Mn掺杂CuCrO2纳米粉体的室温铁磁性

利用固相反应与球磨相结合的方法,制备了(Cu_1-xMn_x)CrO₂ (0≤x≤6 at%) 和 Cu(Cr_1-yMn_y)O₂ (0≤y≤6 at%)两个系列的纳米粉体.结果表明,所有样品都具有3R-CuCrO₂铜铁矿单相结构.晶格膨胀说明Mn离子已分别固溶到(Cu_1-xMn_x)CrO₂的Cu亚晶格中和Cu(Cr_1-yMn_y)O₂的Cr亚晶格中,这在X射线光电子能谱的分析中得到了进一步的证实.B位Mn掺杂样品具有室温铁磁性,磁性源于Cr³⁺-Mn³⁺离子对间以空穴为媒介的双交换相互作用.CuMO₂(M=Cr,Mn)铜铁矿纳米粉体的饱和磁化强度比文献值高出约一个数量级,并随着Mn含量的增大而逐渐减小,主要受到3个因素的共同影响:M-M离子对数目、M-M离子间距及空穴浓度.     

Fe掺杂ZnO的室温铁磁性

利用溶胶凝胶法制备了Zn1-xFexO粉末.X射线衍射表明,所有样品都具有纤维锌矿结构,没有发现其他的衍射峰.紫外可见光吸收谱发现,随着掺杂量的增加样品的吸收边发生红移,能隙减小,表明Fe离子进入ZnO的晶格,替代了Zn离子.光致发光谱发现,在467,482nm出现了蓝光和近绿光.磁性测量表明,所有的样品都具有室温铁磁性,而且随着掺杂量的增加样品的饱和磁化强度增加.     

V掺杂ZnO薄膜的室温铁磁性

采用磁控溅射法在Si基底上制备了Zn1-xVxO系列薄膜样品,X射线衍射表明所有样品都具有纤锌矿结构,没有发现其他的衍射峰存在.研究发现,c轴晶格常数随着掺杂浓度的增加而增大.原子力显微镜测量表明样品中的颗粒分布均匀,没有发现团聚物.磁性测量表明,直接沉积的样品具有顺磁性,而经真空退火的所有样品都具有明显的室温铁磁性,且随着掺杂浓度的增加,样品的饱和磁化强度增加.     

不同浓度Co离子掺杂TiO_2纳米颗粒的室温铁磁性研究

通过溶胶凝胶法在空气氛围中550℃退火温度条件下制备了3.5mol%,4.5mol%,5.5mol%Co离子掺杂TiO_2纳米颗粒.XRD、TEM、VSM测试分别表明,随Co离子浓度的升高,样品晶面对应衍射角向高角度方向偏移,衍射峰增强,晶粒尺度增加.4.5mol%和5.5mol%Co离子掺杂对晶粒分散性有影响,晶粒易团簇.所制备的样品中3.5mol%掺杂的样品在室温下表现出铁磁性,在外加磁场为10000Oe时,样品的饱和磁化强度为0.001emu/g,而4.5mol%和5.5mol%掺杂样品在室温下表现为顺磁性.     

Nb掺杂锐钛矿TiO2室温铁磁性的载流子调控

在LaAlO3(100)基片上,利用激光脉冲沉积(PLD)制备了不同Nb掺杂浓度的高质量锐钛矿TiO2(Ti1-xNbxO2)薄膜,考察了不同掺杂浓度(不同载流子浓度)对薄膜磁学性质的影响。结果表明所有掺杂的薄膜都具有室温铁磁性,且在低掺杂区(x<1%),薄膜的磁性随掺杂浓度的增大而增大,当进入高掺杂区(1%相似文献   

Mn掺杂AlN半导体的半金属铁磁性质

使用基于局域自旋密度泛函理论的第一性原理方法对Mn掺杂闪锌矿AlN半导体的电磁性质进行了研究.结果发现:Al0.96875Mn0.03125N合金显示出明显的半金属铁磁性,晶胞的总磁矩为4.0μB,主要来自于磁性金属Mn原子,其近邻N原子也有微弱贡献.这一研究对在半导体工业中实现自旋载流子的注入具有一定的理论价值.     

