掺Er的In_(1-x)Ga_xP的光致发光性质

金属有机物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）用于制备掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层。低温（１０Ｋ）下,研究了温度与光致发光性质的关系作为合金成分的函数,其中合金成分为ｘ＝０—０．９８,发现所有掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层都在０．８０１ｅＶ处有一个强光致发光峰,与合金成分无关,在２９５Ｋ时观测到Ｉｎ０．５２Ｇａ０．４８Ｐ样品的Ｅｒ３＋离子的光致发光（ＰＬ）特征峰,发光强度明显降低。     

MOVPE生长1.55μm InGaAsP材料和InGaAsP／InP量子阱

报导了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ体材料和量子阱的生长，生长的与ＩｎＰ匹配的１．５５μｍ波长的ＩｎＧａＡｓＰ材料，在７７Ｋ时光光半峰宽达１８．７ｍｅＶ，ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱的半峰宽为１８．０ｍｅｖ。     

Eu1—xSrxFeO3—y的^57FeMossbauer谱

报导Ｅｕ１－ｘＳｒｘＦｅＯ３－ｙ（ｘ＝０．０－１．０）的固相反应法合成，测量子其Ｘ射线衍射及室温下的＾５７ＦｅＭｏｓｓｂａｕｅｒ谱。实验结果表明，Ｓｒ掺入了ＥｕＦｅＯ３晶格，结构变化与掺杂量密切相关。     

稀土—铁Laves相化合物的结构与磁致伸缩

采用光学显微、Ｘ射线衍射、热磁分析和电阻应变仪技术研究了Ｒ（Ｆｅ１－ｘＧａｘ）１．８５合金的结构与磁致伸缩．这些合金的基体具有立方Ｌａｖｅｓ相结构．加入少量的Ｇａ使赝二元Ｌａｖｅｓ相化合物的均匀范围移向化学计量成分．增加Ｇａ的含量，晶格常数线性增大，而居里温度和室温磁致伸缩λｓ迅速降低．低磁场下（Ｈ＜４ｋＯｅ），ｘ＝０．０２的合金的磁致伸缩具有最大值     

Zn1—xCdxSe／ZnSe应变层超晶格光学特性

分析了用分子束外延法生长在ＧａＡｓ（１００）衬底上的Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ应变层超晶格光学特性，对光致发光谱的温度地详细的研究，光致发光谱的峰位和线形温度效应的结果与理论分析相一致，从光致发光谱的发光强度得出了该样品的激活能     

关于偶图中过给定独立边集的圈

本文的主要结果是：Ｇ＝（Ａ，Ｂ；Ｅ）是一偶图，｜Ａ｜＝｜Ｂ｜＝ｎ≥２，（ｘ，ｙ）∈Ｅ，有ｄ（ｘ）＋ｄ（ｙ）≥ｎ＋１，且ｘ１∈Ａ，ｙ０，ｙ１∈Ｂ，（ｘ０≠ｘ１，ｙ０≠ｙ１），｛ｘ０，ｙ０），（ｘ１，ｙ１）｝∩Ｅ＝φ，有ｄ（ｘ０）＋ｄ（ｘ１）＋ｄ（ｙ０）＋ｄ（ｙ１）≥（８ｎ＋５）／３，则对Ｇ的任意独立边集Ｍ，Ｇ有含Ｍ的圈．     

Na｜β－Al＿2O＿3｜Na＿xHg＿（1－x）（液态）电池电动势的测量和计算

应用Ｎａ｜β－Ａｌ＿２Ｏ＿３｜Ｈｇ固体电解质电池，制备了６８个钠汞齐Ｎａ＿ｘＨｇ＿（１－ｘ）（ｘ：０．０３５～０．８８４６）组分．从Ｎａ／Ｎａ＿ｘＨｇ＿（１－ｘ）电池电动势的测量，测定了Ｎａ＿ｘＨｇ＿（１－ｘ）的熔点和在熔化过程电池反应中的熵变和焓变．实验得出Ｎａ／Ｎａ＿ｘＨｇ＿（１－ｘ）（液态）电池电动势Ｅ和汞齐中的钠摩尔分数ｘ存在Ｅ＝α（－ｌｇｘ）￣ｂ的关系式．线性方程式ｌｇＥ＝ｌｇα＋ｂｌｇ（－ｌｇｘ）中的ｌｇα和ｂ在各个组分ｘ（０．０６５～０．１６，０．１６～０．３３３，０．３３３～０．７１５）和温度范围内分别是温度的线性函数．相应于ｘ≥０．７１５时的ｌｇα和ｂ值（１００≤ｔ≤３５０℃）为ｌｇα＝－０．１７８８－１．０１０×１０￣（－３）ｔ＋１．１０９×１０￣（－６）ｔ￣２，ｂ＝１．７８３－１．７１３×１０￣（－３）ｔ＋１．４７５×１０￣（－６）ｔ￣２     

