反铁磁系统(S=5/2)中外磁场诱导的相变

讨论了在外磁场下自旋为S＝5／2的反铁磁三角晶格的静态磁化率与8温度的关系，当不存在磁场时，磁化率曲线在温度TN1处出现一个峰，加上外磁场时磁化率曲线又在TN2处出现一谷，在TN2处的相变是由外磁场诱导的，磁化率与外磁场的变化曲线存在一个连续区，对应实验上磁化率的1／3（S＝1／2）或1／2（S＝1）平台。     

Ni—Zn铁氧体微分磁化率曲线特征的研究

用匀速率增加的直流磁场Ｈ磁化不同居里温度的镍锌铁氧体试样，测得磁化强度Ｍ的时间变化率曲线表明：同一温度了随外场速率Ｈ增加，曲线升高；同一外场速率下随温度升高，曲线降低；微分磁化率ｄＭ／ｄＨ可以采用等效畴壁运动表示。     

Ni－Zn铁氧体微分磁化率曲线特征的研究

用匀速率增加的直流磁场Ｈ磁化不同居里温度的镍锌铁氧体试样，测得磁化强度Ｍ的时间变化率曲线表明：同一温度下随外场速率Ｈ增加，曲线升高；同一外场速率下随温度升高，曲线降低；微分磁化率ｄＭ／ｄＨ可以采用等效畴壁运动表示。     

交流磁化率谷效应的机制

长期以来 ,人们已经对低温和高温超导体中临界电流密度 (Ｊｃ)的峰效应作了大量研究 .直接观察峰效应的方法是用输运或磁化强度测量来确定Ｊｃ 随温度或磁场的变化 .此外 ,其他方法也常用来研究峰效应 .例如 ,测量复交流磁化率 -温度关系的曲线的谷效应等等 .然而 ,交流磁化率的谷效应是否对应于临界电流密度的峰效应呢 ?这个问题不清楚 .这是我们进行数值模拟的目的之一 .通常交流磁化率的谷效应或临界电流的峰效应被认为是由体钉扎而不是由表面位垒引起的 .不久前在Ｂｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8(ＢＳＣＣＯ)单晶上观测到交流磁化率的谷效应[…     

Sm_(0.5)Ca_(0.5)Mn_(1-x)Al_xO_3的制备及低温磁性质研究

通过高温固相法制备了单相多晶样品,对样品的磁性质进行测量与分析.XRD结构分析表明,该样品为单相正交结构,空间群为Pnma.磁性的测量表明,低温下样品为相分离态.ZFC和FC出现分叉,表现出典型的相分离特征,在ZFC曲线6K处出现一个小峰.红外吸收光谱分析表明了Al掺杂引起MnO_6八面体的畸变.Sm_(0.5)Ca_(0.5)Mn_(0.90)Al_(0.10)O_3交流磁化率曲线实部峰没有随频率的变化发生很明显的温度偏移,而其虚部峰随频率的增加而下降.     

La5/6Li1/6MnO3的低频内耗研究

研究了样品La5/6Li1/6MnO3的内耗、直流电阻、交流磁化率.在75—245K的温度范围内,在0.3T的磁场下该样品有明显的磁阻(MR)效应.测量到两个电阻峰(Tp1=224K,Tp2=169K)和一个MR峰(T=218K).内耗(Q-1)测量中发现两个峰(PL=169K,PH=224K)和模量软化;并且内耗峰温与频率无关、内耗峰值与频率成反比.最终,提出在样品中存在相分离的观点.     

应用布朗弛豫磁纳米的肿瘤热疗温度测量方法

提出了一种在中高频交流叠加直流磁场的作用下利用磁流体布朗弛豫时间进行温度测量的方法.通过测量交流磁化率得到磁流体的布朗弛豫时间,根据在交直流磁场(交流频率为5~10kHz,磁场为6×10~(-4)T,直流激励磁场为7.5×10~(-4)~30.0×10~(-5) T下布朗弛豫时间与温度的关系模型获得温度信息.构建了交流磁化率的测量系统来获取弛豫时间并用实验实现了温度测量方法,测量的温度误差小于0.15K.该方法可以实现磁纳米粒子在中高频交流激励磁场下的非侵入式的温度测量.     