铈掺杂ATO（Ce-ATO）纳米粉体的制备及表征

采用自蔓延燃烧法制备出Ce掺杂的ATO (Ce-ATO)纳米粉体.利用XRD、SEM对粉体的结构及粒径进行了表征.研究了Ce掺杂量、滴定终点pH值、煅烧温度与煅烧时间对粉体晶型结构与粉体粒度及性能的影响,发现当Ce掺杂量为4%,滴定终点pH为7,在600℃下煅烧2h得到的粉体性能最好.此条件下制备的Ce-ATO粉体晶粒尺寸分布为18~22nm,且Ce-ATO粉体的电阻率为9.72?cm     

Mn掺杂A1N半导体的半金属铁磁性质

使用基于局域自旋密度泛函理论的第一性原理方法对Mn掺杂闪锌矿A1N半导体的电磁性质进行了研究。结果发现：Al0.96875Mn0.03125N合金显示出明显的半金属铁磁性,晶胞的总磁矩为4．0μB,主要来自于磁性金属Mn原子,其近邻N原子也有微弱贡献。这一研究对在半导体工业中实现自旋载流子的注入具有一定的理论价值。     

Sm-Gd掺杂CeO_2基纳米粉体的制备

采用均相沉淀法,以CO(NH2)2和(CH2)6N4为沉淀剂,Ce(NO3)3.6H2O,Sm2O3,Gd2O3为起始原料,经过700℃焙烧4.5h,分别制备了Sm,Gd掺杂及Sm和Gd共掺杂的CeO2基纳米粉体.利用X射线衍射、扫描电子显微镜和BET等方法,对焙烧粉体的物相、形貌、晶粒尺寸及比表面积进行分析表征.结果表明,通过控制反应条件可对粉体的形貌和粒径进行有效控制;当混合金属离子总浓度为0.04mol/L,起始沉淀剂浓度为0.5mol/L,pH值为6.8时所得前驱体粉末经过焙烧,其产物为具有立方萤石型晶体结构及良好相纯度和结晶性、粒度分布为21～28nm的球形纳米粉体.该方法不失为低温...     

溶胶-凝胶法制备Co,Ni单掺杂TiO_2纳米颗粒及其室温铁磁性

利用溶胶-凝胶法制备了Co,Ni单掺杂的TiO_2稀磁半导体纳米颗粒,并对其微观结构、表面形貌以及磁学性能进行研究.对于3%Co,Ni掺杂TiO_2样品,X线衍射和高分辨透射电镜均没发现其他相物质的生成;对于6%Co,Ni掺杂样品,X线衍射分别探测到CoTiO_3和NiTiO_3相的生成.通过磁学测量表明,在相同的外磁场下,随着Co,Ni掺杂浓度的增加样品的磁化强度显著增强,但6%Co,Ni掺杂导致样品中有填隙离子和顺磁性物质生成,使得纳米颗粒的剩余磁化强度和矫顽力降低.     

Mn（Ⅲ）／Mn（Ⅱ）体系电极的研制

研制出一种适合Mn(Ⅲ）／Mn(Ⅱ）体系的铅三元合金电极，其中w(铅）＝98．5％，w（银）＝0．5％，w(锑）＝1．0％，电解收率达73％，并与铂等电极进行了比较。     

Mn（Ⅲ）／Mn（Ⅱ）体系电极过程的研究

研究了用于间接有机电合成的Mn(Ⅲ)/Mn(Ⅱ)体系的电化学热力学和动力学。证实Mn(Ⅲ)离子在浓H_2SO_4溶液中将形成络合离子,以MnSO_4~ 形式存在。提出了Mn(Ⅲ)/Mn(Ⅱ)在浓H_2SO_4溶液中电解氧化还原时与前人不同的电极反应历程,即在阳极氧化过程中存在着前置化学转化步骤。阐明在不同过电位条件下,电子转移步骤、扩散传质步骤和前置化学转化步骤均可分别成为电极过程的控制步骤。     

Co掺杂CaO材料的铁磁性研究

利用固态反应法制备了具有铁磁性的Co掺杂CaO纳米粉末材料,并对材料的结构和磁学性质进行了研究.X射线衍射和高分辨率透射电镜测试结果表明,材料为单相的CaO立方结构,Co掺杂导致了晶格常数的减小,表明Co离子通过替位Ca离子融入了CaO晶格.磁性分析表明,该Co掺杂CaO纳米粉末表现出了明显的铁磁特性,临界温度高于70K.通过分析认为,材料的铁磁性是由浅施主缺陷O空位与Co离子耦合形成束缚磁极化子引起的.     

