(Ba-Ph)TiO_3系半导瓷材料及掺杂锰对其性能的影响

本文分析了(Ba-Pb)TiO_3系半导瓷材料中载流子浓度与铅含量之间的关系,针对这类高含铅的PTC材料中载流子浓度小的特点,重点讨论了掺杂元素锰对其室温电阻率和PTC效应的影响,并且指出,制备高含铅PTC半导瓷材料可以不掺或少掺锰。     

高频感应加热法制备 SrTiO_3 BLC 半导瓷

采用真空高频感应加热法制备ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器半导瓷，研究了掺杂材料、掺杂量、烧结温度、保温时间、成型密度等对半导瓷性能结构的影响．所制备的半导瓷经二次烧结成的ＳｒＴｉＯ３ＢＬＣ，其视在介电常数Ｋｅｆｆ＞３×１０４，损耗角正切ｔａｎδ≈１０－２，绝缘电阻率ρ＞１０１０Ω·ｃｍ．     

半导陶瓷湿度传感器的阻抗—湿度特性

用二氧化锆、二氧化硅、磷酸和其它掺杂剂制作各种半导瓷湿度传感器。电导的加强是依靠水的吸附和毛细凝聚。随着相对湿度逐步从5％增大到100％,在20℃和1kHz时,阻抗由2×10~8Ω减小到2×10~3Ω。电阻随湿度改变的响应时间在5s以下,为了降低多元氧化物半导瓷的阻抗,研究了多孔瓷体中掺杂纯金属或金属氧化物的效果,对一种最简单的制作半导瓷湿度传感器的方法作了具体介绍。推导了半导瓷湿度传感器的通用的阻抗—湿度特性方程式,并且用以计算一些实际样品的阻抗—湿度特性曲线,获得理论结果同实验测量之间互相一致。     

氧化物半导瓷中晶界势垒的起源

提出了一个关于氧化物半导瓷晶界势垒起源的新观点，认为晶界势垒起源于烧结过程中外界氧在晶界中的扩散，与材料的结构、化学缺陷、掺杂、外界气氛、烧结工艺、组成状态等有密切关系，并用此理论解释了许多实验现象。     

氧化物半导瓷中晶界势垒的起源

提出了一个关于氧化物半导瓷晶界势起源的新观点，认为晶界势垒起源于烧结过程中外界氧在晶界中的扩散，与材料的结构、化学缺陷、掺杂、外界气氛、烧结工艺、组成状态等有密切关系，并用此理论解释了许多实验现象。     

施主掺杂多晶(Sr,Ba)TiO_3微观结构和介电性能的研究

系统地研究了施主掺杂对多晶SrTiO_3,(Sr,Ba)TiO_3微观结构和介电性能的影响。SEM观察表明:掺杂不同施主,对多晶SrTiO_3晶粒生长起着不同的作用。施主掺杂量影响多晶SrTiO_3,(Sr,Ba)TiO_3晶凿的半导化程度及试样介电特性。     

高频感应加热法制备了SrTiO3BLC半导瓷

采用真空高频感应加热法制备ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器半导瓷，研究了掺杂材料、参 、烧结温度、保温时间、成型密度等对半导瓷性能结构的影响，所制备的半导 经二次烧结成的ＳｒＴｉＯ３ＢＬＣ其视在介电常数Ｋｅｆｆ〉３×１０＾４，损耗角正切ｔａｎδ≈１０＾－２，绝缘电阻率ρ〉１０＾１０Ω．ｃｍ。     

PTCR陶瓷材料的半导化及显微组织的研究

研究了PTCR陶瓷半导化过程。使用sol-gel法合成（Ba0.8Sr0.2)TiO3超细微粉,掺入钇元素及烧结助剂,在合理的温度制度下浇成PTCR陶瓷。为跟踪陶瓷半导化过程,在不同温度阶段冷却陶瓷样品和在升温阶段不同温度点冷却陶瓷样品,利用SEM、XRD进行分析陶瓷的结构,利用交流阻抗仪分析陶瓷施主浓度,结果表明PTCR陶瓷半导化仅与升温阶段有关。     

