Ga_(1-x)Al_xAs半导体的T0声子形变势引起共振喇曼散射

研究了Ga_(1-x)、Al_xAs 半导体的TO_1和TO_2声子的共振喇曼散射。利用半导体带隙随温度变化,使它与固定激光线调谐,曲此完成共振散射实验。按准静态近似计算共振散射曲线,并从微观散射机制讨论共振曲线最大值偏移,较好地解释实验结果。从实验中求出x=0.71和x=0.61 两种样品的直接带隙E_0 分别为2.44 eV和2.31 eV。     

GaAs_(1-x)N_x混晶的喇曼散射研究

室温下采用背散射几何配置,在近共振条件下测量GaAs1-xNx混晶的喇曼散射谱.由于N原子的引入,导致类GaAs的LO1、TO1声子和类GaN的LO2声子线宽变大,禁戒的TO1声子变为喇曼活性;随着N组分的增加,TO1声子强度增大、LO1声子有红移的趋势、LO2声子有蓝移的趋势,根据它们随N组分x移动的速度推断出样品不存在应变效应.另外还讨论了布里渊区边界声子LA(L)与LO(L)、二级喇曼散射谱声子LO2、LO1 LA1(L)以及2LO1随N组分x增大的变化趋势.     

GaAs1-xNx混晶的喇曼散射研究

室温下采用背散射几何配置，在近共振条件下测量GaAs1-xNx混晶的喇曼散射谱．由于N原子的引入，导致类GaAs的LO1、TO1声子和类GaN的LO2声子线宽变大．禁戒的TO1声子变为喇曼活性；随着N组分的增加,TO1声子强度增大、LO1声子有红移的趋势、LO2声子有蓝移的趋势．根据它们随N组分x移动的速度推断出样品不存在应变效应．另外还讨论了布里渊区边界声子LA(L)与LO(L)、二级喇曼散射谱声子LO2、LO1 LA1(L)以及2LO1随N组分x增大的变化趋势．     

用喇曼光谱研究半导体带隙和合金组分

阐述了从喇曼光谱测量三元化合物半导体的双模频移和双模强度比率来确定含金组分。提出了由共振喇曼散射研究半导体的能带结构。实验观测了半导体 GaP在间接带隙(Γ_8?—Χ_(3c))附近的2TA和2TO双声子共振特性。实验表明共振喇曼散射可以测定半导体的直接带隙和间接带隙。     

混晶GaAs1—xPx：N中N等电子杂质诱发的共振喇曼散射

研究了混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）中的共振喇曼散射，在背散射配置的（１００）晶向观察到“禁戒”的ＴＯ声子散射模，这一实验现象解释为在共振激发Ｎｘ杂质带的条件下，由于晶体对称性的喇曼选择定则失效，ＴＯ模成为喇曼活性，根据热猝灭规律，还给出区分共振喇曼散射和热荧光的一个实用判据。     

混晶GaAs_（1－x）P_x：N中N等电子杂质诱发的共振喇曼散射

研究了混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）中的共振喇曼散射，在背散射配置的（１００）晶向观察到“禁戒”的ＴＯ声子散射模．这一实验现象解释为在共振激发Ｎ＿ｘ杂质带的条件下，由于晶体对称性的喇曼选择定则失效，ＴＯ模成为喇曼活性．根据热猝灭规律，还给出区分共振喇曼散射和热荧光的一个实用判据．     

纤锌矿氮化物三元混晶中的光学声子

在长波近似条件下,采用修正的无轨离子位移模型研究纤锌矿氮化物三元混晶中的光学声子模。并对纤锌矿三元混晶体AlxGa1-xN中的光学声子进行计算,结果表明光学声子的频率、振子强度、介电常数随组份x出现明显的线性变化,但当组分增加到一定程度又呈现明显的非线性变化。计算结果与紫外共振喇曼散射观测到A1(LO),A1(TO)一阶声子散射峰符合的较好。     

Hg系高Tc超导体(Hg0.8M0.2)Sr2(Y1-xCax)Cu2O6+δ的喇曼和红外光声光谱研究

对Hg系高Tc超导体(Mg0.8Mo0.2)Sr2(Yl-xCaxCu2O6+δ的晶格振动进行了群论分析,给出了该晶体在г点晶格振动的对称性分类.利用红外光声光谱结合喇曼散射研究了该系列样品的声子振动性质.实验结果表明,在喇曼光谱中主要出现145,320,440,578,592Cm-1几个特征振动峰.在中红外吸收光谱(光声光谱)中出现645cm-1特征振动峰.而145,320,440,578,645特征峰强度随掺杂量增加而减弱,其中645峰还向高波数发生位移.本文着重对这些振动模进行了指认,并对其随不同掺杂量的变化特征进行了讨论.     

声表面波声子晶体中的能带结构及带隙类型

声表面波声子晶体对于实现声表面波的精确操控有着非常重要的应用价值.针对两大类最为主要的声表面波声子晶体的结构类型,即:"凹陷"孔洞阵列型和"凸起"柱体阵列型,采用三维有限元方法,数值计算并获得了基于压电铌酸锂基底的声表面波声子晶体的能带结构,同时验证了声子晶体中所具有的声表面波带隙,并进一步分析了这两大类声表面波声子晶体中的各种本征模式所呈现的特征.结果表明,在这两大类声表面波声子晶体中,均可以存在由于带边布拉格散射导致的声表面波的部分(方向)带隙甚至全(方向)带隙;在"凸起"型声表面波声子晶体中,更是存在由于"凸起"结构中的局域共振而导致的局域共振带隙.局域共振带隙的频率可以远小于布拉格带隙所具有的频率,同时,其频率范围仅由局域共振体本身的几何形貌及声学参数决定,而与声子晶体整体的晶格常数或对称性无关.     

