SnO2：F透明导电薄膜及其物理特性

本文中报道优质SnO_2:F透明导电薄膜的制备方法,通过对薄膜透射率和电导(方块电阻)的测量分析,研究薄膜特性与工艺条件的关系,探讨最佳工艺条件和薄膜形成规律。提出一种SnO_2:F 晶体缺陷结构模型,可以较好解释电导随 F掺杂浓度的变化结果。     

射频反应性溅射Cd—Sn合金靶沉积透明导电Cd_2SnO_4薄膜

近年来,透明导电 Cd_2SnO_4薄膜以其在可见光区域好的透明性(平均透光率达90%)和高的导电性(电阻率约为10~(-6)Ω·m)而受到广泛重视。尤其是它在用于光电子和太阳能转换装置中的透明电极等方面具有诱人的应用前景。采用射频溅射热压多晶Cd_2SnO_4靶和直流反性应溅射 Cd—Sn 合金靶等方法沉积 Cd_2SnO_4膜及其物理性质的研     

Ⅲ.小面积绒面SnO_2透明导电膜研制成功

二氧化锡(SnO_2)薄膜是具有宽光学带隙的 N 型半导体薄膜,在可见光范围内具有很高的透过率,是非晶硅太阳电池理想的透明导电抗反射膜。我校物理系半导体研究室采用常压 CVD 技术,研制成功的这种小面积掺氟绒面 SnO_2透明导电膜,主要技术参数为:电阻率7×10~(-4)Ω·cm,总透过率硅≥90%。南开大学用这种 SnO_2膜研制出了面积为12.6nm~2、转换效率为7.2%的非晶硅太阳能电池。此结果与使用日本的某些     

导电玻璃的一些实驗結果

一、前言在场致发光研究中,需用到一透明电极,为了提高效率,减少吸收的損耗,要求透明电极电阻小,透明程度高(对可见光吸收少)。我們在场致发光的研究中,曾对透明电极进行了一些試驗。透明电极一般是用玻璃来作,故叫作导电玻璃。导电玻璃的制备方法有二种:一是在玻璃表面附上一层透明的薄膜,一般是金属膜和半导体膜。二是作成半导体玻璃,如P_2O_5—V_2O_5玻璃就具有导电性。不过第二种方法得出的玻璃是呈黑色的,有时也呈黑灰色。作金属膜要設备較多,透明度也不符合场致发光的要求。噴涂半导体薄膜則較經济且能符合要求。半导体薄膜我們是用SnO_2,它是由SnCl_4加热氧化而成的。SnCl_4本身并不导电,SnO_2才具有半导体性貭。SnO_2的形成为:     

掺杂锡离子对纳米二氧化钛薄膜光催化性能的影响

采用溶胶一凝胶法在玻璃上制备了透明锐钛矿型纳米TiO2薄膜和金属锡离子掺杂的锐钛矿与金红石混晶型纳米TiO2薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外一可见分光光度计对合成的薄膜进行表征。研究了掺杂锡离子对TiO2薄膜吸收光谱及光催化活性的影响,结果表明掺杂锡离子使得TiO2薄膜对入射光的吸收带边发生红移;适量掺杂锡离子能够显著的提高TiO2薄膜的光催化活性。并探讨了镀膜层数对薄膜光催化活性的影响,发现对于掺杂不同浓度锡离子的TiO2薄膜均有其对应的最佳膜层数。     

掺杂锡离子对纳米二氧化钛薄膜光催化性能的影响

采用溶胶一凝胶法在玻璃上制备了透明锐钛矿型纳米TiO2薄膜和金属锡离子掺杂的锐钛矿与金红石混晶型纳米TiO2薄膜,并利用 X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外一可见分光光度计对合成的薄膜进行表征.研究了掺杂锡离子对TiO2薄膜吸收光谱及光催化活性的影响,结果表明掺杂锡离子使得TiO2薄膜对入射光的吸收带边发生红移;适量掺杂锡离子能够显著的提高TiO2薄膜的光催化活性.并探讨了镀膜层数对薄膜光催化活性的影响,发现对于掺杂不同浓度锡离子的TiO2薄膜均有其对应的最佳膜层数.     

优化制备Zn_2SnO_4显著提高其光催化活性的研究

以氢氧化钠为沉淀剂,将锡盐和锌盐共沉淀得到固体,将固体煅烧得到锡酸锌(Zn_2SnO_4),通过优化煅烧温度和煅烧时间,得到光催化活性最佳的Zn_2SnO_4的制备条件.以光催化降解Rh B为模型反应研究发现,当煅烧温度为1 073 K、煅烧时间为3 h时,所得的Zn_2SnO_4光催化性能最佳,紫外光照射30 min,其对Rh B的降解率为97.7%.采用扫描电镜、粉末XRD和紫外-可见漫反射分别表征了光催化活性最佳Zn_2SnO_4的形貌、晶相结构和光学性质,以探究其活性提高的原因.     

SnO薄膜在r面蓝宝石衬底上的外延生长及其性能研究

以SnO陶瓷为靶材,采用脉冲激光沉积法(PLD),在厚度为330 nm的r面蓝宝石衬底上制备厚度约为270 nm的单相SnO外延薄膜,并通过改变衬底温度,系统地研究生长温度对薄膜结构及光学性质的影响.X线衍射(XRD)测试表明,在衬底温度小于或等于575℃时,成功制备出单相的SnO外延薄膜.薄膜与衬底蓝宝石的外延关系为:SnO(001)∥Al_2O_3(1-102),SnO[110]∥Al_2O_3[-12-10].而当温度大于575℃时,由于歧化反应:(1+x)SnO→xSn+SnO_(1+x),得到的SnO薄膜中存在少量的金属Sn相、Sn_3O_4及SnO_2相.透射光谱显示,样品在可见光区的透过率高达80%.薄膜的光学带隙随温度的增加呈现V字型变化趋势.衬底温度小于或等于575℃时,薄膜的光学带隙随温度的升高而减小;当生长温度大于575℃时,由于SnO_2的出现导致薄膜的带隙随温度升高而变大.     

铟锡氧化物透明导电簿膜的化学喷雾淀积法

采用喷雾淀积法(CSD),在预热的普通玻璃基片上成功地制备了铟锡氧化物透明导电薄膜(ITO)。考察了其方块电阻R_□和透射率T_(?)随基片温度、溶液浓度及化学组份的变化,获得了他们的关系曲线。并在一组最佳工艺条件下制备出质量很好的透明导电薄膜,其方块电阻R_□≤70Ω,透射率T_r≥85％。     

SnO_2薄膜的化学气相淀积 Ⅱ.SnO_2薄膜的结构和气敏性能

研究了用化学气相淀积方法制备的SnO_2薄膜的组成。晶体结构和气敏性能。发现薄膜为多晶结构,在薄膜生长过程中,(200)、(110)晶面择优生长;薄膜对H_2的气敏灵敏度随温度的升高而增加,并存在一合适的工作温度范围:100～250℃。