PTC热敏陶瓷的半导化研究

BaTiO_3陶瓷是铁电体材料,必须在其中加入某些微量的半导化元素,才能形成半导体,所以半导化剂的引入是至关重要的。PTC热敏陶瓷的电阻率对半导体剂的引入量非常敏感,只存在一个非常窄的范围,而对不同的原料其引入量的范围也有较大差异。因此,自PTC材料出现以来,人们就对半导化剂的种类及引入量进行了大量和深入的研究工作,力求寻找一个合理的配方及工艺。目前,用得最多的是Nb_2O_5和Y_2O_3,BaTiO_3的室温电阻率与半导化剂的含量之间的关系呈“U”形变化。作者用北京红星化工厂生产的BaCO_3(分析纯)和上海钛白粉厂生产的TiO_2(化学纯),用固相反应法在1350℃烧制出的PTC半导瓷其室温电阻率随Nb_2O_5含量的变化却出现了异常,即在不掺任何半导化剂时,BaTiO_3也会半导化,而烧结温度比传统烧结温度低200℃,仍能使样品半导化,这就提出这样一个问题,是什么元素能使BaTiO_3在较低温度下形成半导体?而半导化的机理是什么?作者重复做了3次实验,结果都一样,由实验事实可得出这样的结论:在大幅度降低烧结温度条件下极能得以半导化的决不是Nb,Y等常用的稀土元素,必然在原料中存在有其它某种元素所导致这一结果。根据半导体陶瓷理论,没有半导化元素的存在,陶瓷是绝对形成不了半导体的。这种元素存在于TiO_2中的可能性最     

半导瓷湿敏机理探讨

近几年发展起来的湿敏半导瓷,虽然在各种技术性能方面都有了较大的改进,但是在我国这方面的理论研究工作却仍做得很少,因而使湿敏材料及其器件的进一步发展受到了阻碍.本文从氧化物半导瓷的能带结构、表面态与界面态理论出发,分析了水份作用下在半导瓷中的电子过程,及电阻率温度系数的调整途径等问题.文中还着重对有关作用机理作了探讨.     

约束应力对AD95陶瓷弹击损伤特征的影响

采用53式7.62 mm穿燃弹侵彻不同约束应力下AD95陶瓷复合靶,观察了回收靶板的弹击损伤形貌,分析了弹靶作用过程和约束应力对AD95陶瓷弹击损伤特征的影响规律.结果表明,随着约束应力的增大,陶瓷面板损伤减小,完整性提高;当约束应力达到193 MPa时弹靶之间出现界面击溃现象.约束应力条件下弹击后4 mm厚陶瓷面板上存在两种同轴锥形裂纹,所构成的两个锥形体之间是陶瓷粉碎区;约束应力提高了陶瓷动态强度,抑制了陶瓷粉碎区的生长,延长了弹靶作用中dwell的持续时间,快速消耗了弹丸动能,减小了靶板损伤.     

短纤维玻璃陶瓷基复合材料的静疲劳行为

研究了不同介质中单向短纤维增强玻璃陶瓷是复合静疲劳行为,结果表明,复合材料的疲劳指数和疲劳极限均高于陶瓷基体,Nicalon纤维增强复合材料在水介质中的静疲劳性能要优于碳纤维增强复合材料,认为应力腐蚀导致的纤维／基体间的界面弱化是影响得合材料静疲劳劳行为的重的要因素,界面弱化有利于提高强界面结合复合材料的静疲劳强度。     

ZnO压敏陶瓷热处理实验的研究

ＺｎＯ压敏陶瓷在工作电压长期作用下，会产生电流蠕变现象，使Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒不稳定．用正电子湮没技术（ＰＡＴ）证实：ＺｎＯ在适当温度下的氧化热处理，使氧离子Ｏ－或Ｏ２－吸附于晶界层内并有利于提高ＺｎＯ性能稳定性     

SnO2/Fe2O3复合膜界面电导率特性分析

等离子体化学气相淀积法（PCVD法）制备的复合膜SnO2/Fe2O3界面电导特性是由于非平衡反应生成的过渡层的结果。其电导机理可用半导体薄膜理论来阐明：当锡在Fe2O3中的浓度低时，由于准自由电子补偿机制起作用，电导率升高；当锡与铁在过渡层中浓度接近时，杂质散射和晶界电阻增大，电导率急剧减小。     

SnO_2/Fe_2O_3复合膜界面电导率特性分析

等离子体化学气相淀积法 (PCVD法 )制备的复合膜 Sn O2 /Fe2 O3界面电导特性是由于非平衡反应生成的过渡层的结果 .其电导机理可用半导体薄膜理论来阐明 :当锡在 Fe2 O3中的浓度低时 ,由于准自由电子补偿机制起作用 ,导电率升高 ;当锡与铁在过渡层中浓度接近时 ,杂质散射和晶界电阻增大 ,电导率急剧减小     

