HERA高阶QCD光生喷注

研究了次领头级（ＮＬＯ）ＱＣＤ修正下ＨＥＲＡ分解准实光子中的光生双喷注，及其对重整化和因子化标度的相关性．     

光生喷注及其对QCD的检验Ⅰ

本文分为两部分，第一部分讨论喷注产生及其对ＱＣＤ的检验中存在的一般问题，给出了一个较为普遍的喷注定义。     

HERA光生过程中的强子与光子产生

本文讨论了ＨＥＲＡ光生过程中的强子和光子产生问题，在ＱＣＤ领头级近似之下计算了单、双光子的产生截面。结果表明：在低ｘｉ情况下，分解过程的贡献很重要，不应当把分解过程看作直接过程的高阶修正，而应当把它视为独立的过程进行研究，因此， 光生过程来研究夸克、胶子的强子和光子碎裂函数，以及研究质子和光子的部分子分布函数是可行的。     

HERA分解光生J／ψ

研究了ＨＥＲＡ分解光生过程中的Ｊ／ψ产生．结果表明该过程可以用来测量光子及质子中的部分子分布,也可以用于测量胶子和重夸克的Ｊ／ψ碎裂机制以检验微扰ＱＣＤ．     

LHC Pb-Pb碰撞过程中的光生SUSY Higgs

计算了ＬＨＣ条件下的超对称中心Ｈｉｇｇｓ玻色Ａ＾０,ｈ＾０以及Ｈ＾０在Ｐｂ－Ｐｂ碰撞过程中,质心系能量为√ｓ＝６３００Ａ ＧｅＶ时的光生截面,结果表明Ｈｉｇｇｓ光生截面在相应的质量区域内大到足可以被测出。     

LHC Pb-Pb碰撞过程中的光生SM Higgs玻色子

计算了ＬＨＣ条件下,Ｐｂ－Ｐｂ以质心系能量６３００ＡＧｅＶ碰撞过程中标准模型Ｈｉｇｇｓ玻色子截面。结果表明,如果Ｈｉｇｇｓ的质量在５０－２５０ＧｅＶ区间,则可能被观测到。     

LHCγ—Pb碰撞过程的J／ψ及γ产生

研究了ＬＨＣＰｂ－Ｐｂ过程ＣＭＳ能量为６３００ＡＧｅＶ条件下的光生Ｊ／ψ及γ。除此之外,光生过程还提供了一种新的检验ＥＭＣ效应的手段。     

光照下叶绿素a分子对两种磷脂结构的影响：脂在光系统Ⅱ光破坏过程？…

在构造的脂－色素囊泡模型系统中，过度的光照会引起脂分子结构的变化，主要表现在其脂肪链的不饱和度增大及酯键参与形成氢键能力的降低。脂肪链中的端基成分基本保持不变。化学单纯态氧也可对脂分子造成类似影响，但单线态氧的攻击不影响酯键参与形成氢键的能力。结果表明在光合作用系统的天然光破坏过程中不但存在着蛋白和色素的破坏，还有可能存在脂分子的损伤。     

VLHC p(p-)碰撞过程中的光生SUSY Higgs玻色子

计算了VLHC条件下p(p-)碰撞在200TeV质心系能量下的SUSY中性Higgs玻色子A0,h0,H0的光生截面.结果表明此条件下Higgs玻色子可能被观测到.     

吡啶光氯化反应机理的量子化学研究（Ⅱ）：PM计算吡啶光氯 …

用量子化学方法ＰＭ３结构参数全优化方法对吡啶光氯化反应所涉及的分子,自由基进行了能量计算,得到键解离能,并对反应活化能与动力学进行分析。对吡啶光氯化反应,提出了氯自由基直接进攻吡啶环的碳原子和氯自由基首先夺取与吡啶环键链的氢原子两种不同的反应机理,量化计算结果表明：吡啶光氯化反应中夺氢反应机理所需的反应活化能较低,不同产物以生成２－氯吡啶的活化能量低,为１７４．０８ｋＪ／ｍｏｌ,总反应级数为１．５     

高能p(p-)碰撞过程中的光生SM Higgs玻色子

计算了LHC条件下,p(p-)以质心系能量为(s)=14TeV以及200TeV碰撞过程中的光生标准模型Higgs玻色子截面.结果表明,在此条件下,可以在质量区50～300GeV内测量到SM Higgs玻色子.     

