纳米碳管阴极的场致发射显示研究

以热化学气相沉积法制备的多壁纳米碳管为场发射材料 ,采用一种简易的喷涂法将其制备为场发射阴极 .首先 ,将纯化后的纳米碳管与乙醇和丙酮溶液 (体积比为 9∶1 )进行混合 ;然后用喷枪将经过超声处理的悬浊液喷涂在具有ITO薄膜的玻璃基底上 ,制备了 30mm× 2 0mm大小的纳米碳管阴极 ,并进行了场致发射特性实验 ,制作了场发射显示板 .该二极结构的场发射开启场强为 3 2V/ μm ,发射电流密度可达 3A/m2 .此显示板具有稳定的发射电流和很高的亮度 ,可望应用于大屏幕显示     

NiCu多层膜的电子结构及其磁性

用自旋极化的ＬＭＴＯ超元胞方法计算了ＮｉＣｕ多层膜的电子结构，通过对ＮｉＣｕ多层膜的每一层的态密度的分析，表明Ｎｉ的磁性随层数变化而明显变化。     

射频溅射中氩气压强对Ge/Si多层膜的影响

用射频磁控溅射制备了一系列Ｇｅ／Ｓｉ多层膜,采用Ｘ射线小角衍射测量了不同溅射压强下制备的样品,计算出了多层膜的周期．通过计算机模拟实验曲线确定出了Ｇｅ和Ｓｉ的分层厚度,计算出了不同压强下的溅射速率．实验和计算机模拟都表明了在衬底温度为５９０℃、溅射功率为１５０Ｗ的溅射条件下１．５～２．５Ｐａ氩气压强时制备出的样品周期性、均匀性和平整性都比其它压强下制备的样品好．     

巨磁电阻自旋阀多层膜的结构和磁性

用磁控溅射镀膜方法，制成了巨磁电阻自旋阀多层膜Ｔａ／ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ／Ｔａ。它具有优良的特性。其室温磁电阻比率ＭＲ〉２％，自由层矫元力Ｈｃｌ〈１６０Ａ／ｍ，自由层零磁场漂Ｈｆ〈８００Ａ／ｍ和钉 扎层交换场Ｈｅｘ≈２０×１０＾３Ａ／Ｍ。     

纳米相铁磁多层膜特性分析

用高真空多靶离子束溅射沉积技术制备Fe/Al2O3/Fe隧道结样品，观测和分析了“三明治”结构的双Hc磁滞特性。通过样品的V－I特性研究了隧道结两层电极之间电子输运的自旋偏振隧穿效应以及结电阻与零场结偏压的关系。     

场致发射显示驱动时序优化设计

为了优化场致发射显示驱动时序、提高图像显示质量,分析了不同驱动时序对场致发射显示可能出现的运动伪像和大面积闪烁的影响.在分析运动伪像和大面积闪烁视觉感知机理的基础上,利用计算机程序仿真人眼的平滑跟随运动和对光信号的积分过程,估计并比较了不同驱动时序下的运动伪像;通过对光信号随时间变化函数的傅立叶分析计算得到不同驱动时序时的临界闪烁频率.进而提出了一种称作子段的驱动方法,这种驱动方法避免了运动模糊和动态伪轮廓的出现,而且通过提高帧频可以消除大面积闪烁.并分别在分辨率为96×72和96×3×72的场致发射显示屏上实现了该驱动时序.     

铁电多层膜中的退极化场

从最基本的电介质方程出发,给出了铁电双层膜、铁电三明治结构、铁电超晶格中退极化场的表示形式,并详细研究了退极化效应对反铁电耦合的铁电双层膜的极化以及电滞回线的影响.     

一种基于纳米碳管的常开型后栅极场致发射显示板

提出了一种常开型后栅极场致发射显示板及其工作原理．该显示板直接利用阳极使阴极产生场致电子发射,而通过埋在阴极之下的栅极上施加低于阴极电压的电压来阻止阴极产生场致电子发射,从而来调制显示所需图像．文中采用有限元法对该场致发射器件的电场强度分布进行了模拟计算,并研究了该器件中阴极的发射特性．计算结果表明在该场致发射显示板中,阴极发射均匀性好,发射面积大,从理论上证明了该常开型后栅极场致发射显示板工作原理的可行性．     

场致发射三极管的结构模拟

以场致发射原理为基础，对场致发射三极管器件结构进行有限差分的模拟计算．在保持其它参数不变的条件下，改变尖锥曲率半径、栅孔半径，分析对电场强度、发射电流密度及电子轨迹的影响．针对电子注的发散问题，讨论双聚焦情况．     

场致发射显示屏技术的研究

介绍了场致发射显示技术的工作原理及特点,分析了微尖型场致发射阴极、膜状型场致发射阴极的场致电子发射特性,对场致发射显示屏（FELLS）的结构做了研究,并讨论了影响场致发射显示屏性能的主要因素及改进的措施．     

不同驱动方式下后栅极场发射显示板的工作特性

针对后栅极FED提出一种新型驱动方式,场发射电子由阳极电压产生,而在栅极施加负电压抑制场发射电子的产生.采用模拟计算的方法比较了相同结构参数的后栅极FED在传统和新型驱动方式下的工作电压以及阴极场发射和阳极束斑情况.计算结果显示新型驱动方式提高了阳极工作电压,改善了阴极场发射电子分布和阳极束斑,有利于提高发光效率、增加器件寿命.并研究了在2种驱动方式下阴极宽度和介质厚度在公差范围内变化对阴极发射特性和阳极束斑的影响.结果显示在新型驱动方式下,器件的阴极宽度和介质厚度对阴极发射特性和阳极束斑的影响均较小,因此常开型后栅极结构FED对工艺制作的一致性要求较低,从而降低了成本.     

