Pb—Ag—Ca新型阳有在MnSO4—H2SO4溶液中腐蚀速度的测定

分别测定了ＰＡＣ电极（Ｐｂ－Ａｇ－Ｃａ新型阳极的简称）在ＭｎＳＯ４－Ｈ２ＳＯ４溶液中的阴极极化曲线及阳极极 线，从图中求得：ｉｃｏｒ＝１５．８５μＡ／ｃｍ＾２，ψωｒ＝－０．０９５Ｖ，Ｖｃｏｒ＝２．９５Ｋｇ／ｍ＾２ａｎｎ．７．９０％（电极重量每年消耗的百分数）ｉ。（２）＝５４．７０μＡ／ｃｍ＾２及ｉ。（３）＝１．１０μＡ／ｃｍ＾２；讨论了ＰＡＣ阳极的腐蚀机理即反应（２）受反应（３）的动力学参数所     

阳极PbO2膜电催化性能的研究

过实验探讨了铅（Ｐｂ）在阳极极化过程中形成的阳极ＰｂＯ＿２膜的电催化性能，结果表明：在硫酸溶液中的恒电位极化得到铅的阳极Ｐｂ０＿２膜，比未形成阳极膜的铅电极（Ｐｂ）对于Ｍｎ￣（２＋）氧化成的反应具有电催化性能，能使反应速率加快。     

Mn2+在Ti/SnO2+SbOx/PbO2电极上的电氧化研究

比较了Ｔｉ／ＳｎＯ２＋Ｓｂｘ／ＰｂＯ２电极与Ｔｉ／ＰｂＯ２电极在电解Ｍｎ＾２＋体系中的析氧极化曲线、Ｍｎ＾２＋的氧化极化曲线和电极寿命,发现加入中间层后的Ｔｉ／ＳｉＯ２＋ＳｂＯｘ／ＰｂＯ２电极对Ｍｎ＾２＋的电氧化有更好的催化活性和较长的使用寿命。用正交实验法探讨影响Ｍｎ＾２＋→Ｍｅ＾３＋＋ｅ电极过程的因素,找出以Ｔｉ／ＳｂＯｘ／ＰｂＯ２电极为阳极用无隔膜电解槽电解Ｍｎ＾２＋的最佳工艺条件,在此条件     

H_2SO_4介质中Ce(Ⅲ)在铂电极上的氧化及其对Mn(Ⅱ)催化氧化的研究

在１ＭＨ２ＳＯ４中,Ｃｅ（Ⅲ）在铂电极上的氧化──还原伏安图表明：电位扫描速度为０．０５０Ｖｓ－１时,氧化峰电位Ｅｐａ＝０．９２Ｖ。还原峰电位Ｅｐｃ＝０．６４Ｖ,△Ｅｐ＝０．２８Ｖ,且峰电位随扫描速度而变化,峰电流Ｉｐａ和电位扫描速度的平方不成线性关系;Ｃｅ（Ⅲ）在铂电极上的电荷迁移为准可逆过程,生成的Ｃｅ（Ⅳ）对Ｍｎ（Ⅱ）有均相催化氧化作用,催化电流峰电位在１．２６Ｖ处,催化反应受Ｍｎ（Ⅱ）离子向电极表面的扩散控制,Ｍｎ（Ⅱ）的氧化产物为ＭｎＯ２。但Ｃｅ（Ⅳ）的催化能力与其在铂电极上再生的速率有关。在本实验条件下,催化作用的效率较低。     

聚2，5－二甲氧基苯胺膜电极对抗坏血酸的电催化氧化

聚２，５－二甲氧基苯胺（Ｐ２５ＤＭＡｎ）薄膜电极用电聚合的方法制得．采用循环伏安法研究了酸性溶液中抗坏血酸（ＡＨ２）在Ｐ２５ＤＭＡｎ薄膜电极上的电催化氧化．该薄膜电极对抗坏血酸的氧化有很好的电催化活性．讨论了不同种类负离子存在的情况下制成的薄膜对ＡＨ２氧化的催化特性的影响．光电子能谱图所得的结果也证明了Ｐ２５ＤＭＡｎ薄膜电极上有ＡＨ２反应的物种产生．用旋转圆盘电极研究了催化过程动力学．     

