巧选切口 奋力突破——宁波发展大规模集成电路的高招

在长江三角洲工业带中,上海是龙头。以上海为中枢,有一群工业明星城市:苏州、无锡、常州、张家港、镇江……杭州湾畔的宁波是其中之一。 宁波濒海临江,美景天成,文化古蕴源远流长,历代英杰辈出。它的     

集成电路芯片非Fourier导热方程的显式解析解

对模拟集成电路芯片快速导热情况的非Ｆｏｕｒｉｅｒ热波方程给出了一系列代数显式解析解,它们还能组成多重级数解,解析解除在理论上有其无可代替折重要理论意义外,还可以用作检验数值解的标准解以及作为研究数值计算方法的基础。     

大规模类脑神经网络理论与方法

脑启发的脉冲神经网络被称为第三代人工神经网络,通过模拟神经动力学、事件驱动等计算特性捕捉时序信息和节能高效地进行计算,为人工智能领域的发展提供了新范式.大脑惊人的信息处理能力很大程度上归功于其庞大的网络规模和复杂的网络连接.构建大规模类脑神经网络为脑启发式的人工智能、神经形态计算以及多应用领域带来了突破性的进展.本文首先根据现有的研究,分类介绍了脉冲神经元模型、大规模脉冲神经网络模型与算法、深度训练框架和神经形态芯片等3个方面的计算原理和最新的研究进展,指出了目前大规模类脑神经网络研究的进展和存在的问题,随后重点论述了大规模类脑网络的神经形态视觉应用,包括神经形态视觉重构、极端场景目标检测等.最后,在总结已有研究成果的基础上,对该领域的研究现状给出了若干结论,同时指出了仍然存在的一些问题,并对未来研究的需求、期待与发展趋势进行了展望.     

大规模集成电路芯片的显微照片

在大规模集成电路研制中,逆过程设计方法是一项重要手段,这就需要判读和识别芯片上的电路结构。由于集成电路芯片是由多层电路重叠在一起组成,所以必须把每层电路都识别出来。我们把显微镜下得到     

三维CMOS集成电路结构的HVEM研究

提高VLSI集成度的重要途径之一是研究器件的新结构,发展三维集或电路,即在制成的MOS器件上形成一层SiO_2绝缘层,再在其上的再结晶多晶硅层上制作另一层MOS器件。近年来关于这方面的工艺研究已有一些报道。我们用高压电子显微镜对这种三维电     

“中国微电子发展——纪念集成电路发明50周年”技术论坛举办

中国科学院信息技术科学部、技术科学部、西安市人民政府和陕西省工业和信息化厅于2009年5月19日在西安联合举办了"中国微电子发展——纪念集成电路发明50周年"第39次技术论坛.共有10位专家在该论坛上介绍了国内外微电子发展的现状和前景.北京大学王阳元教授首先作了题为"将我国从集成电路消费大国建成集成电路产业强国"的报告.报告中     

中国集成电路领域有了多种“中国芯”

在集成电路核心技术研发中，信息产业部实施的“中国芯工程”取得群体突破，一批拥有自主知识产权、掌握核心技术又占据一定市场份额的芯片制造企业涌现出来。     

柔软的塑料芯片

条形码的出现使得结帐更加快捷,磁卡的出现使银行业和购物发生了奇迹般的变化。但这些成就比起即将到来的下一代全塑料微处理器来说,就都黯然失色了。这种塑料微处理器价格低廉,功能强大,而且制造工艺简单。它可以使那些产品标签和一次性消费品具有一台小型计算机的数据存储和数据处理能力。这样,每天你就可以买一张扑克牌大小,并且具有交互功能的报纸了。 位于荷兰埃因霍芬的菲力浦研究实验室目前处于研发这种塑料集成电路的前沿。两年前,它们曾研制出第一块塑料集成电路板（ＩＣｓ）。最近这个研究小组在《应用物理快报》上宣布,…     

SOI—21世纪的硅集成电路技术

ＳＯＩ（ Ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）被国际上公认为是“２１世纪的硅集成电路技术”。ＳＯＩ是在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的、有独特优势的、能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术。 ＳＯＩ的重大突破 １９９８年８月,美国ＩＢＭ公司宣布在世界上首次利用ＳＯＩ技术成功地研制出了高速、低功耗、高可靠的微电子主流产品──微处理器等高性能芯片。紧接着,ｓｃｉｅｎｃｅ杂志以及我国中央电视台新闻联播“中国科学报”等都相继作了报道。ＩＢＭ的这一成果之所以引起如此大的轰动,是因为其不仅在世界上…     

垂直氮化镓功率晶体管及其集成电路的发展状况

氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,因其优越的性能,例如高电子迁移率、高电子饱和速率、耐高温及高热导率等优点吸引了越来越多的关注.也正是因为这些优点,垂直氮化镓功率晶体管在未来的电力电子领域中具有很大的发展和广泛的应用前景.本文列出了氮化镓材料和其他半导体材料主要的物理参数、氮化镓单晶制备及其外延生长的主要方法,阐述了氮化镓功率器件在目前环境下的优势.针对器件结构,列出了横向器件本身存在的问题和垂直器件的优点,解释了垂直器件为何能够成为未来功率器件的主流结构.在此基础上,详细介绍了氮化镓电流孔径垂直晶体管、垂直氮化镓沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管、基于原位氧化物氮化镓夹层的垂直沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管和垂直氮化镓鳍式场效应晶体管的结构、工作原理、研究进展及所存在的一些问题,并将文中所提及的垂直氮化镓功率晶体管的性能参数按器件种类和时间顺序进行归纳为未来氮化镓功率晶体管的发展提出了大致的方向.针对集成电路系统,归纳了氮化镓功率器件在驱动芯片方面的特殊要求和关键技术.最后,针对当下的市场环境,列举了垂直氮化镓功率晶体管在中、低压范围内比较热门且发展前景较好的应用场景.     

缺陷工程——开发大规模集成电路硅材料的一个重要因素

随着近代科学技术的发展,人们对材料的要求越来越高。目前,固体缺陷的研究已超越物理学的范畴,向其他学科渗透,向纵、深发展,已经成为材料科学的一个重要组成部分。固体缺陷研究的一个主要任务是,研究材料缺陷的形成、演变及其对性能的影响,采用先进工艺技术,减少缺陷的产生,以获得高质量的材料。近年来,根据应用对材料的要求,人为地控制或利用缺陷,以获得高质量的材料,这     

大规模开放式网络课程的成败得失之争

<正>2013年12月11日《纽约时报》在头版发表了关于"慕课(MOOCs)"的文章,与其他媒体一起,对当前的慕课热进行了再思考。慕课(MOOC)是英文A Massive Open Online Course的首字母缩写,即"大规模开放式网络课程"。一年前,《纽约时报》曾发表了一篇2600字的概述,标题为"MOOC之年",文章称,"慕课作为学术研讨与合作的形式,实际上已经存在了许多年,     

提出酸碱质子理论的化学家——勃伦斯特

任何一本大学化学教材或专，只要对酸碱理论有所阐述，几乎无不对质子理论着墨介绍。而明确提出酸碱质子理论定义，并加以较完整阐述的化学家，就是丹麦学勃伦斯特。     

分子诊断的现状和未来

2001年2月12日人类基因组DNA全序列数据的公布,标志着现代医学的发展巳逐步进入“基因组医学”时代基因组医学对疾病诊治的首要贡献是“预测医学”或“分子诊断”,即在婴幼儿时期以及个体发病前期进行基因筛查,以识别出疾病基因或发病风险基因的携带者,从而采取有效的预防和治疗措施。