AES算法研究及结构分析

计算机通信技术的飞速发展，使得用户对信息安全的要求越来越高，原有的DES密码体制由于密钥太短已无法满足安全的需要。2000年10月美国国家标准与技术研究所（NIST）发布高级加密标准（AES）作为新的加密电子数据加密加密标准。AES分组密码因具有速度快、易于标准化和便于软硬件实现等特点在计算机通信和信息系统安全领域受到了广泛的应用。本文在分析了AES算法的原理的基础上．对它的算法结构特点进行了分析，并对AES算法进行了评价。     

半导体界面物理——MIS结构的探讨

本文译自日文《半导体物理》一书(内部交流)的第八章第六节。该书内容新颖,富于研究、探索,可作为学习半导体工程学各论的物理基础。而且该书现今在日本已成为理工科各专业学生学习《半导体物理》的通用教材。特介绍给有关读者参阅。该书作者为御子柴宣夫教授。1982年株式会社培风馆发行。     

SiO_2-InP MIS结构的界面态和体深能级的研究

本文用恒定电容深能级瞬态谱(CC—DLTS)方法研究了SiO_2—InP MIS结构的界面态和体深能级。结果表明在价带顶附近界面态密度最高,可达9×10~(12)ev~(-1)·cm~(-2)以上,随着离开E_v指向E_i迅速降低。在E_v 0.41ev和E_v 0.55ev处各测得一个深能级。文中测量了淀积前InP表面四种不同处理的样品,发现界面态密度依賴于表面处理的方法,但其分布是相似的。文中还对InP MIS结构样品的CC—DLTS测量方法和测试条件作了探索与分析。最后,对SiO_2—InP MIS结构的界面态和体深能级分布作了讨论分析。     

MIS课程结构及案例分析

从《管理信息系统》课程的重要性入手，分析了一般《管理信息系统》课程的特点及经管类《管理信息系统》课程的特点。并在此基础上，结合若干实例提出了“从理论到典型案例”、“从模块到完整管理信息系统”、“从具体MIS到MIS理论”三种经管类《管理信息系统》课程教学方法。     

铁电体表面界面的电子结构

作者简单地介绍了第一性原理计算在几种常见的钙钛矿铁电材料的表面结构研究中的应用.计算结果显示,不同材料的表面弛豫和褶皱度不完全相同.对于BaTi O3,PbTi O3和PbZrO3表面最大的离子弛豫出现在最外的终止层上,但是对SrTi O3和SrHfO3表面最大离子弛豫出现在第二层.对于SrZrO3/SrTi O3超晶格的计算表明,可以利用界面效应产生人工铁电性.     

砷化镓表面的等离子体氧化及氧化物的AES分析

本文叙述了在氧等离子体辉光放电中,GaAs表面的阳极氧化。研究了该氧化物的化学性质和电学性质。用该氧化物进行了制造MOS场效应晶体管的尝试。对氧化物进行了AES分析,得到了元素的深度分布。分析表明,氧化物由氧、镓、砷等元素组成,Ga/As的原子比约为1.3—1.7。     

Ⅳ族半导体表面和界面结构与特性

为了更全面地了解Ⅳ族半导体表面和界面的结构和性质，以扫描隧道显微镜为主要手段，辅以ＬＥＥＤ和ＡＥＳ等常规手段，对它们作了系统的研究。本文是对最近许多结果的综述，首先介绍几个重要的Ｇｅ高指数表面的结构然后对发生在Ｇｅ和表面和亚表面的原子的扩散和迁移运动和了介绍，最后阐述了决定Ⅲ族金属／Ⅳ族金属半导体界面的结构的３个共同要素。     

聚合物的表面和界面

无论是在基础材料科学还是在对应用型聚合物的设计上，聚合物的表面和界面在聚合物化学中都起着十分重要的作用。相当数量的聚合物均作为涂层、薄膜使用，这就需要良好的外观、耐久性和稳定性，而聚合物的表面与界面又影响着这些性质。本书作者对聚合物表面和界面的表征方法进行了非常详细的介绍。     

