电子辐照GaP晶体中缺陷的产生和影响

本文描叙电子辐照GaP晶体中缺陷的产生过程及对少子扩散长度和发光的影响。测量了电子辐照前后的少子扩散长度的变化,观察了缺陷密度和形貌,通过阴极射线发光讯号和电子束感生电流讯号的检测,对少子扩散长度和缺陷的变化加以验证。分析了电子辐照GaP晶体中缺陷产生的机制,计算了GaP晶体的原子位移间能和电子辐照阔值能量。本工作证明GaP晶体中点缺陷和微缺陷是重要的无辐射复合中心,高密度微缺陷使材料少子寿命和发光效率显著降低,产生发光猝灭。     

RTM缺陷形成机理的研究

简要介绍了树脂传递模塑 (RTM )成型工艺中缺陷的形成机理理论 .该理论能根据纤维增强材料的铺设结构及树脂胶液流动方式预测缺陷的形成     

GaP(N)中深能级缺陷和发光效率

用光电容方法研究了GaP(N)样品中深能级杂质缺陷;以曲线拟合方法计算机分析多能级响应的瞬态光电容谱,确定深能级参数:能级位置、能级浓度和光发射率等;并测量了GaP(N)LED的发射光谱和发光效率。结果表明:发光效率较低的LED(η_(ext)=0.019％)中存在着E_1、E_2、E_3、E_4、E_5、H_1多种深能级;发光效率较高的LED(η_(ext)=0.096％),深能级较少(E_3、E_4、H_1)。这些深能级具有无辐射复合中心作用,使发光效率明显降低。     

电子辐照GaP(N)光电性质及缺陷中心

本文描述1MeV电子辐照GaP(N)LED中辐照缺陷及其对光电性质的影响。用EL光谱、CL光谱和光电流谱等为研究技术,发现电子辐照使发光效率显著降低,并产生新的辐射中心,证明发光效率的降低是由于辐照产生大量无辐射复合中心和某些辐射复合中心对能量的耗散作用。分析了这些缺陷中心的本质。指出GaP(N)LED中V_(Ga)和残存氧原子是特别有害的杂质和缺陷。     

脉冲电磁缺陷检测融合机理研究

针对铁磁性构件表面和下表面缺陷检测的难题,建立了脉冲电磁检测模型,揭示了表面缺陷和下表面缺陷的脉冲漏磁与脉冲磁阻检测相融合的物理机制。仿真与实验结果表明:铁磁性构件表面缺陷存在漏磁,而下表面缺陷主要体现在脉冲磁阻的变化。对于不同深度的铁磁性构件表面缺陷,GMR传感器拾取的脉冲漏磁响应信号的检测结果线性度更好,灵敏度更高;对于不同深度的铁磁性构件下表面缺陷,双侧检测线圈拾取的脉冲磁阻响应特征值与缺陷深度的变化关系呈近似线性增长关系,区分度较大,检测性能更好。     

GaP和InP纳米晶形貌研究

研究了交换法合成的GaP纳米棒的形成过程和形成以后自组装成微米棒的过程 ,运用透射电子显微镜对元素反应法制备的InP纳米晶在电子束作用下的运动过程进行了监测     

GaP:N外延层特性的研究

本文研究了生长条件对GaP:N外延层的形貌、生长速率、位错密度、S坑密度、氮浓度、少子寿命的影响。实验表明,外延层中的氮浓度、少子寿命随外延生长起始温度的升高而增大。用GaN作为掺杂氮源,在1037—980℃温度范围生长的外延层中氮浓度不高于5.6×10~(17)cm~(-3);LEC GaP衬底(τ_m～5ns)上在995—900℃温度范围生长的外延层,其少子寿命可达～130ns。外延层中的位错密度和衬底中大体相同,但S坑密度降低一个数量级。     

GaP外延层引入杂质的成因研究

利用ＳＩＭＳ方法对一种先进的液相外延法制成的ＧａＰ处延层杂质进行了研究。这种外延层中杂质种类少，含量小，过渡元素仅含Ｃｒ和Ｆｅ，质量可与日本同类产品相比；表明外延层中杂质的引入主要来源于外延过程。还初步研究了掺杂Ｚｎ的数密度随深度的分布情况，杂质的分布与掺杂Ｚｎ的分布呈相关趋向。因此，杂质的引入还可能与Ｚｎ的纯度有关。外延层中Ｐ＾＋层的厚度估计为１μｍ。     

