连续激光辐照半导体材料的温度场

根据连续激光加热靶材的实际情况,建立了连续激光辐照半导体材料的一维物理模型。采用数值计算方法——有限差分隐格式法,利用matlab软件数值模拟了连续激光辐照半导体材料的温升过程,分析了激光参数和辐照时间对半导体材料温升的影响。结果表明：靶材温升区域主要集中在激光辐照区,靶材的温升随着激光功率密度和辐照时间的增加而升高．     

超高纯晶体能在真空条件下生成

当电子迅速通过半导体时,半导体纯度的重要性仅次于电子运动速度。因此,在材料中的杂质越少,电子的移动速度就越快。这一法则已由一个研究小组用于砷化镓的研究中(砷化镓是激光唱机中所用的一种半导体材料)。如将生长的砷化镓晶体     

大功率CO2激光器合成钨酸铝热敏电阻材料

利用大功率ＣＯ２激光烧结新工艺制备钨酸铝温度系数热敏电阻材料，发现材料在一定温度范围内阻温特性呈线性关系，研究激光烧结工艺条件对材料特性的影响，ＸＲＤ及ＸＰＳ的现了具有类钙钛矿结构钨青铜导电阻ＡｌｘＷＯ３，是它使材料具有半导体并有ＮＴＣ效应。     

准分子激光直接刻蚀InP半导体材料

利用准分子激光的光解剥离即APD(Ablative Photodecomposition)效应,可直接对某些材料实施刻蚀加工,因而在半导体微细加工领域中具有重要意义。适合于准分子激光直接APD刻蚀加工的材料,目前见请报导的仅限于高分子聚合物,和以聚合物或玻璃为基底的金属薄膜。 InP材料是光电集成器件的重要材料,对其微加工技术的研究,目前各国都予以足     

光致变色有机化合物研究 Ⅲ.吲哚啉螺苯并吡喃及其衍生物

有机光色材料基于其可重复使用的特点,若能与半导体激光信号束相匹配,可望成为新一代的光信息存储材料,欧美和日本等国都在积极研究这类光盘材料.     

半导体材料微体缺陷激光扫描分析技术

半导体材料内部的一致性是实现微器件功能的重要保证。为实现半导体材料微体缺陷的无损、高效、和准确检测 ,在研究广义 L orenz- Mie理论的基础上 ,通过将散射光分布分析引入到检测当中 ,提出了对近红外激光散射信号探测和缺陷大小特征的判据 ,来检测半导体材料缺陷的方法。介绍了检测的基本原理和理论模型 ,以及基于这一构想的全自动检测系统的实现方法 ,并提出了微缺陷检测的判据。对一组 Ga As样品进行了实验研究 ,证明了该方法的可行性     

基于纳飞秒双脉冲激光的蓝宝石蚀除研究

蓝宝石作为一种典型的宽带隙半导体材料具有良好的理化特性,在机械电子、航空航天、微电子等领域具有广阔的应用前景.本文提出采用纳飞秒双束激光进行蓝宝石加工的方法,利用飞秒脉冲峰值功率高的特性,通过多光子电离与碰撞电离,激发蓝宝石表面自由电子从而提高了蓝宝石对纳秒激光的吸收率,同时利用纳秒激光能量相对较大,技术成熟的优势,实现对蓝宝石材料的高质高效加工.为了揭示纳飞秒双束激光与蓝宝石材料的能量耦合机制,采用Fokker-Plank方程、Drude模型、双温模型对飞秒激光诱发的自由电子的演化过程及自由电子与入射激光之间的相互作用进行研究,并通过有限元仿真模拟了纳飞秒双激光与蓝宝石材料相互作用的能量耦合过程与蚀除过程,分析了纳飞秒双脉冲激光作用下,不同脉冲延时下等离子浓度的时空演化规律及其对入射激光吸收系数及反射率等表面光学特性的影响规律,揭示了纳飞秒双激光高效高质加工蓝宝石材料的机理.该研究对实现蓝宝石等宽带隙半导体等脆硬材料的高质高效加工具有重要意义.     

脉冲激光烧蚀沉积纳米Si膜动力学研究现状

Si基纳米材料在半导体光电集成领域有着十分诱人的前景,脉冲激光烧蚀技术是目前材料界和分析界最有前景的技术之一.介绍了脉冲激光烧蚀沉积Si基纳米材料的基本原理,从实验和理论方面对其动力学研究现状进行了综述.     

