染料LB膜及其非线性光学效应的研究

合成了五种具有二嗜性、能形成单分子膜,又具有大的二阶非线性极化率β的有机染料——半花菁和苯腙衍生物。将它们制备成均一或混合的单分子层和多层LB膜。用相对法测定了它们的β值,证实了半花菁和部分苯腙衍生物具有高达3.711×10~(-49)c~3·m~3·J~(-2)的β值。用X射线小角衍射、紫外-可见吸收光谱、荧光光谱及二次光学谐波信号,对LB膜进行了表征,给出了膜中分子取向和排列情况,证实膜中分子存在J聚体形式。     

半花菁LB多层膜的光学非线性性质研究

利用紫外-可见吸收谱和旋转光学二次谐波产生方法研究了光学活性分子半花菁和光学非活性分子花生酸交替Y型多层LB膜中活性分子由于拉膜和“基板”增强的分子取向。我们首次发现并说明了由于平面内附加的极化导致二次谐波强度随LB层数大于平方增长关系。     

L－B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性

利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件．通过对它的结构和电容－电压（Ｃ－Ｕ）特性曲线的研究，发现Ｌ－Ｂ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用Ｃ－Ｕ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质量，利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数．     

4-溴查耳酮的二阶非线性光学性质研究

计算了4－溴查耳酮（PBC）的二阶非线性光学系数β，测量了其二次谐波产生（SHG）效率和截止吸收波长λcut-off并了PBC的微观和观非线性效应之间的关系，结果表明，PBC有很强的SHG效应和较短的截止吸收波长，Br取代基和晶体中分子的趋向在影响材料的非线性和透光性方面起着重要作用。     

芪盐与二十酸混合制得的LB膜二阶光学非线性的研究

把芪盐与二十酸混合，制备单层ＬＢ膜，测量ＬＢ膜的二次谐波，得到了比纯芪盐ＬＢ膜更大的二次谐波信号。二次谐波信号随ＬＢ膜上芪盐含量的增加而增加，在芪盐含量为０．５－０．７范围二次谐波信号达到最大值，之后，随芪盐在ＬＢ膜上含量的增加而降低。作者认为，芪盐与二十酸混合制得的ＬＢ膜，二次谐波增强是由于量子尺寸效应对光学非线性的贡献，并认为芪盐与二十酸有一最佳混合比，约在芪盐含量为０．５－０．７处，量子尺寸效应对二次谐波的贡献最大。     

L—B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性

利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件，通过对它的结构和电容－电压特性曲线的研究，发现ＬＢ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用ＣＵ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质量，利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数。     

LB膜技术和非线性光学效应

带强极性集团的高分子染料 A 与极性较弱的高分子材料 B 构成的 ABAB…交替型 LB膜(?)是一种热力学稳定性较高的非中心对称材料。小角 x 光衍射及光学二次谐波(SHG)方法发现,Cadmium arachidate 分子的分子膜的加入,构成 ABAB…CC…ABAB…CC…型多层 LB 膜,是一种稳定性较好的非中心对称膜。     

有机超薄膜中分子的光致重新取向及可逆性

用旋转样品二次谐波法研究了在皮秒红外偏振脉冲激光照射下，氐盐ＬＢ单层膜中分子的重新取向。发现，重新取向效应在光照时间较长时将达到饱和，并且具有一定程度的可逆性。     

L—J流体化学势的分子模拟计算

用３ 种检测粒子法（Ｗｉｄｏｍ ,Ｋｕｍａｒ,ｆｇ ｓａｍｐｌｉｎｇ） 对Ｌ－Ｊ流体临界温度以上的数十个状态点的化学势进行了模拟计算。结果表明,这几种方法与由Ｌ－ Ｊ流体状态方程得出的值吻合很好,但其中Ｋｕｍａｒ 法的结果在有些状态点与其它方法相差较大。另外,即使在ρ＊ ≥１．０ 这样高的密度下,采用适当的技术处理后这几种方法都是可行的。     

固定化假单胞菌产L—多巴

选择海藻酸钙和聚乙烯醇凝胶为固定化载体包埋假单胸菌,以提高该菌以Ｌ－酷氨酸为底物生产Ｌ－多巴的效率。     

非线性光学的发展简史

本文简要地介绍了非线性光学,特别是非经典非线性光学的发展史。它表明,人们对光的本性的认识正在不断地深化。     

L—B算子的推广及其在电磁场边值问题中的应用

用推广的Ｌ－Ｂ算子建立外微分形式新的边值问题，并给出其解的唯一性定理。将结果用于静态电磁场，可得到有唯一解的相应边值问题新的一般表达形式。     

半抛物量子阱中二阶非线性光学性质的研究

本文对外加电场作用下GaAs/AlGaAs半抛物量子阱非线性光整流和二次谐波极化率进行了研究.首先,本文运用密度矩阵和迭代的方法获得外加电场作用半抛物量子阱系统光整流和二次谐波极化率的表达式.同时,采用有限差分法求得多外加电场作用下该系统的能级和波函数,避免了精确求解过程中的多重不恰当近似.结果表明:1)有限差分法计算结果相当精确;2)外加电场和受限势频率与系统能级、受限势形状、以及光整流和二次谐波极化率有着密切的关系,同时,可以通过外加电场和受限势频率实现对该系统光整流和二次谐波极化率的有效调控.将为基于子带跃迁的光电子器件的制备提供理论基础.