颗粒间隧穿体系H-A模型的磁电阻翻转效应

基于HELMAN-ABELES模型,超越传统的一级近似,对磁场相关库仑阻塞下体系的磁输运性质进行了系统的理论分析.我们发现,磁场相关的库仑能隙将引起低温下的正磁电阻发散行为,该行为与自旋极化引起的低温负磁电阻相互竞争,使体系的宏观磁电阻随参数的区域变化呈现出复杂的特征.我们分析了该正磁电阻出现的根本原因,从而指出影响磁电阻的因素除了传统的自旋极化率之外,还有与之效果相反的自旋相关库仑能隙的作用,后者为颗粒体系中的磁电阻效应提供了新的可能来源.     

La1—xAgxMnO3多晶非均匀匀颗粒系统的巨磁电阻效应

采用固相烧结法制备了名义成分为Ｌａ１－ｘＡｇｘＭｎＯ３（０≤ｘ≤０．５０）的大块多晶样品，并且首次研究了它们的巨磁电阻效应，分析表明：当ｘ≤０．２５时，样品基本上由单一的钙钛矿结构相组成；当ｘ〉０．２５时样品明显由两相组成，钙矿结构相和富Ａｇ合金相，它们组成了一个非均匀的颗粒系统，在ｘ＝０．３０时，具有高达２５．５％的巨磁电阻效应，非均匀颗粒系统呈现的磁电阻效应与电子在两相颗粒界面的自旋相关散射有     

La2／3Ca1／3MnO3掺Bi的磁电阻行为

研究了Ｌａ（２－ｘ）Ｂｉｘ／３Ｃａ１／３ＭｎＯ３体系的电阻行为和磁性转变，当ｘ＝０．０，０．２时，样品表现为铁磁转变，居里温度Ｔｃ分别为２６５Ｋ和２４５Ｋ，铁磁转变伴随着半导体－金属转变，对应于磁电阻效应的极大值；当ｘ＝０．４时，样品表现为复杂的磁性转变，样品的电阻率为半导体特性，对应的磁性转变没有半导体，金属转变发生，在ｘ＝０．４和０．６两个样品中，１Ｔ外场下８５Ｋ时获得大于８６％的巨磁电阻效应     

Lal／3Ndl／3Bal／aMn03的电阻率双峰和低温电阻率反常现象

用固相反应法制备了二元稀土掺杂的La1／3Ndl／3Ba1/3Mn03多晶庞磁电阻块材．x射线衍射分析表明在1200℃烧结的样品具有立方对称的晶格结构．热磁曲线显示材料在低温处于自旋冰状态．自旋冰的熔点随着外磁场的增大而降低．在磁场达到40kOe时,自旋冻结现象消失．材料的居里温度为-250K,但室温磁化曲线中出现由微弱不均匀品格畸变造成的寄生铁磁性行为．电阻率一温度曲线出现双峰现象．在居里温度附近出现的电阻率峰由晶体的本征特性贡献,在低于居里温度的～190K附近出现的电阻率峰由界面隧穿效应贡献．电阻率在～40K附近出现极小值．经过曲线拟合证实,其行为与近藤效应相似．研究结果较为全面地分析了单相多晶CMR材料的基本磁电相关特性．     

化学组成对CoAlO颗粒膜隧道磁电阻效应的影响

采用热压工艺制备-系列CoAlO的靶材，在Gatan682型PECS＋RIBE系统上，于25℃下Ar气氛中沉积到Si（100）衬底基片上，得到颗粒膜．测量了电阻和磁电阻性质，用透射电子显微镜测量样品的面内晶粒尺寸CoAlO薄膜的化学组成，用x射线光电子能谱仪测量．研究了化学组成对CoAlO颗粒膜隧道磁电阻效应的影响．结果表明，得到的颗粒膜是由2～3nm的C0氧化物分布在AlOx母相中，在室温下可显示磁性，通过ALOx阻挡层具有比较大的隧道磁电阻效应（达-6％）；随温度升高，化学组成对隧道磁电阻影响更大．     

