纳米多孔阳极氧化铝模板制备的研究

以5%磷酸为电解液,采用二次阳极氧化的方法制备了氧化铝多孔模板,利用扫描电子显微镜(SEM)对它进行表征,并对反应机理进行了探讨和研究,结果表明纳米孔洞是由于铝表面氧化层的生成和电解液界面氧化铝的溶解两个过程相互竞争生成的.     

阳极氧化法制备多孔氧化铝膜的研究

阳极化多孔氧化铝是典型的自组织的纳米结构材料,我们用认阳极氧化法制备了多孔氧化铝膜,从得到的ＡＦＭ图象及ＦＦＴ变换,证明了在适当的电解条件下,多孔氧化铝膜具有序的六角分布的纳米孔道。     

阳极氧化法制备多孔氧化铝膜的形成过程研究

采用阳极氧化技术,研究了电压对多孔氧化铝膜生长过程的影响。使用扫描电镜(SEM)对在草酸-水-乙醇体系中形成的多孔氧化铝膜形貌进行观测。结果表明,在第二步氧化过程中,在40 V氧化电压下,多孔氧化铝膜的有序度和孔径随反应时间延长而降低;在80 V下,经过长时间反应,AAO膜表面腐蚀严重,难以获得平整的多孔结构。预氧化过程所形成的薄氧化层有效保护了多孔氧化铝表面,同时对多孔结构具有短距离诱导作用。改变氧化电压、电解质浓度和反应时间,有序孔排列的结构参数也有所改变。高电场下,孔道的相互作用促进了其生长分化,形成了两种不同的孔道结构。     

多孔阳极氧化铝膜的制备工艺研究

以草酸为电解液研究了多孔阳极氧化铝膜的制备工艺，采用扫描电子显微镜对多孔氧化铝膜的形貌进行表征．分别讨论了阳极氧化电压和电解液温度对多孔阳极氧化铝膜的形貌及孔径的影响．实验结果表明，当氧化时间为8h时，氧化膜厚度达到最大值85μm．     

多孔氧化铝模板的快速制备

提出一种快速制备多孔氧化铝(anodic aluminum oxide,AAO)模板的新方法.以0.3 mol·L-1草酸溶液为电解液,利用两阶段升压法,在0 C和120 V条件下制备AAO模板.该方法的成膜速率达到1.1 μm·min-1,比传统低电压(50 V)制备条件下的成膜速率提高近20倍.通过控制AAO模板在0.8 mol·L-1磷酸溶液中的腐蚀时间,可使模板孔径在40～120 nm范围调节.     

多孔氧化铝的阳极氧化初期形成阶段

测量了单晶铝在阳极氧化过程中的电流密度－时间曲线,曲线可分为3部分,分别对应多孔氧化铝形成的3个阶段,初始电流密度的下降是阻挡层的形成引起的;随后电流密度的升高是孔的形成赞成的;当落在阻挡层上的电压降足够低,使得质子可以进入阻挡层,这时孔的雏形形成;当上升过程结束,电流密度达到稳定值后,孔的分布已完成。     

多孔阳极氧化铝形成过程的研究

研究了纯铝在3种不同电解液中的阳极氧化过程，通过分析阳极氧化曲线上不同阶段氧化膜的SEM照片，探讨了铝阳极氧化阻挡层的形成、阻挡层向多孔膜的转化、多孔膜的生长的过程。结果表明：多孔氧化膜不但产生于酸性溶解的电解液中，而且在非溶解性的电解液中也可以产生。提出了在阻挡层的生长过程中，氧气的析出是造成多孔产生的新观点，并从不同电解液角度进行了论证。不同的电解液体系中，氧气的析出电压不同，多孔氧化膜的孔径与电解液的种类有关。     

制备多孔氧化铝的影响因素研究

在草酸电解液中,用阳极氧化法制备了多孔氧化铝.用扫描电子显微镜对多孔氧化铝的形貌进行了观察表征,研究了制备多孔氧化铝的若干影响因素.实验结果表明：退火预处理、合适的氧化时间和氧化电压能有效保障多孔氧化铝的质量,制备高质量多孔氧化铝的温度与草酸浓度和电压等参数存在一定的依存关系.     

氧化铝纳米阵列模板的制备和研究

 分别以硫酸和磷酸为电解液,用阳极氧化法在不同工艺下,制备纯度为99.999%,不同晶粒组织的纯铝箔基体上的氧化铝纳米阵列模板,得到5种孔径的纳米孔:10nm,20nm,30nm,60nm,100nm;用透射电镜和X射线衍射进行表征和结构分析,观察到了:阻挡层、趋于六边形的单元结构薄层和不同孔径、密度的纳米孔阵列,其结构为无定形,对这种自组织结构作了初步的生长过程分析.     

多孔氧化铝膜的制备

采用阳极氧化法在硫酸、草酸、磷酸等电解液中,在高纯度(99.9%)铝片上制备多孔氧化铝膜.结果表明:电解液的类型将影响氧化铝膜上孔洞的孔径大小;而电解液浓度的大小(硫酸取0.38 M～3.80 M,磷酸取1.75 M～5.20 M,草酸取0.11 M～0.56 M)、氧化电压的高低(硫酸电解液电压10～30 V,磷酸电解液电压30～80 V,草酸电解液电压20～100 V)和氧化时间的长短都会影响氧化铝孔膜的形态.     

