熔凝玻璃膜钠离子迁移率测量及研究

本文提出利用IMA测量介质膜中可动离子漂移迁移率的新方法,并用该方法测量了熔凝玻璃膜中Na~+漂移迁移率,研究了Na~+迁移率与温度的关系。     

银硼磷玻璃系统的形成区、电导和离子传输研究

制备了AgX-Ag_2O-P_2O_5-B_2O_3(X=Br,Cl)系统快离子玻璃样品,确定了其玻璃的形成区,测量了该系统玻璃的离子电导率、迁移数、玻璃转变温度和红外光谱。提出了该系统中银离子迁移的结构模型,玻璃是BO_3、BO_4、PO_4基团和Ag~+离子、Br~-离子或Cl~-离子组成的。玻璃中AgX、Ag_2O和B_2O_3/P_2O_5含量越多,电导率就越大。电导率随组成的变化从结构和化学键的观点进行了解释。     

Er3+离子掺杂的碲酸盐玻璃光谱性质分析

用976 nm光激发测量了室温下掺Er3 碲酸盐玻璃的上转换发光,讨论了上转换发光机制.同时测量了掺Er3 离子碲酸盐玻璃的吸收光谱和荧光光谱,发现掺Er3 离子碲酸盐玻璃的荧光半高宽可达80 nm,应用McCumber理论计算了1 531 nm处的受激发射截面可达0.75×10-20cm2.对Er3 离子在不同基质玻璃中光谱特性的比较,发现了Er3 离子在碲酸盐玻璃中具有相对较高的受激发射截面和宽的荧光半高宽.     

关于PDP用玻璃材料的特性研究

本文介绍了PDP等离子显示器中采用玻璃材料制作的玻璃基板的重要作用及其制造方法,对玻璃基板的热特性、机械特性等作出了详细的分析和探讨。     

掺Er3+离子碲酸盐玻璃的光谱性质研究

测量了掺Er3 离子碲酸盐玻璃的吸收光谱和荧光光谱,经荧光光谱测试发现掺Er3 离子碲酸盐玻璃的荧光半高宽可达80 nm,应用McCumber理论计算了1 531 nm处的受激发射截面可达7.5×10-21cm2.对Er3 离子在不同基质玻璃中光谱特性的比较发现,Er3 离子在碲酸盐玻璃中具有相对较高的受激发射截面和宽的荧光半高宽.     

电子束蒸发Al2O3/SiO2复合薄膜电学性能的研究

利用离子辅助电子束蒸发技术,在玻璃基底上以交替沉积的方式制备了A12O3/SiO2叠层复合薄膜,单层介质膜膜厚分别选取54和16 nm,总厚度为560 nm.采用步进法测试得到金属电极/复合绝缘膜/金属电极(MIM)结构的I-V特性曲线,具体成分为CrCuCr/(Al2O3/SiO2)8/CrCuCr,相应的厚度为80...     

HgI_2-Ag_2S-As_2S_3硫系玻璃离子选择电极

研究了适合作为离子选择电极的HgI_2-Ag_2S-As_2S_3和HgS-Ag_2S-As_2S_3系统的玻璃形成区。通过对这些玻璃性质与结构分析,发现xHgI_2·(100-x)(0.5Ag_2S·0.5As_2S_3]系列玻璃是很好的传感膜材料。采用该系列玻璃制成了对Ag~+离子10~(-6)～10~(-1)mol/L浓度范围具有能斯特响应斜率60mV/mol·L~(-1)和对Hg~(2+)离子10~(-6)～10~(-1)mol/L浓度具有能斯特斜率30mV/mol·L~(-1)的电极。这些电极具有优良的电化学性能。结合非晶态固体电解质的离子迁移模型,提出了这类硫系玻璃屯极的响应机理。     

