高能有效真二次电子发射系数与逸出深度和入射角的关系

根据金属二次电子发射的主要物理过程和有效真二次电子发射系数的定义,从理论上论述了高能原电子斜射入金属发射体内的金属的有效真二次电子发射系数的表达式,然后又根据高能原电子斜轰击金属并激发产生二次电子发射的特点,推导出金属的有效真二次电子发射系数与金属逸出深度和高能原电子入射角度的关系式.对结果进行了讨论并得出结论:当高能原电子斜射入金属发射体内时,金属的有效真二次电子发射系数与高能原电子的入射角的余弦函数近似成反比,金属的有效真二次电子发射系数与金属逸出深度近似成正比.     

高二次电子发射系数材料砷化镓的理论设计

根据通常负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的能级特点,提出延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的理论设计,设计出了特殊的负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓.通过对两种负电子亲和势二次电子发射材料的二次电子发射系数的理论值进行比较和分析,得出:当原电子入射能量较低时,两种材料的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高时,两种材料的二次电子发射系数差值较大,而且随着原电子入射能量的升高,两种材料的二次电子发射系数差值也在增大.     

双枪脉冲法测量介质二次电子发射特性

本文介绍测量绝缘介质二次电子发射系数的双枪方法,并在动态系统中进行测量。应用该方法,测量了典型样品MgF_2薄膜的二次发射特性。对于影响测量结果的诸多因素进行了定量的实验研究,并对实验结果作了初步分析和讨论。实验误差不超过6％。     

Y_2O_3掺杂压制钡钨阴极的制备及发射性能研究

通过溶胶凝胶法制备氧化钇、活性盐和钨均匀混合的前驱粉末,结合氢气高温烧结制备得到稀土氧化物Y2O3掺杂压制钡钨新型阴极材料,并分别测试其热电子发射性能和二次电子发射性能。试验结果表明,采用溶胶凝胶法制备的阴极粉末颗粒分布均匀且细小,在高温烧结过程中有利于活性盐与基体钨之间反应充分,从而形成有利于提高发射的活性物质。发射性能测试结果显示:激活良好的阴极在测试温度1 050℃时的零场电流密度J0为4.18A/cm2;二次电子发射系数随Y2O3含量增加而增大,最大二次电子发射系数δm可以达到2.92。对阴极进行表面分析,激活过程中活性元素Ba、Y和O等从阴极内部向表面扩散,在表面形成均匀分布的发射活性层,促进了阴极的发射。     

电子轰击下MgO薄膜的二次电子效应的衰减机理

以MgO薄膜、MgO/Au复合薄膜作为二次电子发射材料的研究对象,利用持续电子束轰击薄膜的方式,研究了二次电子效应与时间的变化规律。通过测试样品时间的指数衰减,电导率和介电常数对衰减速率的影响,建立模型假设来研究二次电子发射的机理,提出了潜在电子的概念及平板电容模型;以此模型为基础进行分析推导,建立了二次电子发射过程理论模型,得出了诱导电流和二次电子发射系数实验值的表达式,与实际样品测试结果的趋势一致,二次电子发射材料性能的衰减速率与薄膜电导率正相关,验证了所提理论模型能很好地解释介质薄膜二次电子发射的衰减机理,有助于提高二次电子发射材料的衰减性能,为改进工艺和研发新型介质薄膜材料提供了一定的理论指导。     

二次电子发射对无碰撞等离子体鞘层的影响

建立了包括器壁发射二次电子的等离子体无碰撞鞘层的基本模型,讨论了一维稳态等离子体鞘层中二次电子发射对鞘层结构的影响．结果表明：器壁电势随着二次电子发射系数的增加而增加．在发射系数小于临界发射系数时,鞘层电势随发射系数增加而增加,鞘层是离子鞘;在发射系数大于临界系数时,电场出现反转,电势在鞘层空间出现一最小值,鞘层不再是离子鞘．并且就稳态等离子体推进器器壁材料不同,简要分析了二次电子发射给其鞘层带来的影响．     

利用探针法研究二次电子发射过程中介质材料的表面电位

为研究介质材料二次电子发射过程中表面电位的测量手段及相关规律,以拒斥场会影响二次电子出射为基础,提出了能够原位测量介质材料表面电位的探针法。首先,利用专业电磁仿真软件对探针法原理进行了研究,计算了探针附近电位分布和探针偏压对二次电子发射系数的影响曲线,此曲线拐点处对应的探针偏压即为样品的表面电位;其次,用铜样品进行了实验研究,验证了探针法测量样品表面电位的可行性;最后,将探针法应用于介质材料聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),对其表面电位进行了实验测量和研究。结果表明:栅网偏压和入射电子能量对PMMA表面电位有直接的影响,PMMA表面电位总是高于栅网偏压,两者呈线性关系;随着入射电子能量的增加,PMMA表面电位呈现先升高后下降的趋势。实验结果与理论分析相一致,验证了探针法测量介质材料表面电位的可行性。该方法操作简便、成本低廉,而且实现了原位在线测量,减小了实验中的不稳定性,对介质材料二次电子发射机理的研究有一定的参考价值。     