硅基多孔阳极氧化铝模板的制备研究

利用电子束蒸发在硅衬底上制备Al膜,并制备硅基阳极氧化铝(AAO)模板;利用X射线衍射和扫描电子显微镜对模板的结构和形貌进行了表征;利用计算机对阳极氧化电流的实时观测监控了硅基AAO模板的自组装过程.优化了制备孔洞规则的高质量硅基阳极氧化铝模板的条件,该模板对进一步研究硅基AAO模板多铁功能纳米管线及相应的器件奠定了基础.     

多孔阳极氧化铝模板的制备与表征

以硫酸、草酸和磷酸分别作为电解液,利用电化学法制备了阳极氧化铝模板(AAO).实验发现,电解液成分的不同对模板的孔径和有序度影响很大.硫酸电解液制备的AAO模板孔径最小,孔洞有序度较高,孔密度最大,磷酸电解液制备的AAO模板孔径最大,有序度较差,孔密度最小,而且孔道中出现了Y型的分叉.实验中改进了去除AAO模板背面阻挡层的方法,有效地解决了浸泡方法对模板表面腐蚀严重的问题.实验总结了不同电解液制备AAO模板较佳的实验条件.     

氧化铝模板的制备及表征

采用二次氧化法在不同配比浓度的电解液中制备了具有高度有序纳米孔洞的阳极氧化铝(AAO)模板,分别采用扫描电子显微镜(SEM)和扫描探针显微镜(SPM)对样品的形貌进行了表征,并对模板形成的微观机制进行了讨论,认为,采用二次氧化法制备AAO模板是最为科学的方法,研究指出退火温度和抛光工艺对形成氧化铝模板有重要作用.     

多孔AAO模板合成低维有序纳米结构阵列研究进展

多孔阳极氧化铝模板具有好的有序性、成本低、耐高温、大面积可控、孔洞分布均匀、及大小可控等优点,是合成高度有序纳米材料的理想模板。本文综述了阳极氧化铝模板的制备和以此为模板采用常规方法,如脉冲激光沉积技术、离子束刻蚀、金属辅助化学蚀刻技术、化学气相沉积技术等制备低维垂直有序纳米阵列的最新研究进展,并指出了其目前存在的问题。     

恒电流法在AAO模板中制备钯合金纳米线

在孔深60μm直径200 nm的通孔氧化铝模板中,采用恒电流沉积法制备了钯镍与钯银合金纳米线阵列.用扫描电子显微镜和X-射线能谱仪表征纳米线的形貌和成分.研究结果表明:Pd-Ni合金纳米线中镍的含量随着电流密度的增大而增加,电流密度在0.6~1.0 mA.cm-2之间时,合金纳米线中镍的质量分数变化范围为7.89%~15.21%;Pd-Ag合金纳米线中银的质量分数随着电流密度的增大而减少,电流密度在2.0~3.0 mA.cm-2之间时,合金中银的质量分数变化范围为22.88%~16.55%.获得的钯合金纳米线线条均匀连续、结晶致密,长径比高达250.     

多孔阳极氧化铝模板制备低维纳米材料产业技术专利分析

本文基于CNABS和DWPI数据库,统计分析多孔阳极氧化铝为模板制备低维纳米材料的专利申请。对该领域申请量趋势、首次申请国别、申请人等进行统计,同时梳理了多孔阳极氧化铝模板的技术发展脉络、制备纳米材料的辅助成型方法以及低维纳米材料的应用领域。     

掺Cr3+发光氧化铝纳米模板的制备和光谱表征

以硫酸为电解液通过阳极氧化法制备了多孔氧化铝模板,再通过向模板中掺杂铬离子制成了具有发光性能的纳米模板．扫描电子显微镜（SEM）研究表明样品具有纳米孔洞结构,X-射线衍射表明样品具有Ⅱ-Al2O3,物相,微区发光光谱研究表明材料在693nm附近具有强烈的发光现象．     

多通孔阳极氧化铝膜的制备

通过两步阳极氧化法由铝片制得高度有序的多孔氧化铝膜(PAA),采用高电压瞬时脉冲法分离出完整而独立的多通孔氧化铝模板。用SEM对其表面进行分析,结果表明用瞬时电压脉冲法可以很好地分离出完整的通孔膜,且膜质量很高。孔直径为40⁵0nm,孔间距为9050nm,孔间距为90¹05nm,膜厚度为25μm左右,孔密度高达1.34×10105nm,膜厚度为25μm左右,孔密度高达1.34×10⁽¹⁰⁾个/cm(10)个/cm²。通过4次阳极氧化的时间电流密度曲线对比,表明两步阳极氧化可以刺得高度有序的PAA膜。     

有序氧化铝模板的快速制备及用于钴纳米线阵列

利用自制的氧化槽,结合恒压二次氧化的方法制备出有序的氧化铝模板,每个氧化槽每次可以制备2～4个模板,而且制备步骤简化,极大提高了氧化铝模板的制备效率.采用恒压直流电沉积方法在制备的氧化铝模板的孔中成功组装出了钴纳米线阵列,并分别用SEM、TEM、EDS对其进行了表征,结果显示,制备的钴纳米线阵列排列整齐、粗细均匀,直径约为50 nm,长度约为20～30μm,其长径比为300～1 000,与氧化铝模板的参数一致.