Ag与La_(0.6)Dy_(0.1)Sr_(0.3)MnO_3复合体系中的低场磁电阻增强

文章采用固相反应法制备La0.6Dy0.1Sr0.3MnO3/Agx(x=0,0.04)样品,通过XRD、磁化强度、电阻率与温度的关系,研究样品的磁性质、输运行为、输运机制及磁电阻效应。结果表明,少量掺杂时有Ag相出现,Ag主要以金属态分散到母体颗粒的界面处,使体系形成两相复合体。掺Ag样品在296 K、0.2 T磁场下,峰值磁电阻明显增强,达9.1%,比La0.6Dy0.1Sr0.3MnO3的2.2%增加了4倍多。这与颗粒母体界面结构的改善有关,也与材料电阻率的降低有关。掺Ag样品在45~130 K温区磁电阻均在20%以上,实现了增宽磁电阻温区的目的。     

离子束改性对颗粒膜巨磁电阻效应的影响

用射频磁控溅射方法在Si/SiO2衬底上制备了（NiFeCo)36Ag64颗粒膜，用四探针法测量了法入Co离子前后（NiFeCo)36Ag64颗粒膜巨磁电阻效应的变化，用场发射扫描电镜分析了颗粒膜的形貌及成分，实验结果表明：注入Co离子对颗粒膜巨磁电阻有显著的影响，在相同退火温度下，注入离子可使GMR效应提高一倍以上，随着退火温度增加，颗粒膜巨磁电阻效应先增加而后减小，在360℃下退火可获得10．2％的最大室温巨磁电阻效应。     

空穴阻挡层BCP对掺杂型有机发光二极管中磁电导效应的影响

通过在器件复合发光区附近插入空穴阻挡层BCP,制备了一种具有非平衡传输性能的荧光染料掺杂型发光二极管,其结构为ITO／CuPc／NPB／NPB：DCM（5wt％）／BCP／Alq3／LiF／Al,并在不同温度和电压下测量了器件的注入电流随外加磁场的变化（即磁电导效应）．实验结果表现为：当磁场处在0～40mT时,该非平衡发光器件的磁电导随磁场的增加而迅速增大（即表现为快变的正磁电导效应）．这一实验现象与具有相对平衡传输性能的发光器件中所观测到的磁电导效应一致;当磁场大于40mT时,非平衡发光器件的磁电导随磁场的进一步增加表现为缓慢下降（即缓变的负磁电导效应成分）,而平衡器件的磁电导则变为继续缓慢增加（即为缓变的正磁电导效应）．本文对非平衡传输掺杂型发光器件的体系特征进行了讨论,并基于三重态激子-电荷（T-Q）反应受外加磁场的影响对上述实验现象进行了定性解释．     

巨磁电阻效应简述及其应用

巨磁电阻效应是近年来磁电阻领域的一项重要的发现,发展了将近二十多年。许多新型的磁电子器件因此应运而生,并对产业和经济产生了巨大的影响。文章简单介绍了巨磁电阻效应的发展和基本原理,并重点介绍了巨磁电阻效应在四个方面的主要应用。     

单根碳纤维的低温磁电阻及室温光电流效应

用标准四电极法测量了单根双螺旋碳纤维的低温磁电阻效应,结果表明:该样品呈正磁电阻并在4、10、20、40 K低温下与磁场强度H2成线性关系.光电流效应的测试结果显示,螺旋状的碳纤维在室温下对光照具有较强的反应.     

磁颗粒复合体系中的反常霍耳效应

巨磁阻和反常霍耳效应都是与电子自旋相关散射有关的磁输运现象,应用扩展的有效介质近似方法和双通道模型,研究了磁颗粒复合体系中的反常霍耳效应,它源于旋轨耦合作用引起的电子非对称自旋相关散射。从理论上计算了反常霍耳效应与磁性颗粒尺寸关系,得到与实验基本相符的结果。在反常霍耳效应与磁颗粒浓度关系的研究中,发现在巨磁阻峰值浓度附近出现最佳的反常霍耳效应。     

金属-绝缘体颗粒膜隧穿磁电阻效应的修正理论

基于Inoue模型,提出了一个修正理论来研究金属-绝缘体颗粒膜的隧穿磁电阻效应.假定颗粒膜中铁磁颗粒的尺寸服从对数正态函数,通过两个临界尺寸D1(T)和D2(T)将颗粒膜中的铁磁颗粒分为三类:超顺磁颗粒、单畴铁磁颗粒和多畴颗粒.同时引进一个参数k2来描述超顺磁颗粒与单畴铁磁颗粒对颗粒膜巨磁电阻效应影响的权重,另一个参数k1来描述基体对铁磁颗粒自旋极化率的影响.计算结果表明仅有单畴铁磁颗粒对颗粒膜的隧穿磁电阻效应起主导作用.     

