掠入射荧光XAFS研究(Ge_4/Si_4)_5/Si(001)超晶格的结构

本文用掠入射荧光XAFS研究 (Ge4/Si4) 5 /Si(0 0 1 )形变超晶格的局域结构 .超晶格中的Ge Ge和Ge Si第一配位键长分别为RGe Ge =0 .2 43nm和RGe Si =0 .2 38nm ,与晶态Ge(RGe Ge =0 .2 45nm)和共价Ge Si键长RGe Si =0 .2 40nm相比 ,其配位键长缩短了 0 .0 0 2nm ,表明Ge原子周围的晶格产生了扭曲 ,Ge Ge配位数为 1 .8和Ge Si配位数为 2 .2显然偏离了理论的配位数Ge Ge为 3和Ge Si配位数为 1 .我们提出Ge和Si原子的位置交换模型来解释 (Ge4/Si4) 5 超晶格的界面结构     

Ge/Si(100)界面研究

半导体超晶格材料的研究对于飞速发展着的微电子技术和光电子技术有着非常广泛的应用前景.从七十年代初期首次在GaAs半导体表面制成超晶格材料至今,对超晶格材料的研究已扩展到了其他半导体,Si_(?)Ge_(1-x)合金就是一种可在Si表面生长的超晶格材料.研究Si_xGe_(1-x)/Si超晶格首先是从Ge/Si界面的研究入手的,无论是从半导体-半导体界面研究的角度出发还是从实际应用的角度来考虑,如寻找一种便宜衬底材料来生长具有高效的GaAs太阳能电池薄膜等光电器件和GaAs电子器件,Ge/Si这种体系的界面研究就成了一个非常有兴趣的课题.本文用XPS、AES、ELS、CEED等表面手段研究在室温条件下Ge/Si(100)的界面形成.     

Co_2Ti_(1-x)M_xA(lX=0,1/4;M=C,Si)晶体的电子结构的第一性原理研究(英文)

用广义梯度近似密度泛函和全势能线性缀加平面波方法研究了晶体Co2Ti1-xMxA(lX=0,1/4;M=C,Si)的电子结构.为了更好的了解杂质元素对晶体AlCo2Ti结构的影响,对杂质元素M(M=C,Si)替代晶体AlCo2Ti中的Ti(1/2,1/2,1/2)位进行了对比研究.同时,对杂质元素M(M=C,Si)对晶体AlCo2Ti的晶格常数、体弹模量和原子之间的化学键产生的作用进行了探讨.     

SixGel-x/Si和Si/Ge应变层超晶格及其器件的应用

SixGel-x/Si和Si/Ge应变层超晶格(SLS)的新颖物理特性显示了它们在各种半导体器件应用方面的诱人前景。本文综述了这类超晶格的生长特性、能带结构以及它们的电学和光学特性。最后介绍了它们在HBTs,p沟BICFETs,n沟和p沟MODFETs以及p-i-n和APD光电探测器应用方面的进展。     

(RXN)4与(XNR)4立方簇合物的稳定性

用密度泛函理论DFT ,在B3LYP/CEP 1 2 1G水平上 ,对 (RXN) 4 (X =C ,Si,Ge ,Sn,Pb ;R =H ,CH3,C(CH3) 3,Si(CH3) 3,C6H5)立方簇合物的几何构型、电子结构、振动光谱和化学键性质进行了研究 .结果表明 ,(RXN) 4 的稳定性较差 ,(XNR) 4 的 5种结构的稳定性顺序为 :(PbNR) 4>(SnNR) 4 >(GeNR) 4 >(SiNR) 4 >(CNR) 4 .     

Au/(Si/SiO_2超晶格)/p型Si结构的可见电致发光研究

采用磁控溅射技术制备了 Si/ Si O2 超晶格薄膜 ,在正向偏压大于 4 V即可观测到了来自Au/ ( Si/ Si O2 超晶格 ) / p - Si结构在室温下的可见电致发光 .认为光发射主要来自于 Si O2 层中的发光中心上的复合发光 ,对实验结果进行了解释 .     

