2001世界科技100强

ICELESTICA(CLS)合约制造商加拿大ZVERIZONCOMMUNICAT10NS(VZ)电信美国3SCIENTIFIC.ATLANTA(SFA〕通信设备美国4N丫IDIA(NVDA)半导体美国5 CHIN胡0日ILE(hongkona)(CHL)电信中国香港6 IB阿(I日H)服务商和分销商美国7TELEFONICA日OVILES(TE洲)电信西班牙SUNIT[D竹ICRO三LECTRpNICS山竹C)半导体中国台湾g阴〔RICA阳甘IL(胡X)电信墨西哥10 CHECK POINT SOFT翻A获E(CHKp)软件以色列11 ADVANCED HICRQ DE甘ICES(阴D)半导体美国12 SANHINA(SAN凹)合约制造商美国13T〔LEFO…     

美国半导体产业现状与政府对策

半导体产业对美国经济发展起到了非常关键的作用.然而,随着全球竞争加剧,美国半导体业的主导地位正在遭遇新的挑战.因此,美国总统科技顾问委员会通过了《保障美国半导体行业的长期领导地位》报告,以期加速半导体产业发展. 长期以来,半导体产业的创新一直是美国经济繁荣和国家安全的重要引擎之一.2017年伊始,美国总统科技顾问委员会发布题为《保障美国半导体行业的长期领导地位》(Ensuring Long-Term U.S.Leadership in Semiconductors)的报告,通过全新视角分析美国半导体产业现状和面临的核心挑战,提出维护和加强美国半导体产业在全球的引领地位.     

一种电子手表电池

这里介绍的是日本第二精工舍和美国的麦他依尔·道格拉斯公司共同研制的用Pm(钜)147和半导体相结合的原子电池。这种电池外径12mm,厚7mm,截面如图一。中间部分如图二,是由硅半导体的PN极片和Pm(钜)147所组成。从Pm(钜)147发射出来的β一射线(电子束),照射到     

三代半导体材料发展历程

正第一代半导体材料:主要指硅(Si )、锗( Ge)元素半导体材料兴起时间:20世纪50年代性能特点:取代了笨重的电子管,促进了集成电路的产生。主要应用:低压、低频、中功率晶体管、光电探测器。第二代半导体材料:以砷化家(GaAs )、磷化钢(InSb )为代表兴起时间:20世纪70年代     

半导体表面吸附分子的表面增强喇曼散射

本文介绍了半导体材料表面吸附分子的表面增强喇曼散射(SERS)研究工作.至今,人们主要在二类半导体材料表面进行了SERS 实验:一类是半导体材料表面吸附分子的SERS 实验;另一类是被银修饰了的(silver-modified)半导体材料表面吸附分子的SERS 实验.文章还简单介绍了对半导体材料表面SERS效应所作的理论解释.最后对半导体材料表面SERS 研究的发展和应用前景作了展望.     

广东省第三代半导体创新发展刍议

第三代半导体是指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体(禁带宽度大于2 eV),近年来扩展至氮化铝(AlN)、金刚石、氧化镓(Ga2O3)、氮化硼(BN)等超宽禁带半导体.相比于以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代半导体和以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的第二代半导体,第三代半导体具有更...     

英国INSPEC收录的中国(大陆)科技期刊(2004)

据科学技术文献出版社出版的《2003年度中国科技论文统计与分析》的年度研究报告,中国(大陆)科技期刊被收录的情况(河北科技大学主办的《河北科技大学学报》和《河北工业科技》均已被收录)如下:半导体光电半导体技术半导体学报北京大学学报:自然科学版北京工业大学学报北京航空航天大学学报北京理工大学学报(英文版)北京师范大学学报:自然科学版北京邮电大学学报材料科学技术(英文版)长沙电力学院学报:自然科学版传感技术学报大连理工大学学报等离子体科学和技术(英文版)低温物理学报电池电工电能新技术电机与控制学报电力科学与工程(原电力…     

新加坡——东南亚的“硅谷”

近几年来,新加坡大力发展新技术工业(主要是电脑业),取得了很大的成绩,堪称东南亚之“硅谷”.硅谷是美国半导体——电脑业的心脏,其半导体产量占全美国的三分之一.由于硅谷在新技术、新产业的研究与开发中功绩显赫,它已成为高精尖技术和产业荟萃之地的代名词.     