平板探测器X射线数字成像质量

以提高图像质量为目的,对平板探测器数字成像系统进行全面分析,探讨其成像质量的影响因素,认为几何结构和噪声是影响成像质量的主要因素,并建立相应的数学模型.以此为基础,采用约束最小二乘方滤波器对降质后的图像进行滤波复原.仿真结果表明,所建立的数学模型是有效的,复原后图像的质量一定程度上得到了改善.     

平板显示器中定标器的时序约束条件

在分析平板显示器中的定标器系统结构的基础上,提出了三个时序约束条件：定标器输出的显示帧速率必须和输入的帧速率一致;异步FIFO不能上溢和下溢;Line Buffer不上溢和下溢,并推导了相应的公式．当满足这三个约束条件时,定标器中的FIFO和行缓冲区不会上溢或下溢,显示帧与输入帧同步,解决了定标器的时序问题．用硬件描述语言对定标器芯片进行了仿真,结果显示,每一行的数据输入结束时间早于数据读出结束时间,同时这两者的时差小于输入数据时间,输入行数与输出行数始终相差5行左右,小于行缓冲区的行数,很好地验证了提出的理论．     

Field electron emission of diamond films on nanocrystalline diamond coating by CVD method

Generally, nucleation and growth of diamond were difficult on substrates without being pretreated when diamond films were prepared with the chemical vapor deposition (CVD) method. To improve nucleation, two methods were adopted; one is mechanically treating sur-faces of substrates with superhard particles, the other is introducing substrate bias to the substrates. However, these two processes were difficult to bring about industri-alization owing to their complicated procedures and the diffic…     

胶体石墨涂层的平面场发射特性研究

研究了胶体石墨涂层的场发射特性。测得其相应于10μA/cm²场发射电流密度的开启场强为5.4V/μm,相应于1mA/cm²场发射电流密度的阈值场强为8.8V/μm。扫描电子显微镜观察表明场发射应该来自细小石墨碎片的尖锐边缘。通过计算估计出这些尖锐边缘处的场强比阴阳极之间的平均场强增加了大约4×10²倍。     

荫罩式等离子体显示板重置期放电

采用7英寸(17.8 cm)小屏实验平台研究荫罩式PDP重置期的放电及其对寻址放电的影响,分析了重置期的斜率和电压变化对寻址的形成性延迟和统计性延迟的影响.研究结果表明,重置期的放电为多个弱放电脉冲组成,弱放电脉冲的个数和强度与重置期的电压和斜率相关.负向斜坡阶段的电压和斜率会直接影响寻址期的放电,而正向斜坡阶段的电压和斜率对寻址放电的影响较小,主要通过壁电压影响负向阶段的放电情况而间接影响寻址期放电.重置期波形的参数设置和实验屏的着火电压以及电压动态范围密切相关,这也就意味着和实验屏的工艺参数、气体成分等密切相关,对于不同参数的屏,需根据具体情况调试重置期波形.     

显示方式对产品感性意象评价的影响实验分析

针对新产品开发中对产品外观设计的感性意象评价,探讨了立体显示方式和平面显示方式对产品感性意象评价的影响。用立体显示方式和平面显示方式展示设计的数字产品模型,参试者对其进行感性意象评分,对评分量表进行了信效度检验,然后对两种显示方式下的评分一致性进行分析。统计结果表明:两种显示方式对产品外观总体的感性意象评分一致性的影响无显著性差别,但对于产品的情感特性评价指标,评价者在立体显示方式下更容易达成一致。     

碳纳米管/纤维阴极场发射平板显示器研制

探索了从碳纳米管/纳米纤维（CNT/CNF）的制备到CNT/CNF阴极场发射平面显示器(c-FED)封装的工艺流程.用化学气相沉积方法,优化制备条件获得了纯度较高的CNT/CNF;以 CNT/CNF和低压荧光粉为原料,采用丝网印刷工艺制作显示器的阴极和阳极;采用类真空荧光显示器的封装工艺封装了c-FED样管.所研制的c-FED具有优良的场发射性能,较好的均匀性及发光密度,黄色荧光粉的c-FED在电场为 2.7 V/μm时的亮度可达600 cd/m².因该显示器使用普通玻璃作为阴阳极基板,整个工艺流程在大面积和实用化方面有很好的应用潜力. 