术提出了一种行算法型ＣＭＯＳ模数转换器电路结构，文中详细分析了电路的工作原理，并采用通用电路模拟程序进行了仿真，结果表明转换功能正确，输入电压递增和递减均无错码，转换过程中不需要复位，该转换器充分发挥开关电容精确处理和神经网络并行处理的优点，因而精度高，速度快，而且所需元件少，工艺完全与常规ＣＭＯＳ兼容，是一种有巨大发展潜力的新型ＣＭＯＳ转换器。     

基于[CF+]的四阶电流模式低通滤波器分析

提出了以信号电流跟随器ＣＦ＋为基本电路元件,构成全集成ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ精确连续时间四阶电流模式平衡结构低通滤波器电路,应用ＰＳＰＩＣＥ（Ⅱ）通用模拟电路程序,对其幅频特性和相频特性进行了计算机仿真分析。结果表明：这种滤波器能够直接处理电流信号,避免了电压跟随误差对电路质因数和自然频率的影响,有效地消除了ＭＯＳＦＥＴ电阻偶次非线性因素的影响,得到了可靠的计算数据。     

新型CMOS数控振荡器

提出了一种新型ＣＭＯＳ数控振荡器的设计．该振荡器由一个结构简单的电流控制振荡器和一组可数控的电流源电路构成,电路结构简单,非常适合作为ＡＳＩＣ单元电路使用,既可单独作为数控振荡器使用,也可用作为数字锁相环中的一个部件．计算机电路模拟结果表明,新型ＣＭＯＳ数控振荡器具有较高的自激振荡频率、较宽的频率变化范围及较高的频率控制精度等特性,在计算机接口电路中有着良好的应用前景．     

VMOS场效应管在电火花加工脉冲电源中的应用研究

一种垂直导电型的场效应管—ＶＭＯＳ场效应管，应用在电火花脉冲电源上，改善了脉冲电源的性能，使电火花加工水平得以提高。本文列举了ＶＭＯＳ管电路的一些典型应用。     

用 MOS-DYL 电路实现逻辑推理神经元

介绍神经网络的电子学实现方法并分析了用ＭＯＳ－ＤＹＬ电路实现神经网络的优越性。提出了用ＭＯＳ－ＤＹＬ电路实现基本神经元模型的方法，并证明应用其有可能实现逻辑推理功能，最后用专用软件在微机上对上述电路结构进行了仿真，说明设计的可行性。     

X射线透视对MOS电容性能的影响

MOS电容在计算机电路中有着广泛的应用,受X射线辐射后的平带电压和阀电压的飘移,对计算机性能的稳定有着很大的影响.作者利用SOFRON-1505C型X光机,对3种MOS电容CD130,CE28,CG28受X射线后的平带电压和阀电压的飘移量进行测试和分析,从而分析X射线辐射对MOS电容的影响.     

CMOS集成电路中MOS管匹配特性分析

目的研究CMOS集成电路中MOS管匹配特性。方法通过分析MOS管在饱和区和线性区的工作方程,分别推导了引起MOS管电压、电流失配的因素,并分析对MOS管匹配特性的影响。结果系统地提出一些进行MOS管匹配设计的方法及应该采取的版图设计规则。结论可作为CMOS集成电路设计提供必要的理论依据。     

一种新型单电子-MOS晶体管混合的半加器电路

基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。通过比较单电子晶体管和MOS晶体管两者的混合与纯CMOS晶体管实现的半加器电路,元器件数目得到了减少,电路结构得到简化,且电路的静态功耗降低。SPICE验证了电路设计的正确性。     

基于MOS管PDE模型的RF电路瞬态包络仿真算法分析

提出了以谐波平衡技术为平台,基于RF电路中MOS晶体管PDE模型的混合域瞬态包络仿真算法,解决了将MOS晶体管的PDE模型与表征电路系统的ODE耦合在一起进行数值求解的问题,并以一个功放电路为例说明了这种仿真技术的有效性。     

高性能低功耗逻辑电路—MOS电流模逻辑

本文介绍了一种高速低功耗逻辑电路:MOS电流模逻辑电路(MCML),该电路以其独特的差分结构及恒流源偏置方式,在高频电路及数模混合电路中表现出了低电压低功耗及高抗噪的特性,可作为高频应用中新一代高性能低功耗集成电路芯片。     

功率集成光激MOS控制交流多路开关模拟设计

介绍了一种新型功率集成光激MOS控制多路开关，它由双向晶闸管，MOS器件，光电器件组成。此开关通过光电转换来实现强电与弱电之间的隔离，可工作在交流状态，其通态压降低，约在1．5－3V之间，并对其阻断特性，电流特性，开关特性进行了全面的模糊分析，此开关适用于开发各种电源开关产品。     

新型全集成连续时间低通滤波器

本文首先介绍用MOS场效应管、电容和运算放大器构成的新型GIC、模拟电感、FDNR、FDNC等有源元件电路,这些电路以著名的Riordan电路为基础,采用4个匹配的MOSFET结构达到传输特性的线性化。其次,对梯形RLC低通原型进行RLC-CRD变换,并运用嵌入法构成新型的全集成连续时间低通滤波器。     

量子效应对MOSFETs阈值电压和栅电容的影响

根据改进后的三角势阱场近似,并考虑量子化效应,提出了一种基于物理的阈值电压和栅电容的解析模型,给出了MOSFETs的阈值电压和栅电容的解析表达式,并与经典理论结果进行了比较。