低熔点玻璃非匹配封接

本文主要介绍低熔点玻璃非匹配封接的原理及工艺,所用封接试件的膨胀系数从(40～80)×10~(-7)/℃,封接用的低熔点玻璃胀膨系数为(80～100×10~(-7)/℃,封接温度550℃以下,封接试件用质谱检漏并进行常规排气试验,封接方法可用高频封,炉封等.     

真空灭弧室两种封接焊缝应力对比分析

由于焊料凝固限制了瓷壳和金属的自由收缩,在真空灭弧室整管钎焊过程中,会产生陶瓷与金属的封接应力,影响封接强度．在真空灭弧室中,常用的有立封和平封两种封接结构．应用液体焊料的能量约束方程,确定了立封结构的焊料凝固轮廓线,得到了立封焊缝的有限元模型;根据焊料用量和装配模的重力,确定了平封焊缝有限元模型．两种封接结构下的应力分析对比计算结果及标准抗拉件试验都表明,立封结构比平封结构的封接应力小,总拉力和单位面积上的抗拉极限应力都比平封的高．     

静电封接与硅杯腐蚀的新技术

论述硅与玻璃真空静电封接的工作原理、实验方法以及形成硅杯的各向异性腐蚀技术．关键词     

陶瓷与金属的氧化物封接料制备及其封接工艺

用混合熔烧的方法，制备出一种氧化物封接料．该封接料能在７００℃下对氧化铝瓷与铜及铜合金进行气密性封接．在封接中，只需将封接料涂在陶瓷体的封接面，套上金属件，在马弗炉中以５℃／ｍｉｎ升温到７００℃后保温１０ｍｉｎ即可．对封接体所作的拉伸强度和气密性质量检测表明，封接界面的抗拉强度高于陶瓷本体强度，界面对空气的漏率小于１．４×１０－９Ｐａｍ３／ｈ，满足工业部门对封接质量的要求．     

基于光纤传感的玻璃封接预应力测量

为实现对玻璃中预应力的测量,该文提出了一种基于光纤传感的玻璃封接预应力测量方法。将光纤Bragg光栅传感器植入封接玻璃预留孔中,加热使玻璃熔融,再冷却固化从而使光纤传感器、玻璃、金属同时烧结在一起。通过光纤传感信号的实时监测,实现了对封接温度的实时测量。通过光纤传感信号的变化,计算出了封接玻璃中测量路径的轴向压缩应变,结合有限元分析得到玻璃中的全局应力分布。实验结果表明:光纤传感器可实现对封接过程温度和应力的监测,以玻璃中预应力为指标可以实现对封接工艺的优化。     

玻璃真空灭弧室中封炸线机理浅析

屏蔽筒中间封接式灭弧室设计,符合真空灭弧室小型化及高电压等级的发展方向,但中间封接式真空灭弧室中封处为玻璃外壳的薄弱部位,其中中封炸线为中封处一重要缺陷。该研究者通过对中封炸线真空灭弧室解剖分析,观察玻珠色泽,玻珠与可伐环粘接状况、测量玻珠宽度,结合玻璃应力、玻璃与金属封接理论,确定出中封炸线形成的机理。     

场致发射平板显示器(FED)的封接工艺

介绍低熔点玻璃材料封接工艺 ,主要包括低熔点玻璃材料的选择、调制、涂覆、加热处理以及玻璃基板的预处理 .根据此工艺 ,已封接出令人满意的显示屏     

陶瓷封接合金的匹配性研究

本文介绍了热膨胀示差法测量金属与陶瓷的封接应力的装置,参考陶瓷电子管的制管工艺要求,用这种设备测定了两种Fe-Ni-Co膨胀合金<牌号4J29、4J33>、无氧铜等与95％Al_2O_3陶瓷制成的封接件,在室温800℃之间瓷件应变量随温度的变化曲线,实验表明,对具有“因瓦反常”效应的4J29、4J33合金,室温封接应力不是决定于在焊接温度时两种材料的膨胀差,而是决定于在合金居里温度<约400℃>的膨胀差值,在此温度,合金的平均线膨胀系数越低于陶瓷,室温封接应力越低,这一结果和用电阻应变仪法测量的相一致,封接过程中的应力松弛作用表明了产生这种现象的原因。实验还表明,在高温下的焊料变形和无氧铜的塑性变形均对封接应力有显著影响。     