YBaCo4O7及YBaCo4O8.5中六角超结构的电子衍射分析

制备了氧化学剂量样品.YBaCo4O7,通过电子衍射谱分析确定为六角结构,晶格常数a=0.629(5)nm,c=1.023(5)nm;制备的氧非化学剂量样品YBaCo4O8.5中,过量的氧是以超结构的方式存在.通过电子衍射方法确定了其中一种六角超结构相,其晶格参数as=bs=1.090(4)am,cs=1.002(6)...     

荧光粉Zn_3Ga_2(Ge/Si)_2O_(10)∶Cr~(3+)的制备与发光性能研究

采用高温固相法制备了新型近红外长余辉荧光粉Zn3Ga2(Ge/Si)2O10∶2.5%Cr3+.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光光谱(PL)和余辉测试等手段对所制备的样品进行结构表征和发光性能的分析。研究结果表明Zn3Ga2Ge2O10∶Cr3+和Zn3Ga2Si2O10∶Cr3+荧光粉性能差别很大。样品的激发和发射光谱均为宽带谱,且发射光谱(Cr3+的4T2→4A2跃迁引起的650 nm到800 nm宽带谱)的最大峰值位于698 nm左右,属于Cr3+的2E→4A2跃迁,为近红外发射。样品在380 nm到650 nm之间呈现出两个宽吸收带,属于Cr3+离子4T2→4A1和4T2→4A2能级跃迁。样品在用中心波长为365 nm的紫外灯激发之后,呈现出了长达30多小时的余辉衰减特性。     

［N(CH3)4］4［Mo10O18(OH)4(O2)10(O2)2］·6H2O的合成、晶体结构及表征

以质量分数30%过氧化氢为氧化剂,钼酸铵和四甲基氯化铵为原料,室温下采用常规的水溶液法成功制备了一种含有过氧与超氧基团的十核钼酸四甲基铵盐［N(CH₃)₄］₄［Mo₁₀O₁₈(OH)₄(O₂)₁₀(O₂)₂］·6H₂O,并对其进行了元素分析、红外光谱、紫外光谱表征及X线单晶结构分析.该化合物属于单斜晶系,P2₁/c空间群,a=1.443(16)nm, b=1.168(12)nm, c=1.693(17)nm,β=99.32(3)°, V=2.814(5)nm³, Z=2, D_c=2.441 g/cm³, R₁=0.035 6, wR₂=0.105 0(I>2, GOF=1.087.其阴离子呈中心对称结构,包含2个键长为0.114 5 nm的超氧基团和10个键长为0.143 5~0.148 1 nm的经典过氧基团.此化合物溶于水不稳定,但在室温下能稳定存在于固态,并能迅速将I^- 氧化成单质I₂,表明了该化合物由于结构中过氧和超氧基团的存在而具有强氧化性.     

Si4X(X=C,N,O,F,Si,P,S,Cl)结构和稳定性的理论研究

利用Gussian-98程序，B3LYP方法，在6-311G^*水平上对Si4X(X=C^*，N，O，F，Si，P，S，Cl)原子簇的几何构型进行优化和频率计算。得出各原子簇的稳定结构。结果表明，Si5原子簇的最稳定构型具有D3b对称性,用杂原子X(X=C,N,O，F,P,S,Cl)取代Si5原子簇中的Si原子，几乎都得到C3v和C2y对称的稳定构型(Si4F原子簇只有C2v对称的稳定构型，Si4Cl原子簇不存在这两种稳定构型)。对具有相同对称性的杂原子簇中Si—X键长变化规律进行研究。发现同一周期从左到右，Si—x键长与其对应的原子共价半径和相比较，其键长变化率逐渐增大,杂原子的加入对原Si5原子簇中的其它Si-Si键长影响不大。     

从对称性推测SF4的结构

从对称性角度对SF4的结构进行了推测，并结合光谱带数、谱带外形、NMR图谱确定SF4为C2v结构。     

一类极大临界4连通图的结构

引入图的粘合的概念,讨论了极大临界4连通图的性质,给出了一个图是这类图的一个充分必要条件,由此给出该类图的一种新的构造方法.     