半导体激光列阵关键技术及军事应用

从制备半导体激光列阵入手,讨论了其关键工艺技术,详细分析每一步关键工艺技术中影响半导体激光列阵性能的因素。并介绍了半导体激光列阵的军事应用。     

强激光辐照下硅材料的温度分布研究

激光辐照光电系统极易造成光电探测器件的干扰或破坏。为此研究了连续强激光对半导体材料的辐照效应,应用积分变换的方法,建立了平顶型的连续激光辐照硅材料的二维非稳态温度分布模型。研究发现：圆形平顶激光辐照硅材料靶,激光作用区域内的温度由光斑中心向四周逐渐降低,在作用区域边缘处温度变化比较明显;不同辐照时间下对应的靶材前表面温度的整体分布情况是大致相同的;在一定的激光功率密度和辐照时间条件下,材料靶表面的温升和靶材半径负相关。     

冉冉升起的半导体照明"新星"--厦门三安电子有限公司

厦门三安电子有限公司成立于2000年11月，地处美丽的厦门岛东部，占地面积50000平方米，是目前国内规模最大的全色系超高亮度发光二极管(LED)外延片、芯片产业化基地，同时在空间应用半导体材料、半导体激光器和主动通讯元器件等领域进行研发与产业化生产。     

09年慕尼黑上海激光、光电展开幕

作为激光业界的风向标,3月17日上午,慕尼黑上海激光、光电展联手慕尼黑上海电子展,中国国际电子电路展览会以及国际半导体设备与材料展览会同时在上海新国际博览中心揭幕,再现中国规模最大的行业博览盛会。这一新型合作模式必将有益于慕尼黑上海激光、光电展地决速增长。     

闪锌矿结构GaN,AlN和合金Ga1—xAlxN光学性质计算

闪锌矿结构ＧａＮ、ＡｌＮ和合金Ｇａ１－ｘＡｌｘＮ光学性质计算何国敏王仁智郑永梅（厦门大学物理学系厦门３６１００５）随着人们对发光二极管和半导体激光器等光电器件的深入研究,工作于蓝紫波段的半导体材料受到普遍的重视．宽带隙半导体ＧａＮ和ＡｌＮ正是目前蓝紫...     

脉冲激光沉积制备NiO薄膜的研究进展

NiO作为一种优良的半导体材料,在传感器、催化剂、电致变色器件等领域都有着广泛的应用,纳米NiO又是很有前途的锂离子电池电极材料。脉冲激光沉积作为一种制备高质量NiO薄膜的可行方法。本文综述了脉冲激光沉积制备NiO薄膜的研究进展,包括多晶NiO薄膜和外延NiO薄膜。     

近年来半导体激光的进展

本文综述了近年来半导体激光研究方面的重要进展，着重分析比较了半导体激光的振荡条件，横模特性、输出功率及效率，温度特性，介绍了各种短波段半导体激光。     

09年慕尼黑上海激光、光电展开幕

作为激光业界的风向标,3月17日上午,慕尼黑上海激光、光电展联手慕尼黑上海电子展,中国国际电子电路展览会以及国际半导体设备与材料展览会同时在上海新国际博览中心揭幕,再现中国规模最大的行业博览盛会。这一新型合作模式必将有益于慕尼黑上海激     

王立军院士: 大功率半导体激光在智能装备制造领域的应用

一、半导体激光在智能装备制造领域的应用 (一)在传统激光制造领域 半导体激光在车辆制造、船舶制造、航空航天、电子电气、钢铁冶金、能源这些方面发挥了重大的作用.它的显著优点是电光转换效率高.半导体激光的光源加工设备具有高效、节能、运行成本低的优点.在欧美发达国家,50%-70%的汽车零部件由激光加工完成,年产每万辆汽车至少需要30台激光加工设备,可以节省原材料.     

光电子晶体与全固态激光器及其应用 --光电子技术发展的一个重大方向

光电子时代是微电子技术、激光技术、材料科学等高速发展、综合集成的产物。20世纪90年代光电子晶体的长足进步和大功率半导体激光技术的突破，导致全固态激光器的实用化，这将促使光电子技术在21世纪前50年对更多的国家支柱产业作出重大贡献，如先进制造业的材料加工、信息业的光存储、娱乐业的激光显示、能源业的激光核聚变电站和核裂变燃料生产、军工业的激光武器升级换代等。     

405nm蓝光高密度光存储实验研究

采用波长为405nm的蓝光半导体激光器和数值孔径为0．65的聚焦物镜,对不同激光功率下CD-RW相变材料的存储特性进行研究．结果表明,在本系统中,CD-RW相变材料记录阈值约为7．5mW,最佳记录功率为9．0mW,最终得到了约500nm的记录线宽．     

背景气压对纳秒脉冲激光烧蚀半导体Ge的影响

为了深入理解在纳秒激光烧蚀半导体材料过程中背景气压对烧蚀过程以及羽流膨胀动力学特性的影响,本文利用一维激光烧蚀和流体动力学耦合模型,对不同He气压下的纳秒脉冲激光烧蚀半导体Ge的过程进行了模拟计算.结果表明：在氦气环境下,背景气压的变化对辐照在靶面的激光能量影响较小,因此靶面蒸发率、靶面温度和靶面烧蚀深度对气压变化的敏感程度较低;同时,背景气压的增大抑制了羽流膨胀,使羽流膨胀速度减小.计算结果和分析对于优化纳秒激光烧蚀半导体时背景环境气压具有理论指导意义.