废瓷砖再生砌筑砂浆性能试验研究

将废瓷砖破碎成细集料,代替部分普通砂配制成废瓷砖再生砂,固定水泥、砂的用量比例与稠度制作砂浆试件,进行不同废瓷砖砂掺配率、不同养护时间下的强度试验和耐久性试验.试验结果表明:在同等条件下,掺配废瓷砖砂的再生砂浆较普通砂浆强度等级可提高1~2个级别,抗冻性能提高1倍以上;潜在的碱-硅酸反应危害小得多;且随着废瓷砖砂掺配率越高,砂浆抗压强度、抗折强度越高,后期抗冻性能越好,潜在的碱-硅酸反应越小.但普通砂浆后期具有收缩开裂的趋势,废瓷砖砂砂浆后期具有膨胀的趋势.     

烧结气氛对钢渣陶瓷晶相和性能的影响

利用钢渣制备陶瓷材料是钢渣资源化大宗利用的一条新途径.开展不同烧结气氛对钢渣陶瓷影响规律的研究,对推动钢渣陶瓷技术的应用具有重要意义.以20%钢渣和80%黏土为原料,分别在空气和氮气气氛下,制备了钢渣陶瓷样品,分析了其晶相转变和性能变化规律,并定量研究了氧分压对钢渣陶瓷中铁元素价态转变的影响机理.研究表明,在空气条件下烧结时,原料中的Fe2+发生氧化形成赤铁矿相,烧结样品物理性能要优于在氮气条件下烧结的样品,其抗压强度和吸水率为310 MPa和3.7%;而在氮气条件下烧结时,Fe2+形成铁铝尖晶石和铁辉石,烧结样品中形成的气孔大小和数量要大于和多于空气条件下的样品,这是导致其力学性能较差的一个主要原因.铁元素赋存晶相转变的氧分压临界范围为0.5%~0.75%:当分压低于0.5%时,可以获得以铁铝尖晶石和铁辉石为主的黑色或褐色陶瓷样品;当氧分压超过0.75%时,Fe2+开始发生氧化并形成Fe3+,逐渐形成赤铁矿并带来样品颜色为褐黄色或褐红色.增加烧结环境中氧气分压量是减少钢渣陶瓷产品黑心的一个重要手段.     

景德镇陶瓷知识产权法律保护的理论与实践

景德镇陶瓷知识产权保护的理论研究和实践探索走过了一个曲折漫长的过程,重新梳理有三大突出主题:城市品牌打造中通过保护"景德镇"证明商标和原产地域产品保护原产地标志、在艺术瓷方面着力用著作权保护名人名作、陶瓷企业要致力打造知名商标和驰名商标从而走品牌发展的道路。网络时代新技术因素的介入改变了权利表现的形式,域名等新的权利客体有待于进一步研究,电子商务对景德镇陶瓷的发展提供了新平台新机遇,非物质文化遗产的确认又让景德镇人看到了传统知识法律保护的迫切性和新希望。     

The abnormal sensitivity and its mechanism of （Ba, Pb）TiO3 semiconductor ceramics

The resistance-temperature properties of porous (Ba, Pb)TiO3 semiconductor ceramic were systematically studied. It was found that the resistance of (Ba, Pb)TiO3 ceramic having been placed in the air for a long time was abnormally increased with the increase of the temperature from the room temperature to 70℃ prior to the Curie point. Further research showed that this abnormal resistance-temperature property was linked to its humidity sensitivity. When the relative humidity changed from 11% to 93%, the resistance of (Ba, Pb)TiO3 ceramic decreased three orders of magnitude. Furthermore, the humidity-resistance was approximately linear in single logarithm coordinate. According to the surface adsorption, grain-boundary potential barrier and ferroelectric-paraelectric phase transformation, the specific sensitive mechanism of (Ba, Pb)TiO3 ceramic was analyzed qualitatively.     

传统钧瓷与现代陶艺

钧瓷艺术是中国珍贵的传统化遗产，它具有独特的艺术形式和丰富的艺术语言。现代陶艺是当代中国艺术领域新的课题。以钧瓷材质为媒介的陶艺创作正在引起人们的关注。