厦门国家半导体照明工程产业化基地骨干企业认定办法(试行)

第一条为发展厦门市半导体照明产业,加强对半导体照明企业扶持力度,促进厦门国家半导体照明工程产业化基地建设(以下简称“产业化基地”)特制定本办法。第二条产业化基地骨干企业必须符合以下条件:1、从事半导体照明相关技术及其产品的研究、开发、生产、应用和经营业务,单纯商     

信息时代的物质基础——晶体管的发明

人类正处于一个以半导体材料为物质基础的信息时代。在整个半导体材料的发展史上,没有什么比威廉·肖克利(William Shockley,1910-1989)及其领导的科研小组发明的晶体管更具有传奇色彩了。肖克利1910年生于英国伦敦,3岁随父母迁往美国加州。从事矿业的双亲从小给他灌输科学知识和方法,加上中学教师斯拉特的熏陶,他如愿考入加州理工学     

Zn_(0.5)Cd_(0.5)S:Eu~(3+)半导体材料的燃烧法制备及发光性能研究

以硫脲为硫源,采用燃烧法制备了Zn0.5Cd0.5S:Eu3+半导体材料.研究了Eu掺杂量对Zn0.5Cd0.5S:Eu3+半导体材料的结构,形貌,固体漫反射以及发光性能的影响.利用X-射线粉末衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),紫外-可见分光光度计(UV-vis)和荧光分光光度计(PL)对样品进行了表征.结果表明:Eu掺杂量对样品的结构和形貌没有明显的变化,但对其发光性能却有着显著地影响.当Eu掺杂量为3%时所制备的Zn0.5Cd0.5S:Eu3+半导体材料的发光性能为最强.     

全球半导体正式进入“China”时代

正半导体制造设备的行业团体SEMI(美国加利福尼亚州)发布了到2017年的半导体制造设备全球市场预测。2016年因智能手机领域的投资告一段落,将仅比上年增长1.1%,而2017年将有所复苏,预计同比增长11.2%。中国大陆将成为半导体制造设备全球第二大市场按地区看,中国大陆2016年将大增30.8%,超过韩国、日本和北美,仅次于台湾地区,成为全球第二大市场。2016年到2017年全球预定开工建设的19家半     

半导体集成辐射传感器基本原理的研究

本文首次提出一种新型辐射传感器——半导体集成辐射传感器,并对它的基本原理作了系统的分折和研究。最后导出:辐射照度E与半导体温度集成镜象对管结电压差值的改变量△(△VBE)线性关系式。本文可以作为研制半导体集成辐射传感器的理论依据。     

《中国学术期刊文摘》(中文版)综述文摘选登

稀磁半导体的研究进展赵建华(中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京100083)主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其他稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望。     

综述文章

·《中国学术期刊文摘》(中文版)述评文章摘录·稀磁半导体的研究进展赵建华(中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083)主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其他稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望。     

被美国“掏空”的台湾半导体产业

<正>2023年3月16日，台湾半导体企业龙头台积电创始人张忠谋在接受台湾《天下》杂志采访时表示，支持美国减缓大陆发展半导体的产业政策。同时，张忠谋还特别指出，美国将台湾称为最危险的地方，这是台湾的一种困境。语出惊人！2018年以来，半导体产业被逐步塑造为美国对华战略竞争的一个符号。通过建立排华半导体产业链和对中国高科技产品实施出口管制措施，美国既能充分发挥自身“长臂管辖”机制优势，     

运用表面光电压技术对半导体表面光电特性的研究

对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述，系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质．研究了半导体能带隙所表现出的特有性质．     

半导性固态物质的結构及其电子活化能

許多半导性固态物质,其电导率和絕对温度之同有如下的关系: σ=σ_0exp- △E/2kT式中△E为本征牛导体的电子活化能(或称禁带宽度)。半导体的这种电学特性可用能带理論闡明。但是,近来許多非晶形半导体(液态半导体,聚合物牛导体等)材料的发现,为能带理論的应用造成某些困难。約飞指出,为了揭露导致半导性的内在原因,研究物质内部在     

负载型复合半导体光助催化二氧化碳和甲醇直接合成碳酸二甲酯

合成和表征了一种铜掺杂(Ni,Mo,O)负载于TiO2/SiO2(TSO)载体上的复合半导体材料,并用于由甲醇和直接光催化合成碳酸二甲酯(DMC).紫外可见光漫反射及测试结果表明:p-n型复合半导体催化剂可以增强对紫外光的吸收及扩展光响应范围,进而提高光催化性能.其中.w=1%Cu-(Ni,Mo,O)/TSO催化体系具有显著的反应活性和DMC选择性.     

高压DC-DC控制器高效功率管驱动电路研究

针对高压降压DC-DC(直流转直流转换器)输入电压范围宽的特点,设计了驱动电路通过钳位电路设定高压的驱动电压,同时通过源极跟随提供驱动功率管开启的驱动电流.电路集成于一款40 V 0.18μm BCD(双极型晶体管、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物半导体)工艺的高压降压DC-DC控制器芯片中,测试结果表明:在200 kHz开关频率下空载功耗为4 mA;驱动功率管开启电压最高为14 V,当输入电压小于14 V时能够提供接近输入电压的驱动压差;PMOS(P型金属氧化物半导体)功率管栅极电压驱动速率在40 V/μs以上,NMOS(N型金属氧化物半导体)功率管栅极电压驱动速率在60 V/μs以上.驱动电路具有高驱动速度和高驱动电压差,以降低开关损耗及导通损耗.