退火工艺对铁基非晶薄带压应力阻抗效应的影响

采用单辊法制备了宽4.5 mm厚25μm的Fe73.5Cu1Nb3Si3.5B9非晶薄带,且对薄带进行了退火处理和金相分析,并研究了退火工艺对非晶薄带SI效应的影响.结果表明,非晶薄带经300℃退火后开始出现晶化现象;与淬态非晶薄带相比,退火可以增强非晶薄带的SI效应,经300℃×2 h退火后薄带的SI效应最大,当测试频率为50 MHz,测试压应力为3.6 MPa时,淬态非晶薄带的SI效应为5.63%,而经300℃×2 h退火后薄带的SI效应可达7.83%.     

FeCuNbSiB非晶薄带的磁感应效应

研究了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B^9非晶薄带磁感应效应和磁感应效应变化幅度的影响因素。结果表明：当励磁信号为正弦交流电时,线圈感应电压也为同频率的正弦交流电压,当励磁信号为矩形电压时,线圈感应电压则为同频率的尖脉冲电压。磁感应效应随着励磁电压幅值的增大而增强;随着磁场强度和限流电阻的增大而减弱。磁感应效应变化幅度随着磁场强度和励磁电压幅值的增大而增大;随着限流电阻的增大呈现出先增大后减小的趋势。     

FeCuNbSiB非晶薄带的磁感应效应

研究了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带磁感应效应和磁感应效应变化幅度的影响因素.结果 表明:当励磁信号为正弦交流电时,线圈感应电压也为同频率的正弦交流电压,当励磁信号为矩形电压时,线圈感应电压则为同频率的尖脉冲电压.磁感应效应随着励磁电压幅值的增大而增强;随着磁场强度和限流电阻的增大而减弱.磁感应效应变化幅度随着磁场强度和励磁电压幅值的增大而增大;随着限流电阻的增大呈现出先增大后减小的趋势.     

非晶铁磁纤维应力阻抗效应的理论分析

玻璃包裹非晶铁磁纤维的应力阻抗效应在应力传惑器以及智能吸汲材料寺万回有巳大的潜在应用．本文从LLG和Maxwell方程出发,从理论上分析了非晶铁磁纤维的应力阻抗效应以及诸多内外部因素对它的影响．分析结果表明,当其他因素不变时,应力阻抗效应分别随着外应力、外磁场、饱和磁致伸缩系数、饱和磁化强度以及频率的增大先增后减,但对纤维半径变化最敏感,而饱和磁化强度对应力阻抗效应的影响则很小．上述研究对非晶铁磁纤维制造工艺的优化以及应力阻抗效应最佳实验条件的探索具有一定的指导意义．     

铁硅硼非晶薄带的磁阻抗效应

研究了频率、磁场强度、线圈匝数、薄带长度以及退火对Fe78Si9B13非晶薄带的磁阻抗效应的影响.结果表明:非晶薄带的阻抗随着频率的升高和线圈匝数的增多而增大,随着磁场强度和薄带长度的增大而减小;非晶薄带的阻抗变化幅度随着频率的升高、磁场强度的增大和线圈匝数的增多而增大,随着薄带长度的增大而减小;退火可以提高非晶薄带的磁阻抗效应.     

非晶FeCuNbSiB多层膜的巨磁阻抗效应

研究在250℃退火温度下非晶FeCuNbSiB薄膜的巨磁阻抗效应.X-ray谱和Mossbauer谱显示样品为非晶状态.导电层的厚度为2 μm,磁性层的厚度为1 μm.三明治结构的最大阻抗效应为20%.为了提高巨磁阻抗效应,在两磁性层之间加入了绝缘层SiO2,在250℃退火温度下最大阻抗效应为62%.随着驱动电流频率的增大,磁阻抗效应曲线由随磁场的单调下降变为出现峰的结构.     

FeNi基非晶薄带的巨磁阻抗效应研究

采用甩带快淬法制备了FeNi基[(Fe50Ni50)77.5Cr0.5Si11B11]软磁非晶薄带,测试与分析了FeNi基合金薄带的微结构、静磁性能和磁阻抗.结果表明:FeNi基合金薄带在快淬态便具有良好的软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应,薄带的几何尺寸对其GMI效应有明显影响,尺寸为宽2 mm,长20 mm的薄带具有最佳GMI效应,在5 MHz下,最大纵向GMI比达到25.0%,最大横向GMI比达到19.7%.讨论了最佳几何尺寸样品的磁阻抗比在不同的频率下随外加直流磁场的变化规律.     

限流电阻对FeCuNbSiB非晶薄带磁感应效应的影响

研究限流电阻对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9山非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响。结果表明：非晶薄带的磁感应效应随着限流电阻的增大而减弱;当限流电阻小于100Ω时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着限流电阻的增大而增大,当限流电阻大于100Ω时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着限流电阻的增大而减小。     

限流电阻对FeCuNbSiB非晶薄带磁感应效应的影响

研究限流电阻对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响.结果 表明:非晶薄带的磁感应效应随着限流电阻的增大而减弱;当限流电阻小于100 Ω时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着限流电阻的增大而增大,当限流电阻大于100Ω时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着限流电阻的增大而减小.     