扁豆的核型报道

报道了扁豆的核型,２ｎ＝１６,扁豆核型属于“２Ａ”型,Ｋ（２ｎ）＝１６＝１２ｍ＋４ｓｍ。染色体相对长度组成是：２ｎ＝２Ｌ＋２Ｍ２＋８Ｍ１＋４Ｓ１,染色体总长为１５．４２±０．４１μｍ。     

醋酸体系中 Mn(Ⅱ)在铂电极上的阳极氧化

采用稳态极化曲线和电势扫描方法探讨了醋酸－醋酐有机体系中Ｍｎ（Ⅲ）在铂电极上阳极氧化生成Ｍｎ（Ⅲ）的电化学动力学和电化学反应机理。结果表明，当Ｍｎ（Ⅲ）主要以Ｍｎ（ＯＡｃ）２形式存在时，Ｍｎ（ＯＡｃ）２在铂电极上阳极氧化生成Ｍｎ（ＯＡｃ）３；电化学反应的特点是低电流密度为电化学反应步骤所控制，而高电流密度为混合过程所控制。     

扁豆的核型报道

报道了扁豆的核型，２ｎ＝１６，扁豆核型属于“２Ａ”型，Ｋ（２ｎ）＝１６＝１２ｍ＋４ｓｍ。染色体相对长度组成是：２ｎ＝２Ｌ＋２Ｍ２＋８Ｍ１＋４Ｓ１。染色体总长为１５．４２±０．４１μｍ。     

合成的具有天然锰矿晶型的MnO2的循环伏安研究

使用合成的钡镁锰矿（ＴＯＤＯＲＯＫＩＴＥ）、碱硬锰矿（ＨＯＬＬＡＮＤＩＴＥ）型的ＭｎＯ２及电解ＭｎＯ２修饰碳膏电极，报告了它们在＋１．０Ｖ￣－１．０Ｖ电压范围和０．１Ｍ ＫＣｌ溶液中的循环伏安图。Ｔｏｄｏｒｏｋｉｔｅ和ｈｏｌｌａｎｄｉｔｅ的循环伏安图相似，都没有显明的电流峰。而电解ＭｎＯ２的循环伏安图中，有两个阳极峰（＋０．１Ｖ，＋０．５ＶｖｓＳＣＥ）两个阴极峰（０．０Ｖ，－０．１５Ｖ ｖｓ ＳＸ     

锰的氧化实验及动力学分析

锰的氧化主要是Ｍｎ２＋向高价态（Ｍｎ３＋,Ｍｎ４＋）的转变,这种转变可以通过多种方式实现,是一个复杂的反应过程．氧化实验与动力学分析结果表明,溶解的Ｍｎ２＋很容易被氧化,而固态的碳酸锰相对Ｍｎ２＋氧化进行得较慢;碳酸锰矿石与纯碳酸锰相比,氧化反应进行得较彻底,所得产物都是稳定的高价化合物;锰的氧化速率不仅受反应物浓度的影响,而且还受环境因素的影响;碱性条件以及非锰金属离子有利于锰的氧化．     

SO_4~（2－）电化学传感器的研制与应用

以金属铅为基体电极，用电化学氧化手段修饰铅电极表面，制备了铅基ＰｂＳＯ４化学修饰的电极。实验表明，该修饰电极在选定条件下，对ＳＯ离子有近似能斯特响应，是一种的ＳＯ电化学传感器，并将该电极用于水泥试样中ＳＯ３的测定。     

CIO_4~-、IO_4~-离子选择电极响应机理的探讨

研究了十六烷基吡啶-高氯酸根及十六烷基吡啶-高碘酸根离子选择电极性能,讨论了电极响应机理。     

FCY-4型耐消毒溶氧电极的研制及应用

本文研制成功一种为小型国产或进口发酵罐配套的FCY-4型敞口式耐消毒溶氧电极。经测试,其各项性能指标接近或超过进口电极。通过应用于多种罐及品种的发酵,发现本电极与进口罐上的原配电极所走的溶氧曲线均具有很好的同步性和一致性。能正确反映发酵过程中的溶氧变化。     

