填充磁化等离子体波导的导波场分析

文章对填充磁化等离子体波导中的导波场进行了详细的分析,给出了有限磁场下波在填充磁化等离子体波导中的传播理论,推导出作为普遍严格的在磁化等离子体波导中电磁波的波动方程及场分量的表达式,并且对所得到的结果进行了验证,这对进一步研究磁化等离子体波导中的电磁波传播特性和微波等离子体激发的准分子激光器奠定了理论基础。     

电磁波在磁化电离层中的传播特性

文章把地球外层的大气电离层抽象成磁化等离子体,从麦克斯韦电磁理论出发,分析了均匀平面电磁波在磁化电离层中的传播特性和规律,填补了通讯、雷达等无线电技术领域在外层空间传播的基础理论空白。     

脉冲激光沉积ZnO薄膜动力学过程研究

利用有限差分法对脉冲激光沉积(PLD)技术制备ZnO薄膜过程中等离子体在等温和绝热两个阶段的速度演化进行了研究,给出了其中主要粒子Zn和O在空间的具体演化规律。从模拟的结果可以看出,Zn,O在同一方向的速度演化趋势相似,在不同方向同种粒子速度演化趋势不同。     

用条件平均分析CT-6B托卡马克等离子体湍流

采用条件平均技术对CT-6B托卡马克等离子体湍流信号进行了分析.分析结果表明:在托卡马克等离子体径向方向存在着相干结构, 这些相干结构的寿命较短, 在时间及空间上是随机分布的, 且相干结构不沿径向传播.     

快波在等离子体中的传播

利用几何光学方法对离子回旋波频段内的快波在等离子体中的传播进行了研究.其中考虑了等离子体的热效应,给出了热等离子体色散关系,通过数值求解波迹方程得到了波在等离子体中传播的轨迹,得到在合适的波参数下,快波可以在等离子体中传播,并可以传播到等离子体中心处,而且波在等离子体边缘处被多次反射入等离子体中,形成多次吸收.     

H波在加载周期变化等离子体波导中的色散特性

电磁波与等离子体之间的相互作用是等离子体电子学和高功率微波器件研究的重点,加载等离子体可以大幅度提高微波器件的输出功率和效率.提出了一种加载密度周期变化等离子体圆波导的周期慢波结构,并研究了H波在该介质结构中的传播特性,根据严格的理论推导得出H波在其中传播的色散方程并进行了数值计算和分析.     

PLD及其在数字电路实验教学中的运用

介绍了PLD器件的特点和优势 ,以及PLD实验方法及其优点 ,强调了通过实验让学生掌握PLD技术的重要性     

波在密度周期变化等离子体圆波导中的传播特性

电磁波与等离子体之间的相互作用是等离子体电子学和高功率微波器件研究的重点,加载等离子体可以大幅度提高微波器件的输出功率和效率.该文提出了一种加载密度周期变化等离子体圆波导的周期慢波结构,即加载密度轴向正弦变化等离子体圆波导的介质周期慢波结构,并研究了电磁波在该介质结构中的传播特性,根据严格的理论推导,得出电磁波在其中传播的色散方程并进行了数值计算和分析.     

关于圈和树的PLD

本文根据和在R.J.Fandree和R.H.Schelp在1976年召开的《关于图的理论和应用》的国际图论会上发表的论文《Various length paths in graphs》中提出的两个问题进行了探讨,得到了两类由PLD确定的连通图,得出了树的PLD的若干充要条件。这些充要条件提供了树的PLD的计算公式,应用起来十分方便;对所给序列中非零项较少且n不太大时,判别它是否是某棵树的PLD是十分有效的。本文对任意多个非零项及任意大的序列是否是某棵树的PLD也得到了一个应用方便的必要条件。     

波在周期磁化等离子体中的传播特性

电磁波与等离子体之间的相互作用是等离子体电子学和高功率微波器件研究的重点,加载等离子体可以大幅度提高微波器件的输出功率和效率。文章提出了一种新型介质周期结构即正弦周期磁化等离子体介质结构,通过采用广义反射理论和介质边界条件严格推导出电磁波在其中传播时的左旋圆极化波和右旋圆极化波的色散方程并进行了数值计算和分析,从而研究了电磁波在该介质结构中的传播特性。     

PLD制膜过程中等离子体羽辉演化的模拟

在建立脉冲激光沉积综合统一理论模型的基础上，进一步研究了制备了KTa0.65Nb0.35O3(KTN)薄膜过程中等离子体的空间演化规律，用有限差分法得到等离子体的速度在等温阶段和热阶段两个阶段的变化规律，并对这两个阶段粒子速度空间演化的物理机制进行了深入讨论，给出了相应演化过程的物理图像。     

