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相似文献
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1.
以氯化镉、二氧化硒及硫化钠为原料在水相中直接合成巯基乙酸稳定的CdSe/CdS核壳型量子点,对所合成的核壳量子点的晶体结构、形貌特点及光学特性进行了X线粉末衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、紫外可见吸收光谱(UV-vis)和荧光光谱(PL)表征.XRD结果表明合成的CdSe/CdS核壳量子点表现出显著的立方晶系结构CdS的特征峰;TEM结果显示所合成的量子点形貌呈近球状,直径大约6nm.CdSe/CdS量子点发射黄色荧光,其荧光强度是CdSe的10倍左右.将CdSe/CdS量子点与蓝光InGaN芯片组合得到白光发光二极管(LED),所得白光LED的显示指数为77.1,与当前商业用的YAG白光LED相当,说明所合成的CdSe/CdS核壳量子点可作为白光LED备选荧光材料.  相似文献   

2.
以巯基乙酸为稳定剂,通过控制反应温度、反应时间及pH值,在水相中合成了稳定的CdS量子点;用扫描电镜、红外光谱对CdS量子点进行了表征,结果表明巯基乙酸很好地修饰了CdS量子点,所合成的CdS量子点的平均粒径小,分散性好.紫外吸收光谱和荧光光谱研究表明,该量子点有较好的发光性能.与此同时。还定性分析了牛血清白蛋白(BSA)与量子点的共振散射光谱,实验表明,一定浓度牛血清白蛋白的加入使其共振散射性能有规律地增强.  相似文献   

3.
采用水相原位合成法,用室温下氨基乙酸与二硫化碳的反应产生的1,3-二羧甲基硫脲( DCMTU)、硫化氢分别作为稳定剂、硫源,氯化镉为前驱体制备了尺寸在8、16、35和50nm左右的水分散CdS量子点.并分别讨论了氨基乙酸与镉离子的摩尔比对CdS量子点晶型、粒径、IR、XRD、UV-Vis和荧光性能的影响,还讨论了制备pH值、温度及样品处理方式等因素对CdS量子点荧光性能的影响.  相似文献   

4.
以巯基乙酸为稳定剂,在水相中直接合成表面带负电荷,具有良好的分散性CdS量子点.利用CdS量子点、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷和壳聚糖之间的静电吸引相互作用,在石英表面通过层层组装,构筑多层CdS量子点纳米薄膜.采用荧光光谱、荧光显微镜对Quartz/APES/CdS量子点自组装膜进行表征,并将该膜用于对DNA的界面荧光传...  相似文献   

5.
LSS体系合成CdS半导体量子点   总被引:1,自引:1,他引:0  
用LSS体系制得了CdS半导体量子点,采用X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)等测试手段对产物进行了表征.以油酸和乙醇为液相(L),油酸钠为固相(S),乙醇和含Cd2+的水溶液为溶液相(S),构成LSS体系.体系中以硫化钠为硫源在180 ℃恒温4 h,在L-S相界面处形成CdS量子点.制得的量子点具有良好的形貌,外形规则,为立方晶系结构,直径大约为4 nm.对CdS量子点的紫外-可见吸收光谱和荧光光谱进行了分析.  相似文献   

6.
基于连续注射进样系统,研究了水溶性CdS量子点的合成方法。结果表明连续注射技术可实现对反应物比例的精确控制,从而快速确定最佳反应物比例,所制得CdS量子点荧光特性较为稳定。激发波长范围为340~360 nm,且在480~510 nm的宽波长范围有强烈荧光发射。在最佳反应物比例为nCd:nTGA:nS=1.00:1.15:0.90时,最大荧光发射波长为504 nm。CdS量子点的荧光显微成像表明其水溶液分散性良好。  相似文献   