《YUP-2型双枪脉冲二次电子发射系数测量系统》通过技术鉴定

云南大学物理系研制设计的《YUP-2型双枪脉冲电子二次发射系数测量装置》于1990年5月29日通过技术鉴定.鉴定委员会认为,“该装置在国内达到了领先水平,填补了我国的空白。” 这套系统是测量金属、半导体、及介质薄膜的二次电子发射系数及二次发射特性曲线的大型通用型精密仪器.由于采用双电子枪——其一为测量枪,提供脉动的一次电流;另一为平衡枪,提供均匀的电子束流作为电荷补充,可以消除绝缘介质表面的充电效应,故,《YUP—2》主要用于难度大的介质材料二次发射系数的测量.采用无油超高真空机组     

较高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系

从理论上论述较高能原电子对金属射程的能量幂次n、入射能量与有效真二次电子发射系数的关系,然后用实验数据证明该理论的正确性,最后对结果进行讨论并得出结论:入射能量不同但属于同一个能区的较高能原电子轰击同一个金属发射体时,它们的有效真二次电子发射系数与原电子入射能量的n-1次方之积近似为一个常量.     

铝和覆盖有烟黑的铝表面对5—1000eV电子的反射

实验模拟了电子在电极间的反射状况，测量了初始能量为５—１０００ｅＶ的电子在铝表面和铝表面覆盖有苯烟黑、甲苯烟黑以及胶体石墨情况下的表观反射系数．实验表明烟黑样品在减小电子反射和二次电子发射作用上优于其它样品．这是由于烟黑样品的蜂窝状结构所致．本文还讨论了表观反射系数与真实反射系数和二次电子发射系数之间的关系     

计算高能原电子对金属射程的常数的新方法

介绍计算同一个能区高能原电子对金属平均射程的常数的方法,然后用实验数据分别算出了属于两个能区的高能原电子对金的平均射程的常数,并用实验数据算出了属于同一个能区的高能的原电子对铝的平均射程的常数,最后对结果进行了讨论并得出结论:计算高能原电子对金属射程的常数的新方法是可行的.     

计算较高能原电子对金属射程的能量幂次的新方法

论述了某一个能区入射电子对金属平均射程的能量幂次与入射能量、金属的有效真二次电子发射系数的关系,并简化推导了表达式.用实验数据分别算出了属于两个能区的较高能的原电子对金或铝的平均射程的能量幂次.最后对结果进行了讨论.结果显示计算较高能原电子对金属射程的能量幂次的新方法是可行的.     

用密闭小室测定建材VOC散发特性

建筑材料散发的有机挥发物(VOC)能影响室内空气品质,为研究建材VOC的散发情况,提出了一种测量建材VOC散发特性(初始VOC平均浓度、分离系数)和对流传质系数的方法.选取了几种常见建材(复合地板、大芯板、地板砖和地毯)的甲醛散发作为测试对象,在密闭不锈钢小室内测量建材的甲醛散发曲线,用穿孔萃取仪测量建材内甲醛的平均浓度,通过拟合测量结果可以得出建材的散发参数.测试方法和测量结果为建材的筛选和VOC散发性能评价提供了参考依据.     

重烧氧化镁粉的活性测定

新型无机骨粘粘剂磷酸镁水泥（MPC）的主要反应物－重烧MgO的活性与MPC的性能密切相关。本文用比表面积法、碘吸附法、物相分析法、动力学分析法对不同MgO的活性进行了表征,并考察了重烧MgO的活性对MPC材料凝结时间、30min抗压强度以及水化温升的影响。结果表明,比表面积法、碘吸附法、物相分析法不能用于重烧MgO粉活性的测定,而动力学分析用于表征重烧MgO粉的活性是可行和可靠的。     

Monte carlo simulation of the coaxial electrons backscattering from thin films

By using the Monte Carlo method, we simulated the trajectories of coaxial backscattering electrons corresponding to a new type of scanning electron microscope. From the calculated results, we obtain a universal expression, which describes with good accuracy the backscattering coefficient versus film thickness under all conditions used. By measuring the coaxial backscattering coefficient and using this universal formula, the thickness of thin films can be determined if the composition is known. Foundation item: Supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 993201015) Biography: Hu Da-ping (1957-), male, Ph. D. candidate, research direction: application of computer.