浅述无铅磷酸盐低熔封接玻璃的发展前景

封接玻璃的无铅化已成为时代发展的趋势，我们势必要找到一种复舍经济、环保、实用等特点的无铅封接玻璃来满足人们的要求，本文从国际无铅化的必要性谈起，介绍了几种新型的无铅化封接玻璃体系．并着重于磷酸盐体系，从其自身特点和研究概况讲述了其广阔的发展前景。     

铋系低熔微晶封接玻璃的制备与性能研究

采用溶胶-凝胶法制备出封接玻璃前驱体粉末,而后通过热处理制得Bi2O3-B2O3-SiO2三元系列微晶封接玻璃.并通过掺杂CaO、SrO、BaO等碱土金属氧化物,制得四元系列封接玻璃.考察了二次热处理的温度和保温时间等因素对产物析晶性能的影响,通过XRD、Raman、DSC、CTE等测试手段对不同热处理条件下所得产物的性能进行了研究.结果表明,制得的玻璃系列均呈微晶态,掺杂体系的热膨胀系数有增大的趋势,且玻璃转变温度均较低.     

自偏置的多段曲率校正带隙基准源

典型的帶隙基准电压源电路是由CMOS工艺产生的具有负温度系数的寄生横向BJT的发射结电压VEB和具有正温度系数的热电压Vt 相补偿产生零温度系数的基准帶隙电压源。但是VEB与温度不是线性关系, 因此VREF需要被校正。本文介绍了一种高精度自偏置多段二次曲率补偿的CMOS帶隙基准电压源。采用0.5 m CMOS工艺、工作电压为3.3V,该芯片室温下功耗为94W。设计在0 oC—75 oC有效温度系数达到了0.7ppm/oC。     

单克隆抗体与葡萄球菌肠毒素A结合物的制备及其抗肝癌作用

目的：制备超抗原（BAg)葡萄球菌肠毒素A（SEA）与抗人原发性肝细胞癌（简称肝癌）单克隆抗体（McAb)HAb18F(ab‘)2段的结合物,探讨其介导外周血单个核细胞（PBMC）的抗人肝癌作用。方法,制备McAb HAb18,并用木瓜蛋白酶消化法制备其F（ab‘)2段,再用化学连接剂N－琥珀酰亚氨基－3－（2－二硫吡啶）丙酸酯（SPDP）制备HAb18 F(ab‘)2-SEA结合物,结合物经经快速蛋白质液相层析系统用凝胶色谱柱纯化后,用SDSPAGE鉴定各种收集峰,免疫组化ABC法鉴定结合物的抗体活性,MTT法鉴定结合物活化PBMC的活性及其介导PBMC的杀伤肝癌细胞作用,结果,制备的HAb18F(ab‘)2-SEA结合物具有肝癌抗体活性和活化PBMC的功能,此结合物具有明显的介导PBMC杀伤肝癌细胞的作用,并与其[浓度呈正相关,结论,SPDP是一种很好的蛋白质交联剂,HAb18 F(ab‘)2-SEA结合物民向治疗肝癌具有一定的发展前景。     

从天然氨基酸到咪唑衍生物

天然氨基酸是较好的手性来源．在碱性条件下与乙二醛、甲醛经过缩合反应生成了（S）-2-（咪唑-1-基）羧酸钠，再在甲醇中和氯化亚砜反应制得手性咪唑羧酸甲酯．进一步以二胺为桥联剂，经直接胺解获得双咪唑化合物．对所制化合物进行了结构表征．     

抗肿瘤药物索拉非尼合成工艺的改进

以2-吡啶甲酸（2）为起始原料,经氯化、酯化一锅法合成高纯度的中间体（4）,中间体（4）经酰胺化得到中间体（5）,（5）在TBAB和氢氧化钠存在下,与对氨基苯酚亲核取代成醚得到中间体（6）;3-三氟甲基-4-氯苯胺（7）和三光气反应,经减压蒸馏纯化得到相应的异氰酸酯（8）;（6）与4--氯-3-三氟甲基苯异氰酸酯（8）缩合制得索拉非尼（1）．改进后的合成工艺总收率达69．7％,生产成本低,环境友好,操作简单且易于工业化生产．     

