氧化锌纳米线阵列的制备方法

综述近年来氧化锌纳米线阵列制备方法的研究进展状况,包括气-液-固催化剂辅助化学气相沉积法、模板限制辅助生长法、金属有机气相外延生长法以及胶体化学的自组装(组织)法等,并且评价了这些方法的优缺点.     

Si纳米线的制备方法与器件应用

以气-液-固(VLS)、气-固-固(VSS)、固-液-固(SLS)和氧化物辅助生长(OAG)机制为主线,着重介绍与评论了几种主要的Si纳米线的制备方法,如激光烧蚀沉积(LAD)、化学气相沉积(CVD)、热蒸发和金属(Au,Fe,Ni和Al)催化生长等.简要介绍了Si纳米线及其阵列在场效应晶体管、场发射器件、太阳电池、传感器以及集成电子器件等方面的应用.最后,讨论了各种制备方法的优势与不足,指出了该研究领域今后的发展方向.     

纳米氧化锡的制备与结构特性

采用金属醇盐羟化法制备了纳米氧化锡粉末,并研究了粉末的结构特性。这一制备纳米金属氧化物粉末的新技术具有设备与流程简单,成本低,污染小,产品纯度高,平均粒径小,颗粒均一,粉末的光电特性好等特点。     

银氧化锡复合粉体的制备及粒径分析

近年来随着制备技术的发展和性能的改进,对银氧化锡的研究方兴未艾．本文对银氧化锡复合粉体的水热制备方法进行了综述,并与传统的银氧化锡复合粉体的制备方法如粉末冶金法等进行了比较．通过以H2C2O4为还原剂,以银氨络离子和锡酸钠为原料制备银氧化锡,并针对制备条件的差异对粉体粒径的影响进行了分析,指出了水热制备方法的优点和不足,对以后进一步的研究进行了展望．     

CdSe纳米材料化学制备方法的研究

作者通过对CdSe纳米材料化学制备方法的综合评述 ,对CdSe纳米线阵列的制备和性质进行了初步研究 .     

等离子电弧蒸发及后续氮化制备AlN纳米线

采用两步熔铝氮化法成功地制备出了 AlN 纳米线。首先,用含氮等离子体电弧法制得 Al AIN 混合纳米粉。然后,再将 Al AlN 混合纳米粉在750～850℃下保温1h 进行氮化处理,制备出含有 AlN 纳米线的纯 AlN 纳米材料。经 XRD、TEM和 HR—TEM 的测试表明:AIN 纳米线呈表面平滑的棒状形貌,其直径10～50mm,长度为500 nm～500μm。同时探讨了 AlN纳米线的生长机制。     

液相还原法可控高产率单晶铜纳米线制备方法

通过精减工艺参数,优化工艺流程,对液相还原法制备铜纳米线的工艺进行改进,制备出各种不同长度和直径的铜纳米线。实验结果表明,所制备的铜纳米线为单晶结构,其表面光滑,径向粗细、长度和直径比较均匀,产率可达95%以上。     

Si纳米线器件及其研究进展

Si纳米线是一种新型的准一维纳米半导体材料,具有独特的电子输运特性、场发射特性和光学特性等.本文对利用Si纳米线制备的各类电子器件,例如存储器、场效应晶体管、化学传感器和太阳能电池的研究进展做了简要评述.最后,对Si纳米线的应用前景进行了初步展望.     

颗粒剂制备方法的研究进展

介绍了颗粒剂的分类,并对颗粒剂的制备方法进行了综述,分类分为可溶性颗粒剂、混悬性颗粒剂、泡腾颗粒剂,探讨了湿法制粒、干法制粒、沸腾制粒的制备方法。     

大尺寸氧化铟锡(ITO)靶材制备研究进展

氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)靶材是屏幕显示器、光伏电池、功能玻璃等领域的关键原材料之一,已朝着大尺寸(长度至少600 mm)、高密度、低电阻率和高使用率的方向发展。本文介绍了高性能ITO靶材的技术特征,分析了大尺寸ITO靶材的需求和镀膜优势,总结了大尺寸ITO靶材的成型、烧结工艺及其研究应用现状,最后提出了制备大尺寸ITO靶材的研究方向。     