液晶的表面和界面

本书由来自意大利、美国、荷兰、西班牙等国的27位教授专家撰写。论述液晶表面及液晶与基片的界面的特性，这些特性在液晶显示中起着重要的作用，也在其他液晶器件和液晶电．光器件中有重要的应用，并对液晶等宏观分子与壁之间的微观相互作用作了研究。     

SiO_2/GaAs界面的AES深度分析

利用 AES 和离子溅射剥离技术,对 SiO_2/GaAs 界面进行了深度分布测量.SiO_2膜是采用 CVD 方法在400℃下淀积在 GaAs 衬底上的.结果表明,在界面区中存在 Ga的氧化物(可能是 Ga_2O_3)和自由元素 As,即这种界面实际上是 SiO_2/Ga 的氧化物十元素As/GaAs 系统.     

AES的结构及其S-box分析

分析了AES的加解密原理和密钥生成器的结构，S－box的分布特性。指出了AES与其密钥生成器之间存在一种结构上的同步性，这种同步性可能成为AES的弱点；AES的S－box具有短周期，不具有良好的分布特性。这给AES的密码分析提供了可能，也许会成为AES的致命弱点。     

GaN肖特基紫外探测器的电流输运研究

为了探明GaN肖特基紫外探测器漏电流问题,提高探测器的性能,在已有的各种电流输运模型的基础上,把宽禁带的GaN基半导体材料（Eg〉3.4eV）看作绝缘体,用空间电荷限制电流理论（SCLC）分析由金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）生长的金属-GaN肖特基紫外探测器样品的I-V和I-V-T曲线。结果表明,SCLC机制控制的电流成分占主导地位,对于两个转换电压V1、V2,在V〈V1的区域电流电压遵循欧姆定律,在V1〈V〈V2的区域遵循幂指数规律I∝Vm,在V〉V2的区域电流电压遵循SCLC平方率。     

用XPS和AES研究钢铁表面Cu-Sn-P合金镀层

在钢铁表面直接浸镀Cu-Sn-P合金，在综合考虑镀层的组成与性能和镀液的稳定性后，确定了镀液的最佳组成和工艺，并用盐水浸泡测定镀层的防腐性，用XPS、AES和SEM分析镀层的组成和表面形貌．     

模板依赖和其它几种依赖之间的关系研究

本文分析了模板依赖分别和多值依赖、嵌入多值依赖、连接依赖之间的关系。在此基础上给出了后三种依赖均可表示成模板依赖的形式。     

函数依赖结构的研究及应用

本文通过对函数依赖之间相互联系的分析和研究,提出了函数依赖结构的新概念和新理论,并论证了其存在性。这种新概念及其理论为解决数据库设计中的许多问题(如构造数据库模式,求解候选关键字等)提供了新的理论依据。     

离子束处理微型滚珠的表面和界面分析

用ＥＤＡＸ和ＡＥＳ分析了离子束动态混合处理的Φ１．５７－１．６０ｍｍ微型滚珠表面的均匀性和界面混合情况，在１００ｋｅＶ的Ｎ离限束动态混全条件下，界面混合区达１４０ｎｍ以上；同一球面不均匀度小于１％，球间不均匀度小于１５％。结果表明，为提高这类轴承的使用寿命，在适当工艺条件下采用离子束表面强化处理，完全可以达到实际应用的要求。     

聚氧丙烯醚型表面活性剂结构及矿化度对油水界面张力的影响

实验选用9AS-n-0、13AS-n-0系列氧丙烯聚醚型表面活性剂,使用Texa-500型界面张力仪在55℃时不同矿化度条件下,测定了表面活性剂水溶液与桩西106-x18-15脱水原油间的界面张力,研究了矿化度及表面活性剂分子结构与油水界面张力的关系.研究发现,随着矿化度的增加,界面张力不断降低,在某一特定值时,界面张力达到最小值;随着氧丙烯链的增长,达到低界面张力所需矿化度的区域是逐渐降低的;研究还发现,含有分支结构的13AS-n-0系列表面活性剂的界面活性要比9AS-n-0好.