用激光喇曼光谱分析研究半导体中杂质

用杂质振动喇曼散射和电子喇曼散射研究半导体中杂质,结果表明:杂质喇曼散射可以作为强有力的技术检测半导体的杂质和估计掺杂浓度,使用这种非破坏性的检测方法具有很好的空间分辨力(几个μm~2),而且共振杂质喇曼散射有极高的检测灵敏度,可达10~(-9)的数量级。     

溶于亚硫酰氯中的硫

激光喇曼光谱表明,稳定态的硫在亚硫酰氯中仍以D_(4d)构型的八员环分子存在。其较强的喇曼散射带为153,218,451和479cm~(-1)。在-7℃—+13℃的温度区,硫在亚硫酰氯中的溶解度为0.72g—2.75g/100g SOCl_2。溶解焓变为24.1kJ/mol。     

吖啶橙染料吸附于银镜表面的共振喇曼散射

利用银镜体系研究了吖啶橙染料分子的共振喇曼散射及其特点,实验结果表明:稳定而增强的共振喇曼散射强度不仅与电磁效应有关,还与吸附分子内电子结构有关。吸附分子与金属表面间的能量转移对共振喇曼信号起稳定作用。     

柱形量子点的一阶声子喇曼散射

从理论上讨论了柱形量子点体系受限类体模,顶表面模和侧表面模参与的一阶声子斯托克斯喇曼散射。给出了有关的选择定则,分析了喇曼散射强度与量子点尺寸以及入射光偏振方向的关系。其中电子结构基于有效质量近似,电子-声子相互作用则考虑Froehlich作用,讨论结果直接给出电子和声子的有关信息。     

n—Ga1—xAlxAs的电子喇曼散射,束缚声子和DX中心

观测到ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的束缚声子和电子喇曼散射．对ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ进行喇曼散射实验，揭示了在低温光照条件和组分超过某临界值的合金半导体存在着有效质量型的浅施主能级，引起束缚声子和电子喇曼散射．在较高温度，此能级电子减少到由ＤＸ中心表征的施主深能级．实验结果证实了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的ｎ型杂质具有深－浅双稳特性．根据晶格动力论，浅释了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ中施主的电荷态．     

受激喇曼散射

本文以受激喇曼散射问题为中心,对非线性光学、受激喇曼散射、元激发的受激喇曼散射及喇曼散射的应用(包括喇曼激光器,喇曼光谱分析,产生近10~(-14)秒的超短脉冲以及在研究分子动力学方面的应用)等作了初步介绍。     

Li_2NH_4(IO_3)_3单晶的喇曼光谱研究

本文报道了水溶液法生长的Li_2NH_4(IO_3)_3单晶体在室温下的喇曼光谱,在728cm~(-1)处喇曼散射效率很高,说明此种材料有可能用来制作喇曼频移器。3123cm~(-1)处的谱线对应于NH~(+4)基团的伸缩振动。     

N型合金半导体的低温电子喇曼散射

研究了ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＞０．４５）的电子喇曼散射．根据晶格动力论,讨论了Ⅲ－Ⅴ合金半导体的ＤＸ中心的物理起因．结果表明在ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＞０．２２）中存在施主双稳态特性．在低温下,光感应的施主亚稳态是平常的类氢能级,此浅施主态引起了间接带隙ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＞０．４５）的电子喇曼散射和束缚声子以及直接带隙ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＜０．４５）的低温持续光电导．当温度升高时,该类氢能级的电子退回到稳定的ＤＸ中心的深能态．     

声子晶体在空腔板件振动控制中的应用研究

建立了局域共振声子晶体板状结构,在266.1~528.8 Hz频率范围内获得了最大幅值为35 dB的减振特性。对不同布置形式的声子晶体板进行了仿真和试验分析,二者结论基本一致。构建了局域共振声子晶体结构空腔,并结合有限元方法对空腔结构进行模态分析、带隙机理和共振带隙特性分析。得出声子晶体单元的不同布置位置和形式对声子晶体结构空腔的振动固有频率的影响。     

一种双局域共振型压电声子晶体梁的带隙与振动衰减特性

通过在环氧树脂梁上周期性黏贴压电层,并连接含有两个分支的谐振分流电路,构建了含压电分流电路的声子晶体梁结构。使用传递矩阵法(TM)计算压电声子晶体梁的带隙特性,发现这种压电声子晶体梁结构可产生两个局域共振带隙,并且这两个局域共振带隙都可以通过改变电路参数来调节位置和带宽等,这就可以很方便的对两个频段的弹性波的传播进行控制。采用有限元仿真分析计算压电声子晶体梁的振动传输特性,仿真结果验证了理论分析的正确性。研究结果为压电智能型声子晶体的波传播控制提供了一种新的手段。     

Hg系高Tc超导体（Hg0.8M0.2）Sr2（Y1—xCax）Cu2O6＋δ的喇 …

对Ｈｇ系高Ｔｃ超导体（Ｍｇ０．８Ｍｏ０．２）Ｓｒ２（Ｙ１－ｘＣａｘＣｕ２Ｏ６＋δ）的晶格振动进行了化分析,给出了该晶体在Γ点晶格振动的对称性分类。利用红外光声光谱结合喇曼散射研究了该系列样品的声子振动性质。实验结果表明,在喇曼光谱中主要出现１４５,３２０,４４０,５７,５９２ｃｍ＾－１几个特征振动峰。在中红外吸收光谱（光声光谱）中出现６４５ｃｍ＾－１特征振动峰,而１４５,３２０,４４０,５７８,６