纯相TiO_2稀磁半导体纳米颗粒的室温铁磁性研究

采用溶胶凝胶法制备了450和550℃退火温度下的TiO_2纳米颗粒,通过X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)和X-射线光电子谱(XPS)对样品进行了表征.结果表明,TiO_2样品均为锐钛矿相结构,形貌均匀整洁,铁磁性在室温下存在磁滞现象,550℃退火后样品的磁化强度增强,并且Ti 2p和O 1s结合能升高.分析表明,TiO_2样品中少量的Ti确3d轨道有电子占据,3d轨道中的电子使得Ti离子向低价态转变,低价态的Ti离子3d轨道中的电子之间发生转移相互作用导致样品中产生了铁磁性.     

氢掺杂的Fe原子结电导特性研究（英文）

根据第一性原理结合非平衡态格林函数理论,研究了氢环境中铁原子结1G0电导的起源.当2个氢原子对称地吸附在铁原子结两边并垂直于传输方向时,铁原子结的电导是1G0.发现自旋向上的电子对电导的贡献要大于自旋向下的电子,这可以从零偏压时的透射谱来理解.     

钒掺杂TiO_2纳米粉体光催化降解甲基橙研究

采用溶胶-凝胶法制备掺杂V的纳米TiO2光催化剂,研究了V不同掺杂量及热处理温度对紫外光照下TiO2光催化降解甲基橙性能的影响.结果表明,经V掺杂改性的TiO2增加了晶相的转变温度,吸收光谱发生红移,光催化活性有明显提高,在本试验范围内V的最佳掺杂摩尔分数为0.1%,最佳烧结温度为400℃.     

氧化剂用量对燃烧合成掺杂CeO2纳米粉体的影响

柠檬酸作络合剂和燃料,硝酸盐作氧化剂,利用柠檬酸硝酸盐低温燃烧法合成了具有单一组成的Ce0.8Y0.2O1.9超细粉体.研究了不同氧化剂用量对凝胶的燃烧特性及粉体性能的影响.用TG-DTA,XRD,FTIR,TEM,Raman等分析方法对凝胶的分解和合成粉体的性能进行了表征.结果表明,通过调节氧化剂的用量,可以控制粉体的粒度及产物中碳酸盐的含量.TEM研究表明,改变氧化剂的加入量可以获得颗粒尺寸约为40 nm、粒度分布均匀的粉体.Raman光谱研究表明,随氧化剂用量的增加,氧空位的浓度增大.     

室温液相合成Cu（OH）2纳米线及其结构

提出了一种室温下于水相溶液中大规模合成Cu（OH）2纳米线的新方法．用X-射线粉末衍射（XRD）、透射电镜（TEM）和高分辨透射电镜（HRTEM）研究了所合成的Cu（OH）2纳米线的成分、形貌和结晶性．结果表明Cu（OH）2纳米线的尺寸分布均匀,平均直径约为9nm,长度达数百微米．HRTEM研究表明Cu（OH）2纳米线是含有多晶成分的晶体．根据Cu（OH）2的结构特征和溶液中Cu^2＋与配位体之间的相互作用,对Cu（OH）2纳米线的形成机制给出合理的解释．     

｛[Mn（μ—maleate）（phen）（H2O）2].2H2O｝n的合成及 …

报道了一个新型一维的多核锰的配合物｛「Ｍｎ（μ－ｍａｌｅａｔｅ）（ｐｈｅｎ）（Ｈ２Ｏ）２」．２Ｈ２Ｏ｝ｎ（Ⅱ）（Ｐｈｅｎ邻菲罗啉,μ－ｍａｌｅａｔｅ为马来酸根桥）的合成、元素分析、晶体结构、红外光谱和热重分析。（Ⅱ）是通过马来酸锰与邻菲罗啉在乙醇的水溶液中制得的。其晶体属于三斜晶系,空间群为Ｐ－１,ａ＝０．８１１９（１）、ｂ＝０．８１５７（１）、ｃ＝１．３６３２（１）ｎｍ、α＝９９．０８（１）、     

Mn掺杂的TiO2粉体的结构和磁性

采用溶胶-凝胶法制备了过渡金属Mn掺杂的TiO2基稀磁半导体粉末.XRD结果表明,所有样品均为锐铁矿结构,不存在任何杂相,且随掺杂浓度的增大,品格常数单调减小,表明Mn替代Ti进入晶格形成稀磁半导体结构.采用VSM检测样品磁性,x=0.06,0.08的样品显示为室温顺磁性,x=0.12的样品在刚加外磁场时,饱和磁化强度随磁场强度的变化类似铁磁材料的情形,但与铁磁材料不同的是随着H的增加,M并没有趋于饱和,而是像顺磁材料那样M随H的增加而线性增加.