聚吡咯/聚砜复合膜的电化学制备及其电化学性能

采用电化学聚合法制备了聚吡咯（PPY）／聚砜（PSF）复合膜，分别用扫描电子显微镜（SEM）和红外光谱（FT—IR）表征了复合膜的表面形态和化学组分，并用循环伏安法和电化学交流阻抗法对其电化学性能进行了研究．结果表明，复合膜呈双层不对称孔结构，其内层（与工作电极接触的一面）是由黑色聚吡咯组成的带少量微孔的致密导电层，而外层（与溶液接触的一面）则是由白色聚砜组成的具有许多微孔的绝缘层；相同条件下所制的复合膜电化学重复性好，在酸性溶液中具有较好的电化学稳定性和电化学活性．     

海藻酸分子印迹聚合物的合成及其对锌离子的识别作用

将海藻酸钠与锌(II)配位形成配位聚合物膜,用FT-IR和DRS研究所得到的海藻酸-锌(II)配位聚合物(AA-Zn)的形成机理。将此配位聚合物与戊二醛(GA)进行交联,得到交联印迹聚合物前体,并用FT-IR光谱表征其结构。为了制备对Zn2+离子敏感的分子印迹聚合物(MIP),将前体聚合物浸入0.5 moL/L HCl溶液中48 h并搅拌,以洗脱Zn2+离子得到印迹聚合物(MIP-Zn)。洗脱液用UV-Vis光谱检测并验证,UV-Vis谱图显示Zn(II)的特征吸收峰在240 nm处,表明Zn2+离子已被洗脱。将制得的海藻酸钠-锌(II)印迹膜用于吸附Zn2+离子,结果表明印迹聚合物对Zn2+离子有较强的吸附能力。     

微波辅助合成聚N,N'-均苯四酸-2-L-蛋氨酸乙二酰胺

以均苯四甲酸二酐(化合物1)和L-蛋氨酸(化合物2)为反应物,无水醋酸为溶剂,反应生成酰亚胺酸[N,N'-均苯四酸-2-L-蛋氨酸二酸](化合物3).化合物3与二氯亚砜形成酰氯[N,N'-均苯四酸-2-L-蛋氨酸二酰氯](化合物4)后,在微波加热条件下,在10min内与乙二胺快速形成缩聚产物[聚N,N'-均苯四酸-2-L-蛋氨酸乙二酰胺](聚合物5).应用红外光谱分析(IR)和核磁共振氢谱分析(1H-NMR)对产物进行结构表征.结果表明,通过微波辅助加热可用L-蛋氨酸为原料将手性元素引入聚合物.     

Structure and magnetic properties of Ni50Mn35In15 thin film

Thin film of Ni50Mn35In15 Heusler alloy was prepared on Mg O(001) substrate by epitaxial growth in an ultra-high vacuum(UHV) chamber by a Pulsed Laser Deposition(PLD) method. The epitaxial growth process was monitored by in situ reflection high energy electron diffraction(RHEED) and the structure of the film was checked by ex situ X-ray diffraction(XRD), which indicates that high quality Ni50Mn35In15 single crystal film with a face-centered-cubic(fcc) structure could be stabilized on Mg O(001). Magnetic property measurement was also conducted at various temperatures by using physical property measurement system(PPMS). A significant exchange bias was observed for Ni50Mn35In15 film,and the strength of the exchange bias field(HEB) increases with the decrease of temperature. Such a behavior can be ascribed to the fact that the interfacial spin interaction between ferromagnetic(FM) and antiferromagnetic(AFM) cluster is enhanced with the decrease of temperature.     

直接缩聚法合成淀粉接枝可降解聚酯和聚酯酰胺及其表征

以可溶性淀粉、乳酸、乙醇酸和己内酰胺为原料在氯化亚锡催化下直接缩聚制备得到了淀粉接枝乳酸-乙醇酸共聚物及淀粉接枝乳酸-乙醇酸-己内酰胺共聚物。用核磁共振(NMR)、差热(DSC)及热重(TG)分析分别对产物的结构和热性能进行了表征。     

Novel Polymer Resistive-type Humidity Sensitive Materials

1 Results Humidity sensors have been widely investigated in recent years[1,2].In this work,two kinds of polymer resistive-type humidity sensitive materials were prepared as follows: 1) polymer electrolyte with an IPN structure formed by the simultaneous quaternization and crosslinking of poly(4-vinylpyridine) (P4VP) and poly(glycidyl methacrylate) (PGMA) with 1,4-dibromobutane (DBB) and diethyltriamine (DETA) respectively; 2) silicon-containing polyelectrolyte with crosslinking structure formed by a sim...