KLu(MoO4)2:Yb3+/Ho3+荧光粉的制备及其温度传感性能探究

利用柠檬酸辅助水热合成前驱体再进行煅烧的方法,制备一系列KLu(MoO₄)₂:Yb³⁺/Ho³⁺荧光粉。合成的荧光粉在980 nm的红外光激发下,KLu(MoO₄)₂:Yb³⁺/Ho³⁺主要发射位置在绿光区(540 nm)和红光区(660 nm)。在323～523 K的温度范围内,研究了KLu(MoO₄)₂:20%Yb³⁺ 0.3%Ho³⁺温度传感性能。通过计算,在温度为323 K下,得到最高的相对灵敏度为0.004 2 K^-1。结果表明,所得KLu(MoO₄)₂:Yb³⁺/Ho³⁺荧光粉是一种潜在温度敏感材料。     

(PrGdYb)_(3-x)(FeAl)_5O_(12)石榴石外延膜及其磁光特性

文中详细讨论了新型磁光材料(PrGdYb)_(3-x)Bi_x(FeAl)_5O_(12)单晶薄膜的外延生长法及所得样品的测试数据。样品比法拉第旋转θ_F～1.6×10~4deg/cm,并有较宽的光谱透过区.     

Nd(Tb,Dy)Co/Cr薄膜的磁性能与磁光性能

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Nd(Tb,Dy)Co/Cr薄膜.X射线衍射仪分析结果表明溅射制得的Nd(Tb,Dy)Co薄膜为非晶结构.振动样品磁强计(VSM)测试结果显示NdTbCo薄膜垂直膜面方向矫顽力与剩磁矩形比分别达到308.8kA/m和0.732,而平行膜面方向矫顽力与剩磁矩形比分别仅为22.3kA/m和0.173,这表明NdTbCo薄膜具有垂直磁各向异性.随着Nd掺杂量的增加,Nd(Tb,Dy)Co薄膜的矫顽力逐渐降低,克尔旋转角与反射率则逐渐升高.(NdxTb1-x)31Co69的克尔旋转角和反射率分别从x=0的0.2720°,0.2616,上升到x=0.338的0.3258°,0.3320.(NdxDy1-x)33Co67的克尔旋转角和反射率分别从x=0.210的0.2761°,0.3054,上升到了x=0.321的0.3231°,0.3974.Nd掺杂量对克尔旋转角的影响可用Nd(Tb,Dy)Co的亚铁磁结构进行解释.     

燃烧法制备Na5Eu（MoO4）4红色荧光粉

采用燃烧法制备Na5Eu(MoO4)4红色荧光粉,并通过XRD,TEM研究了粉体的结构和形貌特征.与文献报道的高温固相法合成的粉体相比,在紫外激发波长395 nm下,发出极强的红光同时显示出合适的色度坐标为(x=0.673,y=0.327),因此它可被应用于近紫外InGaN基白光LED芯片.     

Waugh 结构(NH4)6[NiMo9O32]6H2O的合成与表征

以(NH4)6Mo7O24*4H2O和NiSO4*7H2O为原料合成了[(NH4)6NiMo9O32]6H2O. 利用红外、紫外-可见、差热-热重和X射线对该化合物进行了表征. 结果表明该杂多酸盐属于Waugh型,稳定性好,晶体结构为三方晶系,空间群为R32,晶胞参数为a=1.592 2 nm,c=1.240 6 nm. 用循环伏安法对该化合物氧化还原的性质进行研究,结果表明随着pH增加阴极峰电位逐渐阴极化. 该杂多酸盐只有在pH=4.4左右的水溶液中才能无限期稳定存在.     

一种基于同多钼酸盐支撑化合物{[Zn（phen）2]2(γ-Mo8O26)}的合成及其结构表征

本文采用非水热法合成了一个基于同多钼酸盐支撑的化合物{[Zn(phen)2]2(γ-Mo8O26)}(phen=1,10-phenanthroline),并采用红外光谱、热重分析以及单晶X射线衍射等方法对此化合物进行了表征。结果表明,目标化合物{[Zn(phen)2]2(γ-Mo8O26)}中包含一个[γ-Mo8O26]4-阴离子基团与两个[Zn(phen)2]2+配位单元;该化合物通过C-H...O氢键把phen和[γ-Mo8O26]4-阴离子紧紧连接起来,形成了一个三维的超分子结构。     

Sm2Fel7-xGaxCy化合物磁晶各向异性的晶场分析

用单离子模型晶场理论计算了Sm     

(Na0.5Bi0.5)0.945Ba0.055TiO3单晶的生长及光学性能研究

采用顶部风冷籽晶助熔剂法成功生长出了(Na0.5Bi0.5)0.945Ba0.055TiO3(简称NBBT5.5)晶体,晶体尺寸达到了Φ35mm×12mm;研究了粉料的热学性质、晶体的结构、光学性能及压电性能.实验结果表明,晶体具有三方相四方相共存的钙钛矿结构.通过研究粉料的DSC-TG曲线,得到了制备单晶材料的预烧结的温度以及烧结温度,优化了NBBT单晶材料的制备工艺,降低了Bi2O3和Na2O的挥发.晶体具有优良的光学性能,在369nm处晶体处于全吸收,390nm以上晶体是透明的,1 000nm处透过率达到72%.NBBT5.5晶体的压电常数d33为438pC/N,是一种极具应用潜力的无铅压电材料.     