不同因素对三维电极体系电极电位的影响

反应器采用颗粒状活性炭为填料，中间位置添加隔膜，研究了不同条件下三维电极体系电极电位的分布规律及其影响因素．结果表明，三维电极阴极和阳极区靠近隔膜处的电极电位绝对值明显高于靠近两极处的电极电位，且阴极和阳极区电极电位绝对值都随外加电压的增大而上升．阴极板材料性质决定了阴极板电极电位的高低：阴极板材料还原性能愈强，其极板电极电位负值绝对值愈大；阴极板材料还原性能愈弱，其极板电极电位负值绝对值愈小．不同厚度隔膜处理不会影响极板电极电位高低，也不会影响阳极反应区电极电位大小，但能提高三维电极体系还原区的还原能力．与低浓度的反应溶液相比不仅提高了阴极反应区电极电位，还能影响极板电极电位的高低．     

脑电采集电极研究进展

脑电电极是脑电采集系统的第一环节,高效便捷稳定地获取脑电信号是研究脑科学的重要保证.从传统的Ag-AgCl湿电极到石墨烯干电极、多孔陶瓷半干电极,检测电极的发展已经获得长足进步.介绍了脑电采集系统的结构、脑电极的分类方法和各类电极的近期研究成果及专利,并讨论了电极新型材料的选取、更优结构的设计以及先进加工制备工艺,最后分析了脑电极的研究方向和发展前景,对脑电采集电极的学习及设计有参考价值.     

用阵列电极研究不同阴离子介质中有机涂层/铁电极界面腐蚀行为

应用阵列电极测量不同阴离子介质中有机涂层／铁电极界面电位分布图，研究腐蚀发生、发展过程．实验结果表明：腐蚀优先发生在有机涂层／铁电极界面边缘．涂层一旦破裂，在Ｃｌ－介质中腐蚀很快发生并不断发展，在ＮＯ－３介质中腐蚀也很快发生，一段时间后就逐渐受抑制，而在ＣＯ２－３介质中腐蚀不发生．与常规电极相比，阵列电极能给出更详细的腐蚀界面的电化学参数．     

激光应用于玻碳电极表面的预处理

研究玻碳电极表面的激光预处理系统，以及处理后电极的电化学性能。结果表明，电极稳定性好，并提高了测定的灵敏度。     

植入式硅神经微电极的发展

 神经科学和神经工程研究需要研究大脑神经元的电活动情况，以了解大脑产生、传输和处理信息的机制。植入式神经微电极作为一种传感器件，是时间分辨率最高的神经电活动传感手段之一。介绍了国内外几种主要的植入式硅基神经微电极的结构特点、制备方法和性能特点。分析表明，未来通过不断结构优化和改性修饰，特别是在高通量的神经记录方面，通过与同样基于硅材料的电路的集成，硅神经微电极能够进一步提高生物相容性，解决大规模的电极通道体内外传输与连接问题，实现对神经元的在体大规模长时间记录。     

改性PVC膜电极性能的研究

本文描述了端基为季胺盐的聚氯乙烯(PVC—QA)的合成,并以此做为十二烷基苯磺酸根离子的选择性电极敏感膜,电极响应的线性范围是5.6×10~(-6)～5.5×10~(-3)mol/l,响应斜率是52mV/Pa,漂移小于0.5mV/h,pH适合范围是6.5～8.5。本文还从化学热力学的角度出发探讨了以PVC—QA为敏感膜和以(PVC+游离季铵盐)为敏感膜在性能和机理方面的不同。     

MnO2电极双传输线模型和交流阻抗法

MnO_2电极是由宏孔和微孔组成的多孔电极,为了描述多孔性质建立了双传输线数学模型,并给出电极阻抗和界面电位分布函数的计算方法,还设计出一种模拟电池,并通过交流阻抗实验确定了双传输线参量,讨论了MnO_2电极利用均一性同题。