量子尺寸效应对超薄Pb(111)薄膜性质的影响

讨论了超薄Pb(111)薄膜在构型和稳定性方面的量子机制.首先对量子尺寸效应和电子生长以及薄膜稳定性的判断标准作了介绍,然后以Pb(111)薄膜作为例子,介绍了其生长的特性和强烈的量子尺寸效应,最后阐述了量子尺寸效应对薄膜的物理和化学性质具有深刻影响.     

表面驰豫效应对界面区域CBED的影响

对Ａｌ２Ｏ３颗粒增强铝复合材料与Ｋ２ＴｉＯ１３晶须增强铝复合材料中的增强相／金属界面区域点阵位移场进行ＣＢＥＤ研究，并对其进行电子衍射动力学理论模拟计算，结果表明：表面驰豫效应对晶须／铝界面法线方向上位移分量大小的分布影响显著，而对界面切线方向上位移分量的影响很小。这一结果对于解决ＣＢＥＤ法测量界面应变场时遇到的表面驰豫效应问题是有意义的。     

原子位置驰豫对ZnS（110）表面电子结构的影响

用总能量最小方法,确定了ＺｎＳ（１１０）表面的原子几何结构,得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果,利用格林函数的散射理论方法,计算了ＺｎＳ（１１０）表面的电子结构,在此基础上,讨论了晶格驰豫对表电子特性的影响。     

复合材料热电驰豫的研究

研究了以环氧树脂EP为基的TGS铁电复合材料的热电驰豫现象．发现经不同电场极化后的样品均存在两种驰豫机构．分别由晶粒及晶粒边界组成．两种机构释放的热电电荷可用公式Q（t)=Q∞(1-Ae^-(√at) Be^-(√bt)(1-e^et)统一描述。     

存在驰豫效应时表面生长的重整化群研究

用重整化群方法分析了存在表面驰豫效应时表面生长的动力学行为,得到了相应的标度指数ｘ与ｚ、驰豫时间τ的函数关系,结果表明,随着驰豫效应的增强,会使生长表面有化并有利于稳定生长阶段的形成。     

铅超薄膜在砷化镓衬底上生长量子尺寸效应研究

用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了Pb(111)超薄膜在GaAs(111)极性衬底表面上的生长过程中所表现的量子尺寸效应.研究了包括Ga截断和As截断的两种情况.研究结果发现薄膜体系的表面能、功函数和晶格驰豫随着Pb(111)超薄膜的厚度变化出现了强烈的双层振荡现象.和自由铅薄膜比较,其转折点的位置和周期的大小随着衬底及极性的不同有所变化,说明衬底电子遗漏可以在调控铅薄膜生长方面具有重要的作用.     

纳米材料量子尺寸效应的理解及应用

在理解纳米材料量子尺寸效应的基础上,对久保提出的分立平均能级间距与热能的关系公式δ=4EF与温度T之间的关系公式d03<1.078×T 10-14n-31m3,由此讨论临界粒径d0与温度T之间的关系,并进而应用公式举例计算纳米级金属颗粒出现量子尺寸效应的临界粒径。     

锯齿型三角石墨烯电子结构的量子尺寸效应

使用紧束缚方法研究了锯齿型正三角石墨烯结构的量子尺寸效应.结果显示:该结构存在重简并的零能态,能隙(零能态与第一激发态之间的差值)随着边界尺寸的变大而减小.当边界尺寸较小时,能级是离散化的,能够取得的能带结构是分散的;当边界达到一定尺寸以后,能带布满整个空间,态密度与二维石墨烯整体类似.     

