坡莫合金薄膜中的畴壁蠕移过程

本工作利用纵向Kerr磁光效应装置,研究了坡莫合金薄膜中畴壁蠕移速度V随外加磁埸(沿易磁化轴加直流磁埸,沿难磁化轴加交变磁埸)变化的规律,以及交变埸频率、脈冲埸频     

Ni—Fe合金薄膜的各向異性,角分散及矯頑力的研究

本工作测量了用玻璃和SiO作为基板的Ni-Fe合金薄膜的几个基本磁参量:各向异性常数;各向异性分散角;转动磁滞损耗以及各向异性埸和矫顽力。结果表明,SiO基板上的Ni-Fe合金薄膜的性能较之玻璃基板上的Ni-Fe     

斜入射坡莫合金薄膜的磁电阻效应

研究了斜入射蒸镀的坡莫合金薄膜在室温下的磁电阻效应。测量结果表明:(1)斜入射膜的磁电阻效应是各向异性的,但在电流方向不变时ΔR_(Sα)/ΔR_0=cos~2α的关系仍然成立;(2)由ΔR_(rα)/ΔR_0与剩磁状态前饱和磁化的磁场方向无关,也可以决定膜的单轴性;(3)测定了外加磁场几乎垂直于膜面时的磁电阻变化与外加磁场的关系,并与Stoner-Wohlfarth转动模型的计算结果作了比较,它们定性地一致。     

以NiFeNb为新种子层的纳米级坡莫合金薄膜的各向异性磁电阻

以三元合金NiFeNb作新种子层,采用直流磁控多靶设备制备了具有不同Nb含量(x)、NiFeNb厚度(t)和坡莫合金厚 度(d)的纳米级(Ni82Fe18)1-xNbx(tnm)/Ni82Fe18(dnm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜.测量了样品的各向异性磁电阻和微结 构.从实验角度详细研究了AMR随x,t,d和退火等工艺条件的变化.结果表明:①作为x或t的函数,AMR在x=23.8% 或x=2.75nm处分别最大;②NiFeNb作为种子层在提高坡莫合金薄膜各向异性磁电阻方面优于Ta;③在通过中高温退 火来改善坡莫合金薄膜AMR方面,NiFeNb种子层明显好于Ta和NiFeCr.     

超磁致伸缩驱动器(Terfenol-D)控制模型

分析了执行器的工作原理，并给出了其磁化、磁致伸缩模型；建立了一个执行器在低频驱动、准静态领域应用的、忽略磁滞效应、从输入电流到输出位移／力之间的用于位移控制的控制模型。     

以NiFeNb为新种子层的纳米级坡莫合金薄膜的零场电阻率

以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了具有不同Nb含量(x)、种子层厚度(d)和NiFe厚度(t)的(Ni82Fe18)(1-x)Nbx(d A)/Ni82Fe18(t A)/Ta(30 A)纳米级坡莫合金系列膜,并对部分样品进行了中温退火.测量了样品的磁电阻曲线和微结构.从实验角度研究了零场电阻率(ρ)随x、d、t及退火的变化.结果表明,NiFeNb作为种子层能较大地提高坡莫合金薄膜的ρ;一定厚度坡莫合金薄膜的ρ极大的最佳工艺条件是x约为27.5%,d约为27.5 A;不同Nb含量、种子层厚度等工艺条件引起坡莫合金薄膜具有不同颗粒粒径分布,从而引起4s↓电子受到的内禀散射、颗粒表面和边界散射及其关系的不同,再加上织构、4s↓电子球对称性受破坏程度和薄膜均匀程度的不同导致了零场电阻率随工艺条件的变化.     

稀土元素Tb掺杂对Heusler合金Co_2FeAl_(0.5)Si_(0.5)的磁各向异性和超快磁化动力学影响研究

利用飞秒时间分辨泵浦-探测磁光克尔光谱对掺杂不同浓度稀土元素Tb的Heusler合金Co_2FeAl_(0.5)Si_(0.5)(CFAS)磁性薄膜的磁各向异性和超快退磁动力学进行了研究。发现较低浓度Tb掺杂的样品出现磁化进动振荡,而较高浓度Tb的样品无磁化进动振荡,最高浓度的样品只有一个零点峰,表明不同Tb浓度的样品具有不同的磁各向异性。同时,从无进动磁化动力学曲线上观察到样品的退磁过程都是两步退磁,第一步快的退磁化过程源于过渡金属(Co Fe)的3d磁矩的超快退磁化,而第二步较慢的退磁化反映的是Tb元素的4f磁矩通过3d-5d6s-4f耦合的退磁化过程。结果表明可以通过控制掺杂Tb浓度来达到调控CFAS的磁各向异性目的。这种Tb掺杂的离面磁化的CFAS合金薄膜在自旋电子器件制作中具有巨大应用潜力。     