PHA-L4的纯化及结构分析

通过阴离子交换层析对植物血球凝集素(PHA)提取物进行组分分离、纯化和活性检测,制得了高丝裂原活性的PHA-L4糖蛋白,并利用SDS-PAGE、质谱、N-端氨基酸序列、肽质量指纹谱等分析方法对其结构进行了鉴定.结果表明,PHA-L4是由4个PHA-L蛋白亚基组成的四聚体糖蛋白,相对分子质量为120000,每个亚基N-端第12位天冬酰胺残基被糖基化,糖基化呈现微不均一性.     

新型氧分子O4的理论计算研究

基于密度泛函理论的“自由团簇计算法”计算了实验上发现的新型氧分子O4的电子结构.计算了2种可能的空间结构——正方形和正四面体,分别得到了这2种结构的中性分子O4,正一价分子O 4和负一价分子O-4的基态电子结构,并根据能量最低原则确定了各自的结构参数,从而得到了O4分子2种结构的基态总能量、一价电离能及电子亲合势能.与氧原子、普通氧分子O2和臭氧分子O3的计算结果比较,显示O4分子可以以正方形结构或正四面体结构形式存在,其中正方形结构更有可能是O4分子的真实空间结构.     

4-二甲氨基苯甲醛缩4-氨基-4H-1,2,4-三唑的制备、晶体结构及理论计算

以4-氨基-4H-1,2,4-三唑和4-二甲氨基苯甲醛为原料,在乙酸溶液中制备了化合物4-二甲氨基苯甲醛缩4-氨基-4H-1,2,4-三唑并培养出单晶,化学式为C11H13N5,晶体结构由X-ray单晶衍射测定.晶体属单斜晶系,空间群P2(1)/n,晶体学参数:a=10.365 5(16),b=11.158 5(19),c=9.524 8(12),β=90.257 0(10)°,V=1 101.8(3)3,Z=4,D c=1.298,F(000)=456,μ=0.084 mm-1,R1=0.079 0,wR2=0.118 6,可观测衍射点有1183个.采用密度泛函DFT方法对目标化合物进行了计算,对实验结果进行预测和比较,计算了化合物的几何构型和前线轨道,量化计算结果很好地佐证了晶体结构.     

匹配数为1的极值2-均衡4-部4-图的结构

设G为一个匹配数为1的极值2-均衡4-部4-图,通过引入度序列确定了所有极图的结构,证明了它们共有7个同构类,并详尽描述了各类极图的结构.     

Au（PPh3）4ClO4的分子与晶体结构

近年来,不少AU(I)与单齿膦配体的络合物分子与晶体结构已被测定。本文中报道了一个四配位络合物Au(PPh~3)_4ClO_4的分子与晶体结构,该结构具有对称性高,构型多的特征。 合成方法 将Au(PPh_3)Cl 溶于乙醚形成饱和溶液,滴加KBH_4乙醇溶液至生成     

Structure of the cell-puncturing device of bacteriophage T4

Bacteriophage T4 has a very efficient mechanism for infecting cells. The key component of this process is the baseplate, located at the end of the phage tail, which regulates the interaction of the tail fibres and the DNA ejection machine. A complex of gene product (gp) 5 (63K) and gp27 (44K), the central part of the baseplate, is required to penetrate the outer cell membrane of Escherichia coli and to disrupt the intermembrane peptidoglycan layer, promoting subsequent entry of phage DNA into the host. We present here a crystal structure of the (gp5-gp27)3 321K complex, determined to 2.9 A resolution and fitted into a cryo-electron microscopy map at 17 A resolution of the baseplate-tail tube assembly. The carboxy-terminal domain of gp5 is a triple-stranded beta-helix that forms an equilateral triangular prism, which acts as a membrane-puncturing needle. The middle lysozyme domain of gp5, situated on the periphery of the prism, serves to digest the peptidoglycan layer. The amino-terminal, antiparallel beta-barrel domain of gp5 is inserted into a cylinder formed by three gp27 monomers, which may serve as a channel for DNA ejection.