脉冲激光沉积制备薄膜的研究动态

综述了脉冲激光沉积制备薄膜的原理、特点,国内外对脉冲激光沉积的研究应用情况及目前的最新研究方向．着重分析了脉冲激光沉积过程中各主要沉积条件,如激光能量密度、靶－基体距、真空室气压及基体温度等对薄膜质量的影响．     

脉冲激光沉积(PLD)机理分析及其应用

脉冲激光沉积薄膜是近年来发展起来的使用范围最广,最有希望的制膜技术．该文阐述了脉冲激光沉积技术的机理、特点,薄膜生长主要包括三个过程：1)激光与物质相互作用产生等离子体;2)等离子体向基片扩散;3)等离子体中粒子在基片上生长薄膜．文章还分析了脉冲沉积过程中各主要沉积参数,如激光能量密度、沉积气压和衬底情况等对薄膜质量的影响,并介绍了其在制备半导体、高温超导、类金刚石、生物陶瓷薄膜等方面的应用。     

溅射时间对脉冲激光沉积制备β-FeSi2薄膜的影响

本文基于脉冲激光沉积 (PLD)方法及热退火处理方式,利用输出波长为1064 nm的Nd:YAG脉冲激光器在P型Si (100) 衬底上生长了均匀的单相 β-FeSi₂薄膜。采用X 射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)分析技术,研究了β-FeSi₂薄膜的结构、组分、结晶质量和表面形貌。结果发现,在其他相同沉积条件下,随着溅射时间的增加,薄膜晶化程度、颗粒大小和形状、表面粗糙度都发生规律性变化,通过分析比较得出,在本实验条件下溅射时间为40 min制备的 β-FeSi₂薄膜结晶质量较好。     

金刚石产品的脉冲激光制备与应用

详细介绍了用脉冲激光法制备金刚石产品的发展过程 ,并总结了脉冲激光沉积 (PLD)、液体靶脉冲激沉积 (LYPLD)以及脉冲激光诱导液 -固界面反应 (PLIIR)等几种典型的实验方法、实验装置以及所取得的成果 在脉冲激光沉积法 (PLD)制备金刚石薄膜方面重点总结了最近比较新颖的液体靶脉冲激光沉积技术 ,而在金刚石纳米晶的制备方面综述了脉冲激光诱导液 -固界面反应法 ,此法在制备亚稳态纳米晶体方面显示出了较独特的优越性 图 4,参 1 6     

脉冲激光诱导Zn/InP掺杂过程中温度分布的数值计算

脉冲激光诱导InP的Zn掺杂过程中，金属-半导体分界面附近的温度是影响掺杂浓度和掺杂深度的一个重要因素．确定材料的温度分布有利于合理选择激光功率、辐照时间等工艺参数使表面或界面达到预期的温度．本文分析了脉冲激光诱导InP掺杂Zn的过程，利用数值计算的方法，计算了在简化一维模型下激光辐照过程中材料的温度场分布，得到了材料表面温度、金属-半导体分界面温度与激光脉冲宽度的关系，两者都近似呈线性关系，表面温度和分界面温度相差不大，这与解析方法得到的结果基本相同．研究表明，通过数值方法给出材料中温度场分布情况，可以直接在普通的PC机上计算任意给定时刻材料表面温度和金属-半导体分界面的温度．     

不同能量密度对脉冲激光沉积纳米硅晶粒尺寸的影响

在室温条件下保持Ar环境气体压强不变,采用脉冲激光沉积(PLD)技术,通过改变激光能量密度,在与烧蚀羽辉轴线垂直放置的衬底上沉积了一系列纳米硅晶薄膜,利用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼(Raman)散射光谱对样品进行特性分析.结果表明,在能量密度为2～4J/cm2时,衬底上沉积的纳米硅晶粒尺寸和面密度基本不变.结合纳米晶粒成核生长动力学,对结果进行了定性解释.     

脉冲激光沉积(PLD)技术及其应用研究

综述了脉冲激光沉积(PLD)薄膜技术的原理、特点,着重分析了脉冲激光沉积技术的研究现状和在功能薄膜制备中的应用前景。大量研究表明,脉冲激光沉积技术是目前最好的制备薄膜方法之一。     

氮化铝纳米晶和纳米线的研究进展

本文总结了氮化铝(A1N)纳米晶和纳米线研究的最新进展，详细讨论了直流弧光放电蒸发、化学气相沉积、磁控溅射、脉冲辅助激光刻蚀和有机溶液相反应等方法合成氮化铝纳米晶的最新研究成果，并对A1N纳米线研究作了评述．