以NiFeNb为新种子层的纳米级坡莫合金薄膜的零场电阻率

以NiFeNb为新种子层，采用直流磁控溅射法制备了具有不同Nb含量(x)、种子层厚度(d)和NiFe厚度(t)的(Ni82Fe18)(1-x)Nbx(dA)／Ni82Fe18(tA)／Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜，并对部分样品进行了中温退火。测量了样品的磁电阻曲线和微结构。从实验角度研究了零场电阻率(p)随z、d、t及退火的变化。结果表明。NiFeNb作为种子层能较大地提高坡莫合金薄膜的ID；一定厚度坡莫合金薄膜的ID极大的最佳工艺条件是x约为27．5％，d约为27．5A；不同Nb含量、种子层厚度等工艺条件引起坡莫合金薄膜具有不同颗粒粒径分布，从而引起4s电子受到的内禀散射、颗粒表面和边界散射及其关系的不同，再加上织构、4s电子球对称性受破坏程度和薄膜均匀程度的不同导致了零场电阻率随工艺条件的变化。     

退火时间对Co膜磁滞标度律的影响

采用磁控溅射法制备了多晶的Co薄膜,研究了退火时间对磁滞标度律的影响.实验结果表明,Co薄膜具有比较复杂的结构和沿膜面的易磁化方向,退火时间较长,具有更强的磁各向异性.     

矩磁铁氧体脉冲反磁化过程的研究

在一个宽的磁场范围内,我们对细管状Mn-Mg矩磁铁氧体的纵向和横向感应讯号进行了观察,着重对Gyorgy所提出的三个反磁化机理进行一些具体分析。通过对横向讯号反磁化时间的理论分析以及同实验结果的比较,得出了反磁化方式有不可逆畴壁位移过程与转动过程之分;通过对非一致转动过程和一致转动过程的纵向和横向临界场之间的实验规律与按Stoner-Wohlfarth模型计算的理论曲线进行比较,发现在高场区转动过程临界场的实验规律很好地遵从Stoner-Wohlfarth模型,从而认为该临界场以上主要是通过一致转动来实现反磁化,而中场区,转动临界场的实验规律则偏离此模型,说明中场区的反磁化方式不是通过一致转动而是通过非一致转动方式。     

Nb含量对纳米级NiFe薄膜ρ和磁电阻的影响

以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了(Ni82 Fe18)(1-x)Nbx(35A)/Ni82Fe18(150A)/Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜.测量了样品的零场电阻率(ρ),磁电阻(△R/R)和微结构.研究了ρ、△R/R随Nb含量的变化.探讨了Nb含量对坡莫合金薄膜微结构从而对其ρ和△R/R影响的微观机制.     

纳米复合稀土永磁体Pr9-xDyxFe84.4-yCoyGa1Mn0.6B5（x=0,1,y=0,8）的反磁化行为和磁粘滞性

用电弧熔炼法制备了Pr9Fe84.4 B5Mn0.6 Ga1和Pr8Dy1Fe76.4 Co8B5Mn0.6 Ga1合金铸锭,然后利用熔体快淬法获得相应的薄带样品.分析了起始磁化,反磁化过程及样品的磁粘滞性,结果表明,两样品在室温下表现为单一硬磁相磁化行为,在低温下表现为双相行为.Co和Dy的联合添加使软磁相的晶粒尺寸减小,而晶粒间交换耦合作用增强,样品的形核场增大.磁粘滞性研究表明,Co和Dy联合掺杂的样品磁粘滞系数的增大是由软磁晶粒大小的减小导致热激活体积增加而引起的.     

GdFeCo磁光薄膜飞秒激光感应反常磁滞回线研究*

该文使用飞秒时间分辨泵浦-探测磁光克尔光谱技术,研究了飞秒激光加热GdFeCo磁光薄膜跨越铁磁补偿温度时,净磁矩方向发生转变而引起磁化反转的反常克尔磁滞回线。通过测量不同激发功率下以及不同泵浦脉冲数下的反常克尔回线,揭示反常回线包含连续脉冲激发产生的积累效应以及外场磁化史的记忆效应,对反常回线的形成起源做了深入探索和详细研究。研究结果对于深入理解GdFeCo合金薄膜中稀土-过渡金属间的反铁磁耦合特性以及磁化反转的机理具有重要意义。     

二维二组元磁振子晶体薄板带结构的计算

采用平面波展开法,数值计算了由钴(Co)方柱正方排列于坡莫合金(Py)中构成的二维二组元磁振子晶体薄板的自旋波能带结构,其中外加磁场方向平行于薄板平面.计算结果表明,自旋波的传播强烈依赖于外加磁场的方向,可分为向后体静磁体波和类Damon-Eshbach波2种情况.在所考虑的磁振子晶体薄板结构中没有完全带隙产生,但沿外磁场方向传播的向后体波有部分带隙打开.     