7.
水相中合成CdTe半导体量子点   总被引:2,自引:0,他引:2  
用不同修饰剂在水相中合成了CdTe半导体量子点(Quantum Dots,QDs).通过紫外吸收光谱(UV-VIS)、荧光发射光谱(PL)、Zeta电位等方法对制备的样品进行了表征.实验结果表明:选用同一修饰剂,紫外吸收和荧光发射峰随反应时间的延长有明显红移,即粒径在不断长大;选用不同的修饰剂,反应相同的时间,可以得到不同粒径的量子点;合成CdTe量子点的发射谱的平均半峰宽约为50 nm,单分散性很好;以巯基乙酸为修饰剂,反应时间为240 min时,是水相合成CdTe量子点的最佳条件;量子点水溶液的Zeta电位受修饰剂和pH值的影响;水溶性的、带有官能团的量子点适合于进一步的生物应用.  相似文献   

8.
分别以半胱胺(CA)、半胱氨酸(L-cys)、谷胱甘肽(GSH)为包被试剂,制备出了3种粒径相同的水溶性CdS量子点,考察了这些CdS量子点在不同氧化剂体系下的化学发光行为.结果表明,CdS量子点化学发光性能与氧化体系密切相关,而且包被试剂对CdS量子点化学发光性能影响很大.此研究为提高量子点的化学发光效率提出了一种新的途径,即通过优化其包被试剂来提高量子点的化学发光效率.  相似文献   

9.
用发散法合成了以苯胺为核的不同代数的聚酰胺-胺(PAMAM)型树枝状分子,采用核磁共振仪(NMR)对它们的结构进行了鉴定。又以第4代PAMAM树形分子(G4.0)为模板,在树形分子空腔内原位合成了硫化镉(CdS)纳米粒子。通过改变Cd2+与G4.0树枝状分子的摩尔比可以得到不同粒径的CdS量子点,并对其光学性能进行了表征。探讨了溶剂对CdS半导体纳米粒子在PAMAM模板中生长的影响。用UV-visible分光光度计和TEM对CdS纳米簇的大小和形貌进行了表征。结果表明TEM 观测的CdS纳米簇粒径要大于用Brus公式估算的数值。  相似文献   

10.
室温下以柠檬酸钠为稳定剂,在水相中合成了CdS量子点.通过分析浓度、pH值、配比等因素,获得了强发光CdS量子点的制备条件.初步推断具有高能带隙的立方晶相的CdO·nH2O对同样是立方相的CdS量子点的表面修饰是得到强发光荧光性能的重要原因.  相似文献   

11.
Novel CdTe/CdS quantum dots(QDs)coated with a hybrid of SiO_2 and ZnS were fabricated through a simple two-step approach.The hybrid SiO_2/ZnS coated CdTe/CdS quantum dots was characterized by transmission electron microscopy(TEM),UV and fluorescence spectrometer.Results indicated that the core-shell structure gave the QDs outstanding photoluminescence properties,includinganarrowphotoluminescencespectrum,high photoluminescence(PL)quantum yield and long emission lifetime(average PL lifetime of increased from 26.4 ns to 49.1 ns).Cellular studies showed the QDs had good cytocompatibility with Hela cells as determined by the 3-(4,5-dimethyl-2-thiazolyl)-2,5-diphenyl-2-H-tetrazolium bromide(MTT)assay after coating SiO_2/ZnS,and also proved the feasibility of using the hybrid SiO_2/ZnS coated QDs as optical probes for in vitro cell imaging.The synthesis method of QDs is highly promising for the production of robust and functional optical probes for bio-imaging and sensing applications.  相似文献   

12.
采用低温水热技术,以硫脲为稳定剂,在90℃的水相中合成了发蓝色荧光的Mn^2+和Ce^3+共掺杂的CdS体量子点。用透射电子显微镜对该量子点形貌进行了表征,其直径约为10 nm的球形颗粒。研究了该量子点的紫外-可见吸收光谱、荧光发射光谱以及荧光光谱随时间的变化。结果表明,Mn^2+和Ce^3+共掺杂使CdS量子点的发光强度提高10倍;该量子点具有较好的发光稳定性。  相似文献   