用C-V特性三点法测量表面电荷的原理和应用

本文提出一种利用MOS结构C—V特性测量Si—SiO_2介面固定表面电荷和可动离子的新方法。此方法的特点是:(1)不需要x—y函数记录仪;(2)测量程序简单,可快速求值;(3)测量结果准确,故最适宜作MOS集成电路工艺或平面工艺的监控手段。     

离子注镧对镍氧化膜生长及其膜内应力的影响

对纯镍及其表面离子注镧样品在900℃空气中的恒温氧化规律进行研究.用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对NiO膜的微观形貌和结构进行测试.用激光拉曼(Raman)光谱仪和X射线衍射仪(XRD)对2种样品表面氧化膜的应力状态进行测量.用次级离子质谱仪(SIMS)对氧化膜内元素Ni、O和La的深度分布情况进行测量.结果表明:离子注镧显著降低了镍的恒温氧化速率,细化了表面NiO膜的晶粒尺寸;同时将氧化膜的生长由注镧前Ni2+阳离子的向外扩散转变为注镧后O2-阴离子的向内扩散为主.X射线衍射和激光拉曼光谱测量均反映出注镧引起的膜内应力降低效应,并且结合氧化膜内应力深度分布的不均匀性及膜生长过程中存在的稀土元素效应,对2种应力测量结果之间存在的偏差进行了细致分析.     

非晶态快离子导体中的“混合碱效应”

通过对0.5[xNa_2O—(1-x)Li_2O]—0.5P_2O_5和0.3[xNa_2O—(1-x)Li_2O]—0.7B_2O_3两个非晶态碱金属离子玻璃体系的制备和测试,证明了非晶态快离子导体中“混合碱效应”的存在,并由实验曲线找出了这两种玻璃材料的转变温度T_8、离子电导率σ_T、幂前因子σ_O和激活能E_a分别与组成该材料的摩尔分数x之间的相互关系。     

玻璃护套—光纤一体化新颖单模光纤耦合器的研制

采用特种工艺，研制玻璃护套与光纤熔融一体化，多层折射率组合波导的熔融拉锥型单模光纤耦合器，与传统熔融拉锥型单模光纤耦合器比较，可改善偏振特性，密封性好，具有高可靠性，能满足恶劣环境要求。     

原子力显微镜对电场诱导组装的酶/聚电解质多层膜表面酶分子聚集拓扑形貌的表征

采用原子力显微镜观察了不同电压下电场诱导组装的酶/聚电解质多层膜表面酶分 子的聚集拓扑形貌, 研究了膜表面粗糙度和表面形貌随操作电压变化的关系以及酶在膜表 面聚集形态的不同对酶活力的响. 实验结果表明, 不同的组装方法对膜表面酶分子的形态 和分布具有很大影响, 在较低的操作电压下, 酶分子以分子簇形式存在, 而在较高操作 电压的作用下, 酶分子在膜表面以聚集体形式存在.     

交流脉冲制备TiO2薄膜的性能研究

利用150kHz交流脉冲放电进行等离子体化学气相沉积（PCVD），使用Ti（OC3H7）4为源物质，在普通钠钙载玻片上制备了TiO2膜．主要考查了交流脉冲电压、反应室工作气压、气体流量、薄膜沉积温度等工艺参数对薄膜光学特性的影响,通过薄膜透过率和吸光度分析，探讨了各工艺参数对成膜品质的影响．结果表明：在载玻片上．根据不同沉积条件可制成性能不同的TiO2薄膜，均有光催化特性且附着力好．     

Electrical bistable characteristics of poly（phenylene sulfide） thin film deposited by thermal evaporation

Poly（phenylene sulfide） （PPS） is a well-known organic insulator. However, the PPS thin film, deposited by thermal evaporation in vacuum, showed electrical bistable characteristics. The structure of the PPS thin-film device was glass/ITOIPPS （300 nm）/Au. The thin film can be converted to a high conductance state by applying a pulse of 80 V （5 s）, and brought back to a low conductance state by applying a pulse of 100 V （5 s）. This kind of thin film is potential for active layer of a memory device. The critical voltage of the device is about 40 V, while the read-out voltage is 5 V. We tentatively ascribe the bistable phenomenon to the charge transfer from S to C atoms in the PPS molecule chains.     