相分离体系Nd_(0.85)Sr_(0.15)CoO_3的自旋玻璃行为

采用固相反应法合成Nd0.85Sr0.15CoO3多晶样品,应用物理性质测试系统对样品进行直流磁化强度、交流磁化率及交换偏置现象的测试,系统研究了Nd0.85Sr0.15CoO3的自旋玻璃行为。直流磁化强度测试结果显示零场冷却热磁曲线在冻结温度出现峰值,交流磁化率的测试可以看出曲线的峰值随着交流磁场的频率发生变化,而且在磁滞回线的测试结果中观察到与测试场有关的交换偏置现象。直流磁化强度、交流磁化率的测试结果表明,在低温时Nd0.85Sr0.15CoO3为自旋玻璃态。交换偏置现象的出现为自旋玻璃区域位于铁磁团簇和非磁区域之间形成二者之间的界面层提供了强有力的证据。上述结果表明自旋玻璃行为导致了Nd0.85Sr0.15CoO3的相分离。     

低温物性多功能测试系统

本文给出一套测量固体常用低温热参量的计算机控制多功能测试系统，可测量样品的电阻随温度的变化曲线Ｒ（Ｔ）、０～１．８×１０３ＭＰａ压力范围内电阻的温度特性Ｒ（Ｔ，Ｐ）、比热曲线Ｃ（Ｔ）及其ＡＣ磁化率，温区从液氮温度至室温．该系统集固体基本低温物性测量为一体，精度高，测量迅速、方便，为低温领域的物性分析（特别是高温氧化物超导体的研究）带来了极大的便利．     

直流偏磁场对三类硬磁畴畴壁长度的影响

在不同的直流偏磁场Ｈｂ下,测量了石榴石磁泡膜中三类硬磁畴长度（Ｌ）、宽度（Ｗ）和泡径（ｄ）．从而得到Ｌ、Ｗ和ｄ随Ｈｂ变化的曲线．结果表明,三类硬磁畴的畴壁长度都随Ｈｂ的增加而缩短．这些实验结果可为进一步的理论探讨提供实验依据     

Abnormal dielectric characteristics of PMN-32%PT single crystal under dc bias

It has been reported that the single crystal of relaxor ferroelectrics (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 (PMN-xPT) with the compositions near the morphotropic phase boundary (MPB, 0.28相似文献   

High power,longevity gallium arsenide photoconductive semiconductor switches

A GaAs Photoconductive Semiconductor Switch (PCSS) with a 3-mm gap between the two opposed contact electrodes was developed with carefully chosen GaAs material, mechanical structure design, contact fabrication techniques and its insulation protection. It is charged by a pulse power supply under a bias of 15 kV, illuminated by laser pulses of 1064 nm in wavelength, 56.12 μJ in optical energy per shot and 1 kHz pulse repetition rate (PRR). The GaAs PCSS can last for more than 3.6×106 shots and produce output ...     

混凝土箱梁层水化热场时程分析与评价模型

针对混凝土箱梁墩顶块在施工浇筑过程中的早期开裂现象,基于最小目标原理,建立了混凝土箱梁水化热评价模型;在水化绝热温升模型的基础上,采用大型通用软件ANSYS,对正常浇筑模式下和3层浇筑模式下混凝土箱梁墩顶块水化热温度场进行三维数值仿真,得到水化热场温度峰值和温差峰值时程曲线,并将3层浇筑与正常浇筑模式进行了对比分析以及优化评价。研究结果表明：3层浇筑方式能够改善混凝土水化热温度峰值,但对缩小温差峰值不明显;热场评价模型能够准确地反映浇筑方式的合理性,评判其温度峰值与温差值的差异性。     

二维圆形边界温度场声学测量的仿真研究

对二维圆形边界温度场声学测量方法进行深入研究,提出一种新的二维温度场区域划分方法,阐述了声学法二维圆形边界温度场重建思想.应用C + + 语言编制了最小二乘重建算法的程序,对单峰及双峰二维温度场进行了仿真,并对仿真结果进行分析.     

Co-NiO/FeNi双层膜的交换偏置效应

金属Co片和NiO靶材通过溅射得到Co-NiO薄膜, 当Co含量为25.2％时, Co-NiO/FeNi双层膜的偏置场H_E最大, 是未掺入Co时NiO/FeNi偏置场的3倍. 分析表明,金属Co的团簇镶嵌在NiO基质中, 该结构可提高铁磁/反铁磁双层膜的偏置效应.      

