非对称型门极换流晶闸管阻断特性的设计与优化

分析了非对称型门极换流晶闸管(GCT)的结构和工作原理,提出了阻断特性的设计方法,并依此建立了非对称型GCT的结构模型;利用MEDICI软件对其正向IV特性和电场分布进行了模拟,分析了穿通型耐压结构的击穿机理,证实了设计的合理性;另外通过对GCT结构参数的优化,指出当n缓冲层的浓度为5×1016cm-3时,可获得比较理想的阻断特性。     

P基区结构对GCT通态特性的影响

介绍了非对称型门极换流晶闸管的P基区结构.在建立门极换流晶闸管器件模型基础上,利用MEDICI软件分析了P基区结构对门极换流晶闸管通态特性的影响.模拟结果表明,P基区的掺杂浓度和宽度对门极换流晶闸管通态压降有着重要的影响.通过调节P基区的浓度和宽度,可以有效地改善门极换流晶闸管的通态特性.     

IGCT驱动电路散热分析与研究

集成门极换流晶闸管(IGCT)是将封装好的门极换流晶闸管(GCT)通过印制电路板(PCB)集成在一起而形成的整体,作为承载体的PCB的散热直接影响到整个电路的可靠工作。根据IGCT的结构特点和电路原理设计了一套完整的PCB版图,研究驱动电路PCB的散热特性,利用Flotherm软件对GCT芯片及驱动电路板进行热分析,建立散热模型,完成IGCT整体热仿真,提出了外加强制风冷散热器的设计方案。进一步对不同散热片厚度下的温度分布进行仿真分析,将自然对流和强制风冷散热效果进行对比,结果表明该气冷方案满足IGCT整体散热要求,为整个IGCT可靠工作提供了保障。     

集成门极换流晶闸管驱动电路的研究

根据集成门极换流晶闸管驱动电路基本逻辑功能的要求，提出应用电子设计自动化技术和复杂可编程逻辑器件芯片实现高可靠性、单片化、灵活设计的方案，设计出一种采用了硬驱动和集成门极技术的集成门极换流晶闸管门极驱动电路．该电路具有结构简单，开关速度快，可靠性高，增加保护电路和测试电路方便等优点．电路仿真结果表明，开通时门极电流可在2μs内迅速达到200A左右，关断时电流门极电流可在4μs内抽取400A左右，符合集成门极换流晶闸管开通和关断时的特性要求．     

过压自保护晶闸管二维电场分析

应用有限元法,对两种不同门极结构的过压自保护光控晶闸管的电场分布进行计算机模拟,讨论了电场分布与结构参数的关系及其对过压自保护特性的影响.计算表明,无P~-层晶闸管的穴区最大电场同时受到穴径和穴深的制约,而有p~+层的晶闸管穴径对电场的影响可以忽略,穴区最大电场主要由穴深确定.理论和实验均表明,控制门极的穴径和穴深可以达到控制门极自保护特性的目的.     

非对称型集成门极换流晶闸管(IGCT)在PISCES-2ET软件平台上器件模拟

运用PISCES-2ET软件对非对称型集成门极换流晶闸管进行器件模拟,给出了器件的杂质浓度、电子和空穴浓度和电势的二维和三维分布;通过模拟结果来验证设计是否合理,对下一步设计器件的物理参数和结构参数起到指导作用。     

门极换向晶闸管的纵向结构研究

基于对影响门极换向晶闸管(GCT)阻断能力的限制因素的理论分析，对其N基区的宽度进行了计算．结果表明，在同等耐压下，GCT所采用的硅片厚度较传统门极可关断晶闸管减薄约1／3．利用二维工艺模拟器对器件进行了二维工艺模拟，并对器件的纵向结构参数进行了优化．采用湿法腐蚀工艺实现了门极和阴极的隔离结构，实验结果表明：当腐蚀的深度大于20μm后，由于腐蚀反应生成的副产物阻止了腐蚀液与硅表面充分接触，使得腐蚀反应速率下降，且横向腐蚀宽度与纵向腐蚀深度的比值约为0．8，此结论也为GCT的横向参数设计提供了重要的依据．     

一种新的有源换流晶闸管电流源PWM变频器

普通晶闸管电流源变频器(CSI)由于六拍换流存在着较大的谐波，且脉宽调制式(PWM)电流源逆变器一般需要具有反向电压关断能力的门极关断电路，这就限制了它的应用．该文提出一种采用一个门极可关断开关和六个晶闸管的新的PWM电流源逆变器，此电路通过有源换流来实现传统的晶闸管CSI的脉宽调制．文章阐述了这种变流装置的调制技术并给出仿真实验结果．该电路适合于高性能和大功率的应用场合．     

内冷水系统缓冲罐(膨胀罐)液位下降原因分析

换流阀是换流站的核心元件,目前在运换流站中换流阀额定电流最高已达4500A,正常运行时,大电流产生高热量,导致晶闸管温度急剧上升,为防止晶闸管被烧毁,因此换流站配置有阀冷却系统对晶闸管进行冷却。阀内冷系统是一个密闭的循环系统,它通过冷却介质的流动带走换流阀产生的热量。水冷系统出现缓冲罐(膨胀罐)液位下降将会影响换流阀的正常工作,甚至导致换流阀的强迫停运,从而使电能无法及时送出。缓冲罐(膨胀罐)液位下降时快速判明原因,及时有效地排除故障,能够保证水冷系统的正常稳定运行,防止晶闸管被烧毁。     