ZQ高压功率二极管的玻璃钝化研究

本文研究报导了ZQ高压功率二极管的玻璃钝化方法,采用适当的腐蚀技术、玻璃粉涂敷技术和玻璃微晶化技术,获得了良好的内层玻璃钝化膜。实验结果表明,用该膜钝化的ZQ器件具有优良的可靠性和高温工作特性。     

退火温度对溅射氧化锌薄膜的影响

利用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了高度C轴择优取向的纳米氧化锌(ZnO)薄膜,采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪研究了退火热处理温度对ZnO薄膜形貌、结构和内应力的影响规律.结果表明:热处理可以明显改善薄膜的结晶质量,薄膜的晶粒变得致密,尺寸也变得均匀;(002)衍射面的晶面间距和内应力均低于未经热处理的样品;当温度高于450℃以后,薄膜的致密度反而下降,部分晶粒异常长大,随着退火温度的逐渐升高,ZnO薄膜(002)衍射面的晶面间距和内应力先减小,到450℃达到最小值,后又逐渐增大,可见450℃热处理后,薄膜的表面形貌、结构和内应力均得到很大的改善.     

基于2×2光纤耦合器和磁流体薄膜的磁光开关理论与实验

提出一种基于2×2熔锥型光纤耦合器和磁流体薄膜的光纤磁光开关.理论分析和实验结果表明,当锥形耦合区外部磁流体薄膜折射率随外加磁场变化时,耦合器的输出光功率会发生相应的改变,可以实现光的开关功能.数值计算与实验测量结果基本一致,其开关隔离度大于26 dB.     

染料掺杂的向列相液晶智能调光器件的开关态特性

提出了一种染料掺杂的向列相液晶智能玻璃器件的制作过程,并研究了它的开关态特性.先在上下两基板（ITO）上涂覆聚酰亚胺取向层,将液晶平铺在下基板上,再用带有密封胶框的上基板沿同一摩擦取向方向与下基板压合,制得向列相液晶器件.未加电场时,液晶在取向层的作用下形成平行与基板的多畴排列状态;施加电场后,液晶逐渐在电场作用转向,由平行于基板的多畴排列状态转变为垂直于基板的单畴排列状态,可见光在液晶器件中由散射转为透射,由关态转为开态,从而实现其明暗的切换.染料浓度与驱动电压共同影响器件的透射率.器件开关态阈值电压随器件厚度的增大而增大,在染料液晶浓度5%,盒厚30m时,器件的阈值电压为5 V,饱和电压为15 V,此时智能玻璃的透射率最高,明暗切换特性越好.     

Effect of oxygen partial pressure and transparent substrates on the structural and optical properties of ZnO thin films and their performance in energy harvesters

Zinc oxide (ZnO) thin films were deposited onto different substrates-tin-doped indium oxide (ITO)/glass, ITO/polyethylene naphthalate (PEN), ITO/polyethylene terephthalate (PET)-by the radio-frequency (RF) magnetron sputtering method. The effect of various O₂/(Ar+O₂) gas flow ratios (0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, and 0.6) was studied in detail. ZnO layers deposited onto ITO/PEN and ITO/PET substrates exhibited a stronger c-axis preferred orientation along the (0002) direction compared to ZnO deposited onto ITO/glass. The transmittance spectra of ZnO films showed that the maximum transmittances of ZnO films deposited onto ITO/glass, ITO/PEN, and ITO/PET substrates were 89.2%, 65.0%, and 77.8%, respectively. Scanning electron microscopy (SEM) images of the film surfaces indicated that the grain was uniform. The cross-sectional SEM images showed that the ZnO films were columnar structures whose c-axis was perpendicular to the film surface. The test results for a fabricated ZnO thin film based energy harvester showed that its output voltage increased with increasing acceleration of external vibration.