二氧化锡纳米线的制备及表征

采用真空蒸发沉积法制备二氧化锡纳米线,对二氧化锡纳米线的制备过程进行描述,并采用扫描电子显微镜对样品形貌进行表征,发现使用此方法可以制得较好的纳米线样品,以及使用X射线衍射仪对样品进行物相分析,发现制得的样品结晶良好,结构单一。在实验中,恒温温度和衬底的不同,对二氧化锡纳米线的生长有重大的影响,而在通保护气体的情况下保护气体氩气的流速也对二氧化锡纳米线生长产生影响。     

室温射频磁控溅射沉积ITO薄膜的研究

报道透明导电膜不加衬底温度、无需沉积后的退火工艺、用射频磁控溅射沉积氧化铟、锡（ＩＴＯ）薄膜获得电阻率３×１０－４Ω·ｃｍ，在可见光区平均透光率８４％的优良性能．用扫描电子显微镜和Ｘ射线衍射法研究了ＩＴＯ薄膜的结晶形貌和晶体结构     

ITO薄膜微结构对其光电性质的影响

采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟(ITO)薄膜,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术和电导率、透射光谱测试技术,研究真空低温退火后ITO薄膜微结构、薄膜电导率、光谱透射率的变化.研究表明,真空低温退火使得晶体微结构得到改善,晶体呈(222)择优取向,晶体的结晶颗粒变大.不同价态的Sn对In3 的替代引起晶格结构和ITO薄膜的载流子浓度的变化,从而影响到薄膜的导电性和透射率,证明了真空退火下氧化铟薄膜微结构变化是影响薄膜电导率与透射率的主要原因,为研制新型光电器件的透明电极提供了参考.     

ICP—AES法测定焊锡中锡、铅含量

本文利用ICP-AES法进行焊锡中Sn、Pb含量的测定。通过实验确定了测定条件和减少干扰的途径。本方法较简便、干扰少,相对标准偏差<1％,基本上可满足焊锡测定的要求。     

表面活性剂在纳米氧化锌制备中的应用研究进展

纳米氧化锌粒子的超细化使得其表面能和表面张力大,从而容易团聚,影响超细粉末及最终产品的性能.本文主要总结了近年来在制备纳米ZnO过程中表面活性剂影响的研究现况.     

氮化铝纳米晶和纳米线的研究进展

本文总结了氮化铝(A1N)纳米晶和纳米线研究的最新进展，详细讨论了直流弧光放电蒸发、化学气相沉积、磁控溅射、脉冲辅助激光刻蚀和有机溶液相反应等方法合成氮化铝纳米晶的最新研究成果，并对A1N纳米线研究作了评述．     

锡和锌复合氧化物的合成及其缺陷结构

本文采用化学共沉淀和固相反应相结合的方法,制备掺杂和不掺杂的具有反尖晶石结构的锡和锌复合氧化物,还比较详细地研究了它的电导与氧分压、温度和掺杂物之间的关系以及相应的缺陷结构.并根据Seebeck 效应的测定推测其在700°—900℃的范围内具有小极化子的热激活跃迁机制.     

ATO纳米棒的水热法制备及其性能

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用水热法制备了锑掺杂氧化锡(ATO)纳米棒,产物的电阻率约为100Ω·cm.通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、能谱(EDS)对产物的形态结构进行表征,结果发现,随着反应时间的延长,ATO纳米棒直径不变,长度逐渐增大,长径比(L/D)逐渐增大;随着反应物SnCl4浓度的升高,ATO纳米棒的直径和长度均增大,L/D基本不变.简单阐述了ATO纳米棒的形成机理,并对反应条件对纳米棒L/D的影响进行了探索.     

纳米氧化亚铜光催化剂制备方法的研究进展

Cu2O是一种典型的p型窄带隙半导体功能材料,可见光区吸收系数大,具有较高的可见光催化活性,是一种极具开发前景的绿色环保光催化剂.结合前人的研究成果,对纳米Cu2O的制备方法研究进展进行综述,探讨目前制备方法的优缺点和未来研究的发展方向.