晶闸管模型及其在变频器中的具体体现

采用晶闸管的电力电子电路越来越多,计算机辅助分析、设计方法的应用越来越广,两者的结合可望带来方便性、精确性等多种优点,从而促进晶闸管的更广泛应用。 2 晶闸管模型 2.1 双晶体管模型 具体模型见图1,它是基于晶闸管的四层结构提出来的,图中二极管D用来模拟PN结的反向击穿。此模型虽能很好地模拟晶闸管的触发特性,但在模拟其关断瞬态特性时存在较大的问题,同时也不能模拟延迟时间t_d、扩展时间t_s等。     

高压大容量链式STATCOM中IEGT功率模块的仿真分析

为了提高链式STATCOM的运行性能和可靠性,针对用于高压大容量STATCOM链节中的新型大功率器件IEGT功率模块进行仿真研究。依据生产厂家所给的典型IEGT导通特性曲线,采用线性插值方法,分析了工程中设备实际运行温度的IEGT导通特性;建立了IEGT功能模型。根据实际工程设计参数对带有缓冲电路的IEGT功率模块进行了仿真分析,讨论缓冲电路参数变化的影响。结果表明,功率模块缓冲电路中电容和电感参数变化对IEGT关断电压尖峰影响大,电阻增大尖峰的峰值明显增大,而出现尖峰的时间基本不变,这一结果可以作为STATCON工程设计中器件选用和缓冲参数优化设计的参考。     

Effects of SrTiO3 buffer layer on structural and electrical properties of Bi3.15Nd0.85Ti3O12 thin films prepared by a chemical method

Ferroelectric Bi3.15Nd0.85Ti3O12 (BNT) thin films have been grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrates at 750 ℃ by a chemical solution deposition method using SrTiO3 (STO) as a buffer layer.The influence of STO...     

AP-MOCVDGaN材料生长特性

研究低温生长GaN过渡层（缓冲层）在AP－MOCVD生长GaN材料过程中的作用，探讨了过渡层的生长温度、时间、氮化时间等参数对GaN材料晶体质量的影响，通过对过渡层的特性参数的分析、优化，获得了X射线双晶衍射半峰宽为6’的GaN外延层．     

一种Ad hoc网络的跨层拥塞控制改进方案

针对传统的TCP拥塞控制协议不能很好适用于无线Ad hoc网络的问题,本文利用跨层设计思想和优化理论,通过提取协议栈各层的特性参数,给出了无线Ad hoc网络跨层拥塞控制的改进方案CCIM (cross-layer control improvement methods). 提出了将MAC层输入、输出速率与网络层缓存队列长度相结合的拥塞检测新方法,并依据ECN显示拥塞反馈机制和扩展信令传递机制,对拥塞控制和随机接入进行建模,以便获取最优发送速率. NS2仿真结果表明,该方案能够降低端到端传输时延,使网络吞吐量和公平性得到了明显改善.      

泡沫混凝土减震层对隧道地震响应影响分析

应用有限差分软件FLAC^{3D对泡沫混凝土减震层对花岗岩隧道地震响应的影响规律进行分析. 综合考虑围岩位移、塑性区范围、应力场分布、应变增量等指标,得出增设泡沫混凝土减震层可以大幅降低围岩最大主应力以及衬砌结构的内力,有利于围岩的稳定.其次分析了减震层各物理力学参数对花岗岩隧道地震响应的具体影响,得出增加减震层变形模量或粘聚力可以大幅降低衬砌结构中的内力;而减震层的内摩擦角及泊松比的改变对减震层的减震效果影响较小.}     

基于振动能量耗散的间隔阻尼层式支重轮缓冲特性分析

基于履带式工程车辆间隔阻尼层式支重轮振动能量的耗散,对支重轮的减振缓冲特性开展研究,建立其振动能量耗散模型.以310kW履带式推土机为应用对象,在3种典型工况下,建立间隔阻尼层式(阻尼层未间断)支重轮1/3实体有限元耗散模型.经计算发现,间隔层与约束层粘接处和1/3阻尼层端面处的应力与耗散能均较大,易导致"热软化".采用约束层和阻尼层均间断的方式对支重轮结构进行改进,经计算表明改进后的支重轮总耗散能增大,其减振缓冲性能提高;且其应力与耗散能整体均匀对称分布,降低了"热软化"发生概率.     

ZnO薄膜中缓冲层厚度的研究

采用溶胶-凝胶法制备ZnO缓冲层,并在其上沉积ZnO薄膜.研究了匀胶的膜厚控制公式,达到对膜厚的控制.采用X射线衍射仪和原子力显微镜分析了缓冲层厚度对ZnO薄膜结晶质量和表面形貌的影响规律.     

缓冲装置对炸药装药抗过载安定性影响研究

采用大型落锤模拟加载系统研究了缓冲装置对炸药装药抗过载安全性的影响。结果表明,缓冲装置可以对炸药进行有效保护;缓冲装置改变了外部载荷的特征,使得外部载荷不容易使炸药点火,进而提高了炸药的抗过载安全性,为战斗部的装药设计提供依据。     

含缓冲层的四层平板波导的微扰分析

给出计算含缓冲层的四层平板波导传播常数与衰减系数的高阶微扰理论，导出了由三层平板波导传输特性计算含缓冲层四层平板波导传输特性的高阶近似解析公式。方法简便易行，且可求得较高精度的结果。     

The properties of CdTe solar cells with ZnTe/ZnTe： Cu buffer layers

CdS/CdTe solar cells with ZnTe/ZnTe:Cu buffer layers were fabricated and studied. The energy band structure of it was analyzed. The C-V, I-V characteristics and the spectral response show that the ZnTe/ZnTe:Cu buffer layers improve the back contact characteristic properties, the diode characteristics of the forward junction and the short-wave spectral response of the CdTe solar cells. The ZnTe/ZnTe:Cu buffer layers affect the solar cell conversion efficiency and its fill factor.