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采用溶胶-凝胶旋涂法在表面氧化的Si (100)基片上制备了La1-xCaxMnO3 (x=0,0.1,0.15) 薄膜.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)及振动样品磁强计(VSM)对样品的结构、形貌和磁性进行了研究.结果表明:薄膜为正交钙钛矿结构,具有平整的表面,La0.85Ca0.15MnO3样品的薄膜厚度为334 nm.样品在居里温度附近发生铁磁-顺磁转变,随着Ca2+掺杂浓度的增加,样品的居里温度变大,x=0.15时,样品的居里温度为299 K. 相似文献
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采用溶胶-凝胶工艺制备了磁性Co掺杂TiO2基稀磁半导体的纳米颗粒,在空气氛围中以不同温度对样品进行退火处理.通过差热/热重综合热分析仪(TG-DTA)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱(Raman)、透射电镜(TEM)分析了纳米颗粒的结构和相变温度.使用振动样品磁场计(VSM)测试样品磁性能.研究发现:退火温度较低时样品为锐钛矿结构,在823 K时出现少量金红石相,当退火温度为873 K时,样品基本转变成金红石结构,同时析出少量CoTiO3.退火温度同时对样品的磁性有较大影响.随着退火温度的升高,样品室温下的M-H曲线由顺磁形式向铁磁形式转变.退火温度为873 K时,我们得到了具有室温铁磁性的Ti0.975Co0.025O2纳米颗粒. 相似文献
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张向牧 《哈尔滨师范大学自然科学学报》2001,(4)
用两格点分子场理论分析了合金 Er2 Fe17- x Six( x=0 ,1 ,2 )的饱和磁化强度随温度的变化关系 ,得到了分子场系数 n EE、n EF、n FF,计算了居里温度 ,给出了分子场强度 HEr( T)、HFe( T)随温度变化的曲线 .结果表明 ,当 x增加时 ,分子场系数 n FF明显增大 ,分子场强度 HFe( T)亦随之增大 ,而 HEr( T)在较低温区减小 ,在较高温区增大 ,并且 n FF的增大是居里温度提高的主要原因 相似文献
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《哈尔滨师范大学自然科学学报》2018,(6)
利用水热法制备了NaGd(MoO4)2:5%Tb~(3+),0. 3%Eu~(3+)荧光粉,通过XRD和电镜图像表征了样品的结构和形貌.为了探究其温度传感性质,测量了样品室温下的激发光谱和发射光谱,以及样品的变温发射光谱,并发现Eu~(3+)(5D0-7F2)与Tb~(3+)(5D4-7F5)的发光强度比(FIR)随温度变化有明显变化,可以用来表征温度.通过FIR计算了样品的温度传感灵敏度,并且发现温度传感灵敏度会随着温度的升高而升高,在503 K时有最大值为0. 077 K-1.此外,利用发射光谱计算了样品的CIE色坐标,通过观察样品的色坐标,发现发光颜色随温度的升高从绿色到红色发生连续的变化,可以直观的表征温度. 相似文献
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《哈尔滨师范大学自然科学学报》2016,(3)
利用直流磁控溅射技术在P型Si(100)衬底上制备了TiO_2薄膜,将制备好的TiO_2薄膜分别在700、800、900、1000、1100℃下空气中退火1 h.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、安捷伦半导体器件分析仪对薄膜样品进行表征.XRD测试结果表明:原样品为锐钛矿相结构,随着退火温度的升高,样品由锐钛矿相结构逐渐转变为金红石相结构,而经900、1000、1100℃退火后样品为金红石相结构,且退火后样品的晶粒尺寸明显增大;电学性能测试表明:退火后的TiO_2薄膜样品构成的MOS器件漏电流密度很小,即制备的TiO_2薄膜样品在MOS器件制备与应用领域有很好的前景. 相似文献
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本文以Zn(NO3)2·6H2O,Co(NO3)2·6H2O,Cu(NO3)2·3H2O为原料,与适量的柠檬酸配制成溶液,采用溶胶—凝胶法(sol-gel)合成前驱体,将前驱体在氩气气氛中选择不同温度进行烧结得到Zn0.98Cu0.01Co0.01O稀磁半导体样品,利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱仪(PL)、振动样品磁强计(VSM)对所制备样品的结构、光学性能及磁性进行研究.实验结果表明:制备的样品为单一的纤锌矿结构,烧结温度改善了样品的光学性质及磁性. 相似文献
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采用柠檬酸盐法制备La(1-x)NdxNiO3前驱体样品.利用热分析仪(DTA—TG)对前驱体进行测试,结合X射线衍射(XRD)对不同温度烧结样品结构分析,结果表明,在750℃以上烧结得到了单相的La(1-x)NdxNiO3固溶体材料(0≤x≤0.25),随着Nd掺杂比例x值的增大,材料的晶格发生变化,a轴收缩,c轴伸长,晶格畸变增大. 相似文献