非晶FeCuNbSiB多层膜的巨磁阻抗效应(英)

研究在250℃退火温度下非晶FeCuNbSiB薄膜的巨磁阻抗效应.X-ray谱和Mössbauer谱显示样品为非晶状态.导电层的厚度为2μm，磁性层的厚度为1μm.三明治结构的最大阻抗效应为20%.为了提高巨磁阻抗效应，在两磁性层之间加入了绝缘层SiO₂，在250℃退火温度下最大阻抗效应为62%.随着驱动电流频率的增大，磁阻抗效应曲线由随磁场的单调下降变为出现峰的结构.     

非晶金属的激波微晶晶化、纳米晶化

用X-rayDiffraction(XRD)研究激波对FeCuNbSiB非晶合金的影响。结果表明:一定强度的激波能使非晶态转变为晶态,而且晶粒尺寸在100纳米范围内。     

电脉冲加热Fe_（78）B_（13）Si_9非晶合金的力性及磁性

采用大电流交流脉冲快速加热Ｆｅ７８Ｂ１３Ｓｉ９非晶合金条带，研究了脉冲加热工艺参数对加热速率、应力释放率、退火脆化和软磁性能的影响规律．结果表明，脉冲电流加热时，加热速率比常规退火高３～４个数量级，内应力释放率可达８５％，退火脆化受到抑制．和淬态相比，矫顽力Ｈｅ降低仅为其１／４，饱和磁感Ｂ．提高３０％以上，软激性能得到明显改善．     

电沉积Ni-W-P非晶合金的组织结构与耐蚀性能

研究了电沉积Ni-W-P非晶合金随热处理温度升高，其结构及耐蚀性能的变化规率。结果表明，镀态Ni-W-P合金在300℃以下温度热处理后，仍为非晶态；随温度升高开始晶化，到500℃时晶化过程结束；其腐蚀速率随热处理温度的升高增大，于500℃达到最大值，而后降低。     

正电子在非晶态Ni-P合金镀层中的注入与湮没

测量了正电子在化学沉积的非晶态Ni-P合金镀层中的透射强度,借此求得正电子在该镀层中的有效质量吸收系数和注入剖面。研究了磷含量和热处理对化学沉积和电沉积的非晶态Ni-P合金结构缺陷的影响。     

活化非晶Fe80Zr12B8合金催化剂的表面结构

采用Auger电子能谱 (AES)、X射线光电子能谱 (XPS)、扫描Auger探针 (SAM)及X射线衍射 (XRD)等分析手段 ,研究了活化非晶Fe80 Zr1 2 B8合金催化剂的表面结构。实验结果表明 :非晶Fe80 Zr1 2 B8合金条带原位活化后 ,条带比表面积从原始条带的 0 .11m2 g增加到了 2 .6 8m2 g ;条带体结构发生了晶化 ;活化催化剂表面形成了一层多孔粉粒 ,粉粒内部微观结构由α Fe微晶 ,ZrO2 、ZrN及B的氧化物组成。     

钛合金的应力腐蚀

分析了环境、应力、材料对钛合金应力腐蚀的影响,介绍了钛合金应力腐蚀的3种机制(即活性通道机理、氢脆机理、氯脆机理).     

基于多物理场耦合的非晶合金变压器短路特性分析

非晶合金变压器具有显著的节能优势,但是抗短路能力不足。针对在实际试验研究中非晶合金变压器绕组短路系列故障设置困难问题,本文基于电磁场-结构力场-温度场的瞬态多物理场耦合理论,建立变压器有限元三维模型。仿真了低压侧出口三相短路条件下非晶合金变压器矩形绕组的短路特性,研究了非晶合金变压器发生短路时温度剧烈升高所带来的热应力对绕组形变的影响。并对单独电磁力作用和电磁力热应力耦合作用下的绕组应力和形变进行了对比,计算结果表明热效应会对变压器形变产生较大影响,造成矩形绕组多处严重变形损坏。短路温升是变压器变形损坏不可忽略的因素,同时也是提升变压器抗短路能力中需要重点考虑的问题。     

NiB/Al_2O_3非晶态合金催化剂抗硫性能研究

采用化学还原法制备了非晶态NiB合金及负载型非晶态NiB/Al2 O3合金 ,用浸渍法制备了Ni/Al2 O3催化剂。用ICP、BET、TPD及氢吸附等方法对催化剂进行了表征。以苯加氢为探针反应 ,以CS2 为毒物 ,对各催化剂的催化活性和抗硫性能进行了比较。研究结果表明 ,非晶态合金由于有更高的活性镍面积而表现出更高的催化活性及抗硫性能 ,载体能改善非晶态合金的性能 ,并对毒物有一定的吸附作用。在非晶态合金表面有三种中心 ,CS2 优先中毒高温吸附中心。