GaP:N束缚激子发光动力学的研究

本文在带一带激发条件下,用发光动力学的方法,研究了15k—150k温区内GaP:N中束缚激子发光的能量转移过程,以及同束缚机制相关的发光热猝灭过程。分析结果表明,无辐射复合在转移和热猝灭过程中起重要作用。由于无辐射复合几率随温度升高而增大,发光热猝灭的表现激活能比发光中心本身热离化的激活能偏大,而且,能量转移越显著,所得的表观激活能越大。对于NN_1和NN_3中心,发光热猝灭规律的具体分析结果完全符合HTL模型。     

植物病毒增殖的数值研究与转基因植株的抗病毒机理

通过计算机模拟病毒增殖过程并结合对基因组ＲＮＡ高级结构的预测,对烟草花叶病毒增殖中的负链特异终止现象给解释。     

大型螺旋桨的凝固过程及其缺陷形成机理的研究

本文提出采用测定温度场、水力模型模拟充填过程及研究合金热裂倾向等方法研究大型铸件凝困过程及其缺陷形成机理。实验室试验指出夹渣缺陷将使高强度铜合金大型螺旋桨产生裂纹缺陷，提出了改善铸件质量的方向，进行了部分生产试验，取得了初步成果。     

冷轧硅钢涂氧化镁产生双线条缺陷的机理研究

分析了冷轧普通取向硅钢中间退火机组在涂层冷轧普通取向硅钢工艺过程中在带钢表面出现宽窄、数量不等的双线条（沿轧向）的机理和影响因素,并结合现有生产工艺条件,提出减少直至消除双线条缺陷的措施。     

钻孔灌注桩典型缺陷产生机理及其处治对策研究

本文通过对钢筋混凝土钻孔灌注桩在施工过程中因地质、施工工艺等多种原因常出现一些缺陷的机理进行了研究分析,并提出相应的处治对策。     

GaP 发光效率的计算及分析

本文计算了 GaP 发光材料的内量子效率,分析讨沦了影响它的各种因素     

Si－GaP（110）异质结的理论研究

用自洽的半经验紧束缚方法、定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ—ＧａＰ（１１０）异质结，得到的主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性；由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰；在Ｓｉ／ＧａＰ（１１０）界面有不同于其他异质结的、由Ｓｉ－ＧａＰ界面态引起的界面势；两个半无限晶体构成的Ｓｉ一ＧａＰ（１１０）异质结的能带偏移为０．４３ｅＶ．     

光吸收法测定GaP中氮浓度

在液氮温度下,利用本实验得到的关系式[N]cm~(-3)=1.05×10~(15)α_A_0·Γ,可较简便地估算氮液度。观察到LEC衬底在外延掺杂过程中也同样掺入氮。用GaN掺杂的样品和通NH_3掺杂的样品相比,前者的光激活氨浓度比后者低。     

Si—GaP（110）异质结的理论研究

用自洽的半经验紧束缚方法，定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ－ＧａＰ（１１０）异质结，得到了主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性：由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰；在Ｓｉ／ＧａＰ（１１０）界面有不同于其他异质结的、由Ｓｉ－ＧａＰ界面态引起的界面势；两个半元限晶体构成的ＳｉＧａＰ（１１０）异质结的能带偏移为０．４３ｅＶ。     

GaP晶体辐射太赫兹波物理机制的理论研究

基于耦合场量子的角度研究GaP晶体辐射太赫兹波的物理机制,报道了一种分析非线性光学晶体产生太赫兹波的方法。GaP晶体产生太赫兹波的物理基础在于它的耦合场量子色散曲线。采用了密度泛函理论,并结合耦合量子色散关系,得到GaP晶体的耦合场量子色散曲线。当散射角为2°~11°时,色散曲线的一部分落在太赫兹频段（2.5~9.1THz）,表明了GaP晶体在理论上能够辐射出频率范围为2.5~9.1THz的宽带太赫兹电磁波。