高能p碰撞过程中的光生SM Higgs玻色子(英文)

计算了LHC条件下 ,p p以质心系能量为 s =1 4TeV以及 2 0 0TeV碰撞过程中的光生标准模型Higgs玻色子截面 .结果表明 ,在此条件下 ,可以在质量区 50～ 30 0GeV内测量到SMHiggs玻色子 .     

VLHCp碰撞过程中的光生SUSY Higgs玻色子(英文)

计算了VLHC条件下 p p碰撞在 2 0 0TeV质心系能量下的SUSY中性Higgs玻色子A0 ,h0 ,H0的光生截面 .结果表明此条件下Higgs玻色子可能被观测到 .     

染料敏化太阳电池的光生电流对短路电流的影响

等效电路分析和实验结果证实,染料敏化太阳电池的光生电流显著地影响着电池电压-电流曲线中的短路电流.首先根据等效电路分析,得出了染料敏化太阳电池的光生电池值,以及理论上光生电流对短路电流的影响.进一步的电池制备和效率测试,证明了上述的理论计算论断.最后,根据光生电流与短路电流的关系,本文提出了通过提高光生电流来提高短路电流,最终提高染料敏化太阳电池效率的思路,并按照上述思路得到了电池效率提升20%的试验结果.     

氮三乙酸根合铁（Ⅲ）络合物（Fe^ⅢNTA）的光稳定性—Fe^ⅢNTA…

研究了氮三乙酸根合铁（Ⅲ）络合物（Ｆｅ＾ⅢＮＴＡ）（在２０．０℃、Ｉ为０．５ｍｏｌ·ｋｇ＾－１（ＮａＣｌＯ４）及ｐＨ值１￣２的条件下）对光的稳定性。实验结果表明：随着体系酸度的增加或激发光频率的增大，Ｆｅ＾ⅢＮＴＡ的光稳定性下降；游离的Ｆｅ（Ⅲ）存在会使Ｆｅ＾ⅢＮＴＡ的光稳定性增强；混配络合物的生成亦会使较低频率单色光照射下的Ｆｅ＾ⅢＮＴＡ稳定性下降。还讨论了本体系中Ｆｅ＾ⅢＮＴＡ的光致分子内氧化     

LiNbO3：Fe晶体横向光生伏打效应引起的各向异性两波耦合

从实验上较全面地研究了ＬｉＮｂＯ３：Ｆｅ的横向光生伏打效应引起的各向异性两波耦合,得到衍射效率随调制度和光强变化的规律,并观察了两波耦合的能量转移特性,实验结果与理论分析符合得很好。     

光生电压谱方法对ZnSe／GaAs异质结导带偏移的研究

实验采用光生电压谱方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结界面的光跃迁进行了观察，在光子能量略低于ＧａＡｓ带边的地方，光生电压谱出现了一个峰，通过分析电子与空穴的分离在界面上形成电偶极层对光生电压谱造成的影响，指出该谱峰对应着界面处电子从ＧａＡｓ价带顶跃迁至ＺｎＳｅ导带底的过程，表明ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结的能带排列属于错开型，并得出在温度小于７０Ｋ的低温下ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带偏移值为１５０ｍｅＶ±     

热处理对二氧化钛/氧化铜复合材料晶体结构与光生电荷分离率的影响

采用溶胶凝胶法制备了二氧化钛 /氧化铜复合材料,研究了热处理温度对复合材料晶体结构与光生电荷分离率的影响,结果表明 400 ℃ 煅烧时 Ti O₂为锐钛矿,Cu/Ti 摩尔比达到 20% 时出现 Cu O 相． 500 ℃ 煅烧时 Ti O₂仍为锐钛矿,Cu/Ti 摩尔比达到 10% 时出现 Cu O 相． 600℃ 煅烧时 Ti O₂为大量锐钛矿与少量金红石组成的混晶结构,Cu元素的加入促进了相变． 对纯 Ti O₂,500℃ 煅烧时光生电荷与空穴分离率最高; Ti O₂/ Cu O 复合材料的光生电荷分离率明显高于纯 Ti O₂.