用化学浸蚀形成光致发光多孔硅的研究

在ＨＦ－ＨＮＯ３水溶液中化学浸蚀单晶硅，得到了具有可见光致发光的多孔硅层（ＰＳＬ）。金相显微镜和扫描电镜（ＳＥＭ）观察表明，化学浸蚀后的表面呈绒面状，说明浸蚀具有各向异性。浸蚀过程中出现显色循环，当显色处于临界时间时，样品光致发光最强，与阳极氧化样品相比，化学浸蚀形成多孔硅的光致发光强度要弱近一个数量级，其峰值能量为１．９４－２．０４ｅＶ，半峰宽（ＦＷＨＭ）为０．３５－０．４１ｅＶ。还对比讨论了阳     

天然水中铜(Ⅱ)、铅(Ⅱ)和镉(Ⅱ)与碘络合吸附波的示波极谱测定的研究

在醋酸－醋酸钠缓冲溶液中，铜（Ⅱ）、铅（Ⅱ）和镉（Ⅱ）与碘（Ⅰ）都可生成稳定络合物，并且能在滴汞电极表面被吸附，产生灵敏的络合吸附波，示波极谱的峰电位（ＶＳＳＣＥ）依次为－０．５３Ｖ．－０．６６Ｖ和－０．８２Ｖ。本法测定上述三种物质的灵敏度均可达到１０－８ｍｏｌ／Ｌ数量级，具峰电流值与铜（Ⅱ）．铅（Ⅱ）和镉的浓度的线性范围依次为６．４ｘ１０－９－３．３ｘ１０－８ｍｏｌ／Ｌ．０－４．１ｘ１０－８ｍｏｌ／Ｌ和０－５ｘ１０－８ｍｏｌ／Ｌ。采用此底液不但灵敏度高，吸附波形好，能同时测定多种物质，而且１２小时内峰电流不发生明显的改变，此法便于在水质监测中应用。本文还对铜（Ⅱ）、铅（Ⅱ）和镉（Ⅱ）与碘（Ⅰ）络合吸附波的性质进行了讨论     

锗（Ⅳ）－3，4－二羟基苯甲酸－VOSO_4－EDTA体系极谱吸附催化波的研究

在ｐＨ３．０的０．１ｍｏｌ／Ｌ氯乙酸盐缓冲溶液中，Ｇｅ（Ⅳ）－３，４－二羟基苯甲酸－ＶＯＳＯ４－ＥＤＴＡ体系产生一灵敏的吸附平行催化波，峰电位在－０．７０Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）二次导数波高与锗浓度在１．４×１０－１０～４．３×１０－７ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系，检测限为８×１０－１１ｍｏｌ／Ｌ．详细研究了电极反应机理，用拟定的方法测定了矿泉水中的痕量锗，结果满意．     

Dy^3＋在Ca1—xSrxS：Eu^2＋,Er^3＋中的光致发光特性

研究加入Ｄｙ＾３＋离子后的Ｃａ１－ｘＳｒｘＳ：Ｅｕ＾２＋，Ｅｒ＾３＋的荧光激光发谱、发射光谱及余辉时间。结果表明，Ｃａ１－ｘＳｒｘＳ：Ｅｕ＾２＋，Ｄｙ＾３＋，Ｅｒ＾３＋是一种发光效率高、余辉时间长的红色发光材料。     