Co/Cu/Co结构中纳米氮化物界面掺杂研究

研究了纳米氮化物(NNL)界面掺杂对Co/Cu/Co磁电阻的影响.当NNL在下界面(Co/Cu)掺杂时,得到了反常磁电阻为-0.043%;当NNL在上界面(Cu/Co)掺杂时,磁电阻近似为0;当NNL同时在上、下界面掺杂时,得到的反常磁电阻为-0.005%.运用Camley-Barnas的玻尔兹曼半经典理论模型,通过调整界面参数计算其磁电阻,发现改变界面自旋相关散射系数能对实验结果给出合理解释,证明了NNL掺杂确实能改变界面自旋相关散射系数.     

过度掺杂的La1-xAgxMnO3室温磁电阻研究

对采用溶胶凝胶法制备的不同Ag含量的La1-xAgxMnO3样品进行了研究.观察到Ag的名义含量x为0.3和0.65的样品表现出显著的室温磁电阻,在1.8 T的外场下磁电阻(外加磁场后的电阻和未加磁场的电阻差值比上未加磁场的电阻值)分别达到-23.0%和-22.7%,接近实际应用要求.对其成因进一步分析后发现,在两种不同Ag含量的样品中出现的显著室温磁电阻效应,其形成原因并不相同.     

低比转速离心泵复合叶轮内部流动的数值计算

采用奇点分布法对普通结构型式的低比转速离心泵叶轮内部流动进行数值计算,通过对由长、短叶片构成的复合叶轮内部流场的实例计算,验证奇点分布法的可行性与适用性.实例计算结果表明:该方法不仅可行、适用,而且显示出一些突出的优越性.指出该方法在计算过程中相关参数的选取对计算结果的影响,并提出这些参数取值范围的建议.     

LaMnO3不同晶位掺杂的磁电阻效应

基于研究钙钛矿型氧化物磁电阻效应的目的,采用固相反应法制备了实验所需的单相多晶样品,主要就La位二价金属离子掺杂和稀土互掺及Mn位掺杂对LaMnO3磁电阻影响的实验结果作比较研究,发现La位稀土互掺对磁电阻的影响可以用晶格效应来解释,并明确指出La位和Mn位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻效应的一种有效途径.     

巨磁电阻的若干问题

本文综述了各向异性磁电阻(AMR)．巨磁电阻(GMR)，特大磁电阻效应(CMR)以及隧道磁电阻效应(TMR)的实验结果及理论模型     

颗粒系统稀土掺杂氧化物的磁电阻效应

具有钙钵矿结构的稀土掺杂氧化物具有很强的磁电阻效应，该类材料所显示的复杂的物理现象和可能的应用前景引起人们的很大兴趣。但是其磁转变温度一般低于室温，而且需要很高的外加磁场才能够饱和。为实现室温和低场磁电阻，人们采用多种方法，如制备复合材料或尺寸在纳米量级的多晶体系。本文重点介绍了锰酸盐颗粒体系的结构特点、磁电阻效应以及产生成电阻效应的可能机理。     

金属-金属颗粒膜巨磁电阻效应的尺寸效应

按照颗粒尺寸将颗粒膜中磁性颗粒分为3类:单畴超顺磁颗粒、单畴铁磁性颗粒和多畴磁性颗粒.不同尺寸的磁性颗粒对巨磁电阻效应作用的研究存在着争议.为此,该文假设颗粒膜中磁性颗粒尺寸呈对数正态函数分布,利用二流体模型和有效媒质理论对颗粒膜的巨磁电阻效应进行了研究.计算结果表明,以单畴铁磁性颗粒为主导作用的理论计算结果与相关各类实验相符,表明单畴铁磁性颗粒对颗粒膜的巨磁电阻效应起主导作用.