MOCVD制备GaAs／AlGaAs多量子阱的光致发光特性

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多量子阱结构进行了光致发光特性的测量。结果观察到三个发光峰；位于１．６６４ｅＶ处的峰是自由激子发光；峰值处于１．４８ｌｅＶ的发光是ＧａＡｓ中施主Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子向受主Ｓｉ（Ａｓ）跃迁引起的；而在１．５２９ｅＶ处的弱发光峰是ＧａＡｓ阱层中Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。     

量子阱GaAs太阳电池性能随质子辐照注量的变化

2MeV,1×109～2×1013 cm-2质子辐照量子阱GaAs太阳电池,用I-V特性和光谱响应测试分析辐射效应.研究表明,随辐照注量增大,电池Isc,Voc,Pmax衰降程度增大,相同的注量,Pmax衰降程度最大.当辐照注量大于3×1012 cm-2时,电池Isc衰降程度比Voc的大,当注量小于3×1012 cm-2时,电池Voc衰降程度比Isc的大,与量子阱结构受到损失有关.在整个波长范围,随辐照注量增加,相对光谱响应的衰降变化增大,在900～1000nm波长范围,2×1013 cm-2质子辐照电池使量子阱光谱响应特性消失.     

不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究

报道ＭＯＶＰＥ技术生长不掺杂ＧａＡｓ膜，在Ｈｅ－Ｎｅ激光场作用下，其近红外光吸收系数变化的实验结果。     

GaAs／AlGaAs多量子阱结构材料的光致发光特性

采用ＭＯＣＶＤ技术制备了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构材料，对其进行了光致发光特性的测量，结果观察到５个发光峰，其波数分别为ｕ＝９６００ｃｍ＾－１，１２０２０ｃｍ＾－１，１２２４０ｃｍ＾－１１２５５０ｃｍ＾－１和１３０７０ｃｍ＾－１，并对发光峰的位置进行了理论的说明。     

粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷

作者对AlGaAs/GaAs结构调制掺杂材料及多量子阱材料,分别使用电子束或质子束辐照.电子束辐照能量为0.4～1.8MeV,辐照注量为1×1013cm-2～1×1016cm-2,质子束辐照能量为20～130keV,辐照注量为1×1011cm-2～1×1014cm-2.辐照前后的样品均经过深能级瞬态谱(DLTS)的测试.测试结果表明,电子束辐照引入了新缺陷,其能级位置为E3=Ec-0.65eV,而质子辐照引入的深缺陷能级为E1=Ec-0.22eV,电子和质子束辐照同时对与掺Si有关的原生缺陷Dx中心E2=Ec-0.40eV也有影响,即浓度发生改变,峰形亦不对称,说明其中包含有其他邻近缺陷的贡献.DLTS测试给出了这些深中心的浓度及俘获截面等参数.     

GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料的光致发光特性

采用ＭＯＣＶＤ技术制备了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构材料,对其进行了光致发光特性的测量,结果观察到５个发光峰,其波数分别为υ＝９６００ｃｍ－１,１２０２０ｃｍ－１,１２２４０ｃｍ－１,１２５５０ｃｍ－１和１３０７０ｃｍ－１,并对发光峰的位置进行了理论的说明     

极性晶体膜和量子阱中的弱耦合杂质态的基态能量

本文在考虑电子和声子系统相互作用时,同时计及了体纵光学(LO)声子与表面光学(SO)声子的作用,对束缚在极性膜和量子阱中心的杂质态就弱耦合情形下系统的基态能量进行了计算,并将其表示为膜厚的函数。     

MOCVD制备GaAs/AlGaAs多量子阱的光致发光特性

对MOCVD生长的GaAs/A1_xGa_(1-x)As多量子阱结构进行了光致发光特性的测量,结果观察到三个发光峰:位于1.664eV处的峰是自由激子发光;峰值处于1.481eV的发光是GaAs中施主Si(Ga)原子上的电子向受主Si(As)跃迁引起的;而在1.529eV处的弱发光峰是GaAs阱层中Si(Ga)原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。对三种发光峰的能量位置进行了理论计算,其计算结果与实验测量所得到的值符合较好。     

GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的设计

随着探测领域的不断扩大和深入,人们对高性能量子阱红外探测器的需求也越来越迫切。为了解决这一问题,从量子阱红外探测器性能对探测器材料、结构的依赖作用入手,利用电磁仿真方法设计了5个周期的GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器。该探测器采用纵向层状三明治结构,顶部和底部由n型掺杂的GaAs接触层构成,中间是5个周期的GaAs/AlGaAs量子阱复合层。结果表明,该量子阱探测器的最优探测波段为978 nm,而且在近红外波段该红外探测器的反射峰值随着量子阱阱宽的增大向低频方向移动,其最优阱宽为5 nm,为获得高性能量子阱红外探测器提供理论支持。     

GaAs掺杂超晶格的PR谱研究

本文报道了 GaAs 掺杂超晶格的室温 PR 谱研究结果.在1.43eV～1.52eV 能区观测到了与量子化电子或空穴态有关的一系列 PR 谱结构,并分析了这些结构的跃迁机理.实验结果与理论计算符合很好.同时,在2.80eV～3.30eV 间测得的(?)_1和(?)_1+△_1,也显示了明显的量子尺寸效应(quantum size effect).     

Ar^＋激光的压缩照射研究

A_r~ 激光照射泡沫塑料、肉、脂肪、人体,有明显的压缩照射效应。对A_r~ 激光的压缩照射进行了理论分析。理论与实验相一致,讨论了A_r~ 激光的人体压缩照射。     

GaAs/GaAlAs半导体激光器后腔面蒸镀ZrO_2/SiO_2多层涂层

半导体激光器和光发射二极管是光纤通讯、光信息处理、光计算、光存贮等的重要元件,是集成光电子学、集成光学中不可缺少的重要单元。提高它们的量子效率、输出功率、可靠性、延长使用寿命等一直是人们所关注的问题。腔面涂层就是一个非常有效的途径。目前,这方面的研究很活跃,有很多报道。     

GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测材料的结构厚度获取方法

通过常规的透射光谱测量,提供一种获取GaAs/AlGaAs多量子阱材料中上电极层、多量子阱区域实际生长厚度的简便、无损伤的方法,这两个厚度参数在器件制备工艺、材料生长参数修正中起关键作用.     

激光辐照效应的研究型物理实验探索

介绍了激光辐照效应研究型物理实验的教学探索实践,利用CO2激光对石英玻璃元件表面进行辐照处理,实现对元件亚表面裂纹等缺陷的修复,另外对CO2激光辐照热效应过程进行了理论解释。该实验可作为高年级本科生的专业选修实验,以及课程设计或毕业设计的研究型实验,对培养和锻炼学生的创新能力,发挥学生的主观能动性等都有重要的意义。     

CO_2激光辐照强化钢表面的机理

利用连续多模输出的圆形CO_2 激光束对钢进行连续、大面积辐照表面强化处理,得到了厚度均匀的表面层硬化带。它与未经激光处理的钢表面层相比,显微组织发生了明显的改变,晶粒显著细化,硬度大幅度提高,缺陷密度剧增。进行对比疲劳试验的结果表明,经激光处理的试样,其疲劳区内移,疲劳寿命大大提高。     

GaAs／Ga1—xAlxAs 量子阱结构能带的不连续性

用改进的方势阱模型、半导体统计方法,研究了决定GaAs/Ga_(1-x)Al_xAS量子阱结构中能带不连续的参数Qe与热平衡费米能级的关系,Qe作为一个统计参数,不仅与组分x、阱宽L有关,还与温度有关,计算表明,对不同的x、L值,Qe的数值可在一个相当大的范围内变化,在同样组分下,阱宽越大,Qe越小;在同样阱宽下,组分越高,Qe越小,计算结果与一些实验结果符合得很好。     

GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs量子阱的Type-II特性

研究了分子束外延生长的不同含量的GaAs1-xSbx/GaAs量子阱的光荧光特性和时间分辨光谱特性.分析表明,利用电子空穴分离导致了能带弯曲和能带填充效应,实验结果说明了GaAs1-xSbx/GaAs异质结至少在Sb原子数目百分比为16%￣26%时是Type-II结构.     

强激光的靶面均匀辐照和光束匀滑技术

惯性约束核聚变（ICF）的研究对解决当今世界面临的能源危机具有重要意义.为实现ICF聚变点火,要求聚焦到靶面的强激光具有很高的均匀性.分析了实现激光光束匀滑和靶面均匀辐照的几种主要技术方案的原理和方法,得出各技术手段的性能特点及适用条件.