粒状氧化铁的磁粘滞性

制备了粒状γＦｅ２Ｏ３微粉。透射电子显微镜观察了颗粒的形貌；Ｘ射线衍射确定了样品的相组成和颗粒的平均粒度；振动样品磁强计测量了样品在不同温度下的磁化曲线和磁滞回线。利用趋近饱和定律求出粒状γＦｅ２Ｏ３微粉在不同温度下的有效磁各向异性常数ＫＥ。样品的有效磁各向异性常数大于γＦｅ２Ｏ３的磁晶各向异性常数，通过测量磁粘滞系数和不可逆磁化率，得到了不同温度下的涨落场Ｈｆ和激活体积Ｖｆ，推导了Ｈｆ和Ｖｆ的理论表达式，理论与实验结果基本一致。结果表明粒状γＦｅ２Ｏ３微粉的反磁化机制为均匀反磁化     

垂直磁记录介质Co－CoO膜的磁畴结构和反磁化机理

应用Ｌｏｒｅｎｔｚ显微术观察了反应蒸镀的Ｃｏ－ＣｏＯ膜的磁畴结构。当垂直各向异性场Ｈ＿ｋ和磁化强度相对垂直取向比增加时，它的磁畴结构从典型的１８０°面内畴变成点状畴，后老是单轴垂直磁各向异性介质的一种典型特征。用ＶＳＭ测量的ＯＲ的角度依赖性显示了垂直磁各向异性的Ｃｏ－ＣｏＯ膜中存在一定量的面内磁化强度分量。结合对矫顽力Ｈ＿ｃ，剩磁矫顽力Ｈ＿（ｃｒ）和磁滞损耗Ｗ＿ｈ的角度依赖性测量结果进行分析，可以得出结论：这种垂直磁各向异性的Ｃｏ－ＣｏＯ膜的反磁化机理是磁矩的涡旋式（Ｃｕｒｌｉｎｇｍｏｄｅ）非一致转动过程。     

电沉积坡莫合金薄膜的结构和纵向磁阻抗效应(英)

采用电沉积法制备了厚度为1.1μm到6.9μm的坡莫合金薄膜.经X-射线衍射分析，其结构为fcc 结构，其中NiFe(111)衍射峰的强度明显增强.该薄膜的磁滞回线测量结果表明：其矫顽力随着薄膜厚度的增加而减小.在交流I_rms=6mA,频率范围在0.05kHz 到 600kHz 的条件下，纵向磁阻抗比随着薄膜厚度的增加而增加，其最小值可达-52%.     

FeCo基合金的一种环向磁化特性

测定了Fe36 Co36 Nb4 Si4.8 B19.2合金非晶管在环向磁化场作用下的纵向驱动巨磁阻抗效应,发现样品的阻抗比曲线在频率低于600 kHz时呈"双峰"现象,频率高于600 kHz时呈"单峰"现象,并对环向磁化场作用有良好的线性响应.用磁力显微(MFM)观察了样品的纵向和环向磁畴结构,分析认为是合金非晶管的分层磁畴结构分布导致了环向良好的线性磁特性.     

CoFe矩形纳米点的动力学反磁化特性研究

采用微磁学模拟方法研究了CoFe矩形纳米点在方波脉冲场作用下的动力学反磁化过程。研究发现,CoFe矩形纳米点S形微磁结构的反磁化特性与脉冲场强有着密切的关系。存在两种不同的动态反磁化过程。场强较弱时,反磁化首先在磁体两末端及磁体中央分别形反磁化核,而后两边缘畴壁移动到磁体中部重合并逐渐由中间开始向上下两边收缩而消失,完成反磁化过程。场强较大时,反磁化过程中边缘畴壁的磁结构发生变化,逐渐由类似180o的畴壁向类似360o的畴壁转变,导致畴壁移动速度的减缓或被钉扎住。反磁化过程转变为360o畴壁的收缩湮灭过程。由于脉冲场强引起畴壁结构的变化导致反磁化时间随场强的变化表现出非单调减小的趋势。     

磁晶各向异性对反铁磁耦合纳米体系磁特性的影响

采用微磁学方法研究了磁性层的磁晶各向异性对反铁磁耦合三层纳米体系磁特性的影响.结果表明:随着磁性层磁晶各向异性的增大,反铁磁耦合三层纳米体系具有4种不同类型的磁滞回线,上、下磁性层的反转场逐渐减小,而饱和场先减小后增大.当磁晶各向异性较小时,反磁化过程为反磁化核的形成与传播过程;当磁晶各向异性很大时,反磁化过程为先形成多畴微磁结构,再逐渐反转的过程.