分布函数间一种新的散布序

设Ｆ是一分布函数，对α∈（０，１），记Ｘ_Ｆ~＋（α）＝ｓｕｐ｛ｘ；Ｆ（ｘ）＜α｝，Ｘ_Ｆ~－（α）＝ｉｎｆ｛ｘ；Ｆ（ｘ）＞α｝，ＸＦ（α）＝（Ｘ_Ｆ~＋（α）＋Ｘ_Ｆ~－（α））／２．本文给出了分布函数Ｆ和Ｇ之间的一种散布序，记作；对α，β∈（０，１），α＜β，ＸＦ（β）－ＸＦ（α）＋ＸＦ（１－α）－ＸＦ（１－β）≤ＸＧ（β）－ＸＧ（α）＋ＸＧ（１－α）－ＸＧ（１－β），得到了这种序关系的若干性质，并与Ｌｅｗｉｓ　Ｔ和Ｔｈｏｍｐｓｏｎ　Ｍ（１９８２）给出的散布序作了比较，我们的序关系弱于Ｌｅｗｉｓ　Ｔ和Ｔｈｏｍｐｓｏｎ　Ｍ给出的散布序关系．     

Te溶液生长半磁半导体Cd1—xMnxTe时界面稳定性的讨论

用Ｍｕｌｌｉｎｓ和Ｓｅｋｅｒｋａ的线性动力学理论定性探讨了Ｔｅ溶液生长半磁半导体Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ时固－液界面的稳定性，并在自行设计的旋转式液相外延装置中，用Ｃｄｔｅ作籽晶，利用失稳小平面的长厚，富Ｔｅ溶液生长了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ晶膜，其面积为０．５ｃｍ＾２，厚度￣０．４ｍｍ，分析了界面能各向异性的影响及晶膜表面形貌呈波纹状的原因，最后探讨了获得稳定液相外延的条件。     

二阶双时滞RDDE无条件稳定的代数判据

本文给出了二阶双时滞ＲＤＤＥｘ（ｔ）＋ａ１ｘ（ｔ）＋ａ２ｘ（ｔ）＋ｂ１ｘ（ｔ－ｌ１）＋ｂ２ｘ（ｔ－ｌ１）＋ｃ１ｘ（ｔ－ｌ２）＋ｃ２ｘ（ｔ－ｌ２）＝０无条件稳定的完整的代数判据，改正了（３）的结论，并举例说明。     

AlGaAs／GaAs超晶格价带的自旋劈裂

对由ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ，ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ和ＧａＡｓ三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究。通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自旋向上和自旋向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方。     

具有振动系数的一阶中立型方程非振动解的渐近性

研究了具有振动系数的一阶中立型方程：ｄ／ｄｔ（ｘ（ｔ）＋Ｒ（ｔ）ｘ（ｔ－ｒ）－Ｐ（ｔ）ｘ（ｔ－ｒ）－Ｑ（ｔ）ｘ（ｔ－δ）＝０非振动的渐近性，其中Ｒ（ｔ）振动，Ｐ，Ｑ∈Ｃ（ｔ０，∞），Ｒ＾＋），ｒ∈（０，∞），τ，δ∈Ｒ＾＋。     

LP—MOVPE生长InGaAs应变超晶格

本文探讨了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法在ＧａＡｓ和ＩｎＰ衬底上生长２１个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和２０个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ两种应变超晶格的条件，并用Ｘ射线衍射分析了这两种应变超晶格，分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。     

InAsPSb／InAs四元系异质结液相外延

利用液相外延技术，考察了与ＩｎＡｓ衬底晶格匹配的ＩｎＡｓＰＳｂ四元系化合物生长条件对外延层晶体质量的影响。     

氨酰心安的极谱行为研究

本文用单扫描示波极谱法建立了测定氨酰心安的新方法．在０．３ｍｏｌ／Ｌ的Ｎａ２ＨＰＯ４－ＮａＯＨ缓冲溶液中（ｐＨ为１１．７），氨酰心安出现—还原峰，ＥｐＣ为—１．５４Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ），ｉｐｃ在１．０×１０－６～１．０×１０－４ｍｏｌ／Ｌ范围内与氨酰心安的浓度成正比．采用线性扫描和循环伏安法研究其电化学行为，该体系为准可逆吸附波．     

妊高征血浆内皮素,降钙素基因相关肽变化

分正常妊娠组和妊高征组,用ＲＩＡ法测定患者血浆ＥＴ－１、ＣＧＲＰ含量,同时常规测定血浆ＢＵＮ、Ｃｒ,结果表明妊高征组患者血浆ＥＴ－１、ＢＵＮ、Ｃｒ水平均明显高于正常妊娠组,同时ＣＧＲＰ明显低于正常妊娠组;且随着病情加重ＥＴ－１水平逐渐升高。血浆ＥＴ－１、ＣＧＲＰ含量间存在显著负相关性。说明ＥＴ－１水平增高、ＣＧＲＰ水平下降是引起妊高征病理生理变化的重要因素。