13.
Electrospun porous films doped with the green-synthesized CdSe quantum dots were synthesized. Glycerol was chosen to prepare the quantum dots ( QDs), with the highest quantum yield of 78.28%. Polycaprolactone (PCL) was electrospun with CdSe QDs to avoid the QDs' toxicity and improve the QDs' cytocompatibility. The electrospun QDs-doped films preserve the original QDs' fluorescence. Pores can be detected from the SEM of the films, predicting the possibility of loading drugs in the cancer therapy. The cell proliferation assay shows excellent cytocompatibility of the eletrospun CdSe-QDs-doped films. The present eletrospun CdSe- QDs-doped porous films are cytocompatibale, highly-fluorescent and ootential to load drugs in cancer therapy.  相似文献   

14.
CdTe/CdS量子点荧光探针测定痕量汞(Ⅱ)   总被引:1,自引:0,他引:1  
在水溶液中合成巯基乙酸修饰的CdTe/CdS量子点(QDs),再基于Hg2+与CdTe/CdS量子点的荧光猝灭作用,建立用CdTe/CdS量子点作为荧光探针检测微量汞的新方法,并用该方法测定水中汞的含量。研究表明,pH值为6.24的磷酸缓冲溶液中,量子点浓度为3.75×10-4mol/L时,Hg2+离子浓度在2.3~150μg/L范围与CdTe/CdS量子点荧光猝灭强度呈良好的线性关系,相关系数为0.9985,检出限为0.87μg/L,回收率为99.0%~107.5%。该方法检测效果好,可用于实际样品分析。  相似文献   

15.
以聚丙烯酸(PAA)为稳定剂,成功合成了水溶性的CdS量子点(QDs).CdS QDs表面的羧基能与Eu3+ 结合导致QDs聚集,有效引发QDs间能量的转移,致使CdS QDs荧光显著猝灭.当加入PO3-4时,由于PO3-4与Eu3+的结合能力强于CdS QDs表面的羧基,CdS QDs荧光强度又逐渐恢复.由此建立一种基于CdS-Eu(Ⅲ)体系荧光恢复可视化测定磷酸根离子的新方法.该方法灵敏、简单,检测限为0.078 μmol·L-1.  相似文献   

16.
Bright Cu-doped ternary ZnCdS quantum dots (ZnCdS:Cu QDs) with varied Cd concentrations were synthesized in aqueous solution by using a convenient microwave method.These ternary QDs could be directly dispersed in water solution.By regulating the Cd2+ concentration from 0 to 50% (mole fraction of the cations),the photoluminescence excitation (PLE) peak of such ZnCdS:Cu QDs could be continuously redshifted from 320 nm to 380 nm,while their photoluminescence (PL) peak was redshifted from 490 nm to 580 nm,exhibiting multicolor Cu-related emissions.Furthermore,the quantum yield of the ZnCdS:Cu QDs could reach as high as 12% by regulating the Cu doping concentration.These ZnCdS:Cu ternary QDs with kind surface conditions and good composition-controllable optical properties may have potential application in many areas such as sensing,bioimaging,and light-emitting diodes.  相似文献   

17.
以巯基丙酸(mercaptopropionic acid,MPA)作为稳定剂,在水相中合成Cu离子掺杂的ZnSe量子点(quantum dots,QDs),并以ZnTe修饰其表面(ZnSe:Cu/ZnTe QDs).采用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)、高分辨透视电子显微镜(high resolution transmission electronic microscopy,HRTEM)、紫外可见吸收光谱(ultraviolent-visible spectroscopy,UV-VIS)和光致发光(photoluminescence,PL)荧光光度计对其结构、相貌和光学特性进行表征.结果表明,合成所得荧光量子点的大小为4~6 nm;当激发波长325 nm时,荧光发射峰约为510 nm;经160 ℃热处理后,荧光发射峰会红移至540 nm左右,初步说明ZnTe的修饰会改变ZnSe:Cu量子点荧光发射峰的位置.  相似文献   

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