侧向点爆炸作用下浅埋圆拱结构塑性破坏规律

考虑近场侧向爆炸时荷载的非对称性、不均匀性和局部性,利用几何关系推导侧向爆炸时结构表面荷载的解析式.针对不同的结构截面受力模式,利用轴力和弯矩共同作用下的截面塑性破坏准则,并基于四铰破坏机制,提出浅埋圆拱结构塑性破坏简化计算方法.基于Matlab软件,判断圆拱结构塑性破坏时截面的受力模式,并确定结构塑性铰分布.结果表明:在2个拱脚附近、荷载峰值作用处,以及背爆面一侧拱肩位置产生塑性铰;在爆炸偏角较小时,塑性铰先出现于背爆面的拱脚和爆源投影点位置;随着爆炸偏角的增大,第1个塑性铰出现于迎爆面的拱脚位置.在实际工程中,大偏压是较为理想的破坏模式.     

电磁软接触连铸圆坯结晶器传热分析

针对电磁软接触连铸过程,建立了结晶器三维电磁场及温度场模型,研究了电流、电源频率、铸坯与结晶器间热流密度以及绝缘材料导热性能对温度场的影响.结果表明,在高频电磁场作用下结晶器壁温度相比传统连铸结晶器有所提高.当前计算条件下,频率和电流增大,结晶器壁峰值温度随之升高.热流密度的大小直接决定着结晶器壁的温度分布,热流越大,温度沿高度方向的不均匀性越明显,沿结晶器周向,由于材料不连续引起的温度梯度也越大.绝缘填缝材料的导热性能对结晶器壁温度分布有较大影响,导热性能差的绝缘材料使温度沿高度方向出现两个峰值,分别对应于切缝的两端,加大了铜壁的温度梯度.     

Cd_(0.03)Sr_(0.485)Ba_(0.485)Nb_2O_6单晶及其介电谱

本文报告了f=1KHz到1GHz范围内Cd_(0.03)Sr_(0.485)Ba_(0.485)Nb_2O_6(CdSBN)单晶的新鲜样品,和经交变电场处理后样品的介电谱.实验表明,低频介电弛豫经强交变电场处理后而消失,同时交流电导率也降低.在施加偏置电场后,其介电常数出现极大值的温度T_m向高温方向移动,这可用场致相变加以解释.同时也说明该晶体属于二级相变的特性.又在实验所加的偏置电场范围内,晶体相变的弥散性不产生影响.     

Structure and magnetic properties of Ni50Mn35In15 thin film

Thin film of Ni50Mn35In15 Heusler alloy was prepared on Mg O(001) substrate by epitaxial growth in an ultra-high vacuum(UHV) chamber by a Pulsed Laser Deposition(PLD) method. The epitaxial growth process was monitored by in situ reflection high energy electron diffraction(RHEED) and the structure of the film was checked by ex situ X-ray diffraction(XRD), which indicates that high quality Ni50Mn35In15 single crystal film with a face-centered-cubic(fcc) structure could be stabilized on Mg O(001). Magnetic property measurement was also conducted at various temperatures by using physical property measurement system(PPMS). A significant exchange bias was observed for Ni50Mn35In15 film,and the strength of the exchange bias field(HEB) increases with the decrease of temperature. Such a behavior can be ascribed to the fact that the interfacial spin interaction between ferromagnetic(FM) and antiferromagnetic(AFM) cluster is enhanced with the decrease of temperature.     

基于Reflected Sigmoid径向基函数插值的温度场重建算法

声学法测温在特殊的温度场环境中有良好的应用,主要是利用有限的超声波传播路径上的飞行时间重构出连续分布的温度场.现有的温度场重建算法中最小二乘法是最常用的方法,但其重建后的温度场会出现边缘信息缺失的现象.针对这一问题,提出在最小二乘法确定温度矩阵的基础上,结合Reflected-Sigmoid函数进行插值,实现了二维平面温度场的无缺失重建.通过两种典型的单峰温度场模型的重建结果及误差分析表明,在补全温度场边缘的条件下,单峰对称温度场的均方根百分误差在1.6%,单峰偏斜温度场的均方根百分误差在3.5%,取得了很好的重建效果.