纳米晶硅薄膜的量子尺寸效应研究

最近的一些研究指出，纳米晶硅薄膜具有量子点（ＱｕａｎｔｕｍＤｏｔ－Ｑ．Ｄ）特征。本文依据一些典型的理论模型，具体计算了纳米晶硅量子点（ｎｃ－Ｓｉ：ＨＱ．Ｄ）的量子化能级、激子的能量移动以及体系的库仑能量随纳米硅晶粒尺寸的变化，并结合我们自己，初步分析并讨论了这些能量参数对纳米晶硅量子点的共振隧穿、光致发光（ＰＬ）和库仑阻塞的影响。     

量子尺寸效应与纳米金属小粒子超导电性

作者考虑到能级分布和能级关联的影响,采用随机矩阵理论,计算了无外场作用时不同粒径超导金属小粒子的两个重要自旋态(s=0,1／2)超导能隙随温度的变化关系,并在自旋s=0时,验证了实验观察所得的超导增强效应。     

金属薄膜中的杂质散射效应

考虑到杂质散射效应，运用量子统计的方法，计算金属薄膜中杂质散射的弛豫时间和电导率．计算结果表明：这些物理量都是金属薄膜厚度的函数，具有量子尺寸效应．     

惯性的经典效应、量子效应及起源的研究

惯性的经典效应是惯性力,量子效应Unruh效应,惯性起源于加速引起的真空变化。     

纳米硅薄膜中量子点的库仑阻塞效应

用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管，在77K温度下对其I－V特性进行了测量，得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表明，纳米尺寸晶粒构成的量子点具有库仑阻塞效应。     

6种氮氧化物的量子化学理论研究

利用量子化学密度泛函(DFT)方法在6-311++G(d,p)水平上对N2O,NO,NO2,N2O3,N2O4及N2O5等6种氮氧化物的分子结构、布居电荷、偶极矩、极化率、热力学性质等进行了优化计算.理论研究表明:计算结果与实验测定结果基本符合,误差较小.     

一种同时测量分子间多量子相干横向弛豫和自扩散系数的快速方法

提出一种可同时直接测量高极化核自旋体系分子间n阶多量子相干横向弛豫时间T2,n和自扩散系数Dn的一维核磁共振方法。实验结果表明：对于单组份单峰的高极化核自旋体系,分子间n(n≥1）阶多量子相干横向弛豫时间T2,n自扩散系数Dn分别具有如下关系：T2,n≈T2,1／n和Dn ≈nD1,这里T2,1和D1分别为该峰的单量子相干横向弛豫时间和自扩散系数。这些结果有助于揭示分子间多量子相干横向弛豫和自扩散的性质和机理。     

介观电子谐振腔的量子效应

基于电荷是量子化的这一基本事实,在介观电路的全量于理论框架中,实现了介观电子谐振腔的量子化,获得了该器件的差分薛定谔方程.用幺正变换将薛定谔方程变换为标准的马丢方程,通过对薛定谔方程的求解,得到了系统的能级和波函数.运用WKBJ方法计算了电流平均值和电流平方的平均值,计算结果表明电流涨落是存在的,它是介观电路中主要的量子噪声.     

煤表面与高分子作用机理的量子化学研究

选择不同煤阶的煤分子结构模型,结合量子化学方法,对煤分子中各原子的电子去分布进行计算,根据计算结果,分析了高分子在煤粒表面的吸附机理,解释阴离子型高分子在带负电的煤粒表面的吸附原因。     

环三硅烯及其相关分子的量子化学计算研究

使用密度泛涵法（B3P86，B3LYP）和MP2法，在6-311 G（d,p）和6-311 G（3df,2p）基组下，对环三硅烯、环三锗烯和相关分子进行了优化几何构型的量子化学计算，计算结果表明，环三硅烯、二硅杂环三锗烯为平面分子，环三锗烯、二锗杂环三硅烯为反式弯曲几何构型，利用计算的分子总能量比较了二硅杂环三锗烯两种异构体和二锗杂环三硅烯两种异构体的相对稳定性。     

量子围栏中金属表面态电子概率密度分布

量子围栏是以原子为材料在金属表面构成的闭合图案,由于电子具有波动性,因此,在量子围栏内可明显观察到二维电子概率驻波.文中以圆形和方形量子围栏为例,应用有限元数学方法,借助MATLAB数学软件,用计算机求解出被束缚在围栏中金属表面态电子相应于不同本征值的波函数及概率密度分布,与实验结果一致.该方法可方便求得处在任意形状势阱中的微观粒子波函数及概率密度分布情况,为定量研究电子被微观散射物散射产生的干涉现象提供新的手段.