AgYb(MoO4)2:Er3+/Tm3+/Ho3+稀土发光材料的水热合成及其温度传感性能

为了提高Ln³⁺离子的发射强度,Yb³⁺离子在上转换(up conversion, UC)系统中通常用作敏化剂,在980 nm处有着广泛且强的吸收带.作为含有Yb³⁺的基体材料,AgYb(MoO₄)₂中的离子浓度更高,因此掺杂离子的发射强度更强,期待可以获得更好的温度敏感性.采用Er³⁺掺杂后获得的材料的温度敏感性在473 K时达到0.013 3 K^-1,对比于相同条件下合成的NaY(MoO₄)₂材料,其温度敏感性更高.并且Ho³⁺和Tm³⁺的共同掺杂还可以用来进行合成白光发射,即通过共掺杂Tm³⁺后获得蓝光部分(¹G₄-³H₆),再通过Ho³⁺的掺杂获得红光(⁵F₅-     

Ln0.567Li0.3MnO4(Ln:稀土)的溶胶-凝胶法合成及其电性质

采用溶胶-凝胶法合成了Ln0.567Li0.3MnO4(Ln:La,Nd,Gd,Dy,Ho)系列化合物,随着Ln3+半径的增加,晶胞参数a,c以及c/a值增大,室温下Ln0.567Li0.3MnO4电导率增大.与固相法合成相比,合成温度低了近200℃,可以有效减少锂和钼在高温合成中的挥发,室温电导率提高了一个数量级(10-6S.cm-1到10-5S.cm-1).     

法拉第效应在化学中的应用

这是一篇关于法拉第效应在化学中应用的综述性论文,在文中简洁地论述了磁致旋光和磁圆二色性的基本原理,实验装置,在化学中的应用及其发展前景。     

反铁磁质中右旋和左旋的园偏振波

计算在反铁磁性中沿垂直外磁场方向同时传播的右旋和左旋的园偏振波的磁导率，分析右旋和左旋的园偏振波的磁导率及其色散关系，并计算和讨论在垂直外磁场下，反铁磁质中的法拉第旋转效应。     

Sm2Fe17化合物中Ga替代效应的理论分析

用单离子模型计算了Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘ中的晶场,给出了晶场系数随Ｇａ含量的变化关系。在晶场和交换作用近似下,计算了体系的自由能随Ｇａ含量和温度的变化关系,用最小二乘法拟合自由能给出各向异性常数Ｋ,Ｋ２从而得到各向异性场Ｂａ。计算结果与实验中的规律基本符合。     

低温强磁场下NdF3法拉第效应的计算

用量子理论得出求解NdF3磁光效应的近似方法。计算得到了在温度为15 K、18 K和25K时,外磁场C轴磁化的法拉第旋转角与外磁场的变化关系,其结果与实验值吻合较好。     

廉价R-Fe-B系烧结永磁材料的制备

为了综合利用我国稀土资源,降低Nd—Fe—B永磁合金的成本,研究了廉价(Nd、Pr)—Fe—B和(Ce、Nd、Pr)—Fe—B永磁材料的化学成分,制造工艺与磁性能的关系及其变化规律。添加Al可以大幅度提高合金的矫顽力。(Nd、Pr)—Fe—B合金最佳磁性能:Br=1.25T,M_Hc=714.3kA/m,(BH)_(max)=297.5kJ/m~3。(Nd、Pr)_(1-y)Ce_y—Fe—B合金的磁性能随Ce含量增加而降低。研究测定了合金的居里温度609～590K,剩磁可逆温度系数-0.094～-0.119％/K。观察分析了合金的显微组织,并测定了合金的密度,硬度及电阻率。     

稀土元素Gd、Ho和Dy在磁共振成像应用的研究进展

Gd、Ho和Dy因其独特的光学和磁学性质而在生物成像等方面有着广泛的应用.在镧系元素中,Gd~(3+)具有7个不成对的电子,可以提供高的弛豫度,已被广泛地用于磁共振成像(MRI)造影剂,而Ho~(3+)和Dy~(3+)具有最短的电子弛豫时间和最高的有效磁矩,因此有良好的高场T_2弛豫效果.介绍了基于这3种稀土元素的纳米材料在MRI方面的应用.     

弱磁性材料磁化率测量技术的研究

弱磁性材料磁化率的数值很小,精确测量非常困难。在磁极头设计、励磁电路及计算机在测量中的应用等各方面进行研究,对传统的法拉第磁天平法加以改进,大大提高测量精度。     

关于图的平方根的一个注记

给出了一个以图的边数来判断一个图是否存在平方根的一个必要条件：对于图Ｇ（Ｖ，Ｅ），基｜Ｅ｜〈２｜Ｖ｜－３，则此图无平方根。