水平定向凝固法合成砷化镓多晶

采用水平定向凝固法合成砷化镓多晶,定向凝固炉分为3个温区,砷单质在低温区(约630℃)升华,通过中温区后在高温区(1 250~1 255℃)与镓逐渐化合为砷化镓多晶.石英变形、砷端杂质、多晶表面氧化以及多晶尾端富镓是合成砷化镓多晶过程中易出现的宏观缺陷.通过对原料配方设计、砷蒸气压控制以及炉子降温程序设计等进行优化,成功获得了完整性好且电学性能指标优异的砷化镓多晶.多晶的迁移率在4 800~5 400cm2/(V·s),载流子浓度为1015~1016 cm-3量级,完全满足砷化镓单晶制备要求.     

RCA清洗法与NCW清洗法对砷化镓晶片表面杂质去除效果对比实验

选取目前最常用的RCA清洗法和NCW清洗法分别对同批次加工的砷化镓抛光片进行清洗,使用X射线光电子谱对晶片表面杂质成分进行测试,对表面颗粒、有机物和金属3种杂质类型进行量化对比,分析两种清洗方法对3种杂质的去除能力。结果显示:表面活性剂对于有机物的去除效果比乙醇略强。基于双氧水的强氧化性和砷、镓氧化物更易溶于氨水的特性,SC-2清洗液对于表面氧化层的剥离和去除强于表面活性剂。对于主要金属杂质,两种清洗方法的去除能力相当。     

砷化镓表面势垒的制备和特性研究

本文论述金属铬和n型半导体砷化镓接触表面势垒的制备工艺和势垒特性的研究。用设计按装的测试线路测量了标志势垒特性的参数:n因子、势垒高度、饱和电流和击穿电压,由于改进了工艺过程,使势垒质量有所提高,但仍不够理想,为此,提出继续改进的意见。     

金刚石线切割多晶硅片的表面织构研究

采用HNO_(3 ):HF:H_2O=5:1:3.4和HNO_(3 ):HF:H_2O=8:1:3.4两种腐蚀液体系,研究了HNO_3浓度、腐蚀液温度、腐蚀时间对金刚石切割多晶硅片表面腐蚀的影响,分析了制绒后的多晶硅表面形貌与表面反射率的关系.实验结果表明:HNO_(3 ):HF:H_2O=5:1:3.4腐蚀液体系优于HNO_(3 ):HF:H_2O=8:1:3.4腐蚀液体系;在HNO_(3 ):HF:H_2O=5:1:3.4腐蚀液体系,腐蚀液温度为9℃,腐蚀时间为100 s的条件下,获得均匀的表面刻蚀纹,具有较低的表面反射率,其平均反射率低于19%.     

三结砷化镓太阳电池干法刻蚀技术研究

通过采用Cl2/BCl3/Ar作为刻蚀气体对三结砷化镓太阳电池隔离槽干法刻蚀工艺进行研究。针对单参数对刻蚀速率及刻蚀形貌的研究,摸索出最优工艺参数。研究结果表明采用合适的工艺参数,可以实现隔离槽一次刻蚀,并且干法刻蚀技术制备的二极管电性能良好,能经受环境适应性试验和可靠性验证。利用干法刻蚀技术,刻蚀精度大为提高,刻蚀形貌也大为改善,二极管制备合格率提高了2.5%以上。     

卤素离子在多晶铜电极表面的微分电容研究

本文通过测量金属晶体电极表面的微分电容研究了金属电极表面在金属与水溶液界面上的吸附能力,以及金属与吸附质之间的相互作用。文中论述了多晶铜电极在(0.5-x)mNaClO_4+xmNaBr的一系列不同x值的溶液中的微分电容测量值及微分电容-电位曲线,证明了F~-和ClO_4~-离子在多晶铜电极表面是非常弱的吸附,Br~-离子在多晶铜电极表面具有特定的吸附,每条电容-电位曲线有一个凸起的峰。在峰所对应的位能值,金属表面对阴离子的吸附能力强,证实金属-吸附质之间的相互作用强,吸附的阴离子在过渡层中散射导电电子的能力也强。对于相同阴离子和金属的体系,其微分电容与吸附质的浓度、电压、溶液的pH值和表面的非均匀性等因素密切有关。研究证明,金属晶体电极表面在电解质溶液中的微分电容的变化规律类似于表面电反射信号的强弱变化规律,微分电容大小取决于金属-吸附质之间的电荷转移程度。     

VGF结晶法中砷化镓表面平衡温度的计算

根据VGF结晶技术的特点,建立了结晶炉内的辐射换热模型。并利用有限差分法对变温条件下砷化镓晶体表面的辐射换热进行了数值求解,模拟结果得出了晶体表面平衡温度的变化规律。与设定值比较具有良好的一致性,所得结果确定了晶体生长过程数值模拟的热边界条件,并对实际的温度控制提供了重要的理论依据。     

硫对砷化镓表面悬挂键的饱和作用

利用集团模型探讨了硫对砷化镓（１１０）理想表面悬挂键的饱和作用，着重于定性讨论硫去除禁带内砷化镓表面态的可能性，这有助于了解硫钝化砷化镓表面的机理，计算采用电荷自洽的ＥＨＴ方法，结果表明，硫确能与表面砷化镓原子形成较强的共价键，并把悬挂键形成的表面态移出禁带，其中硫与镓的相互作用更为强烈。     

数据清洗技术研究

概括介绍了各种文献中对数据清洗技术-的描述和定义，并简要介绍了几种能自动识别数据集中潜在错误的异常检测的方法，给出了在现实数据集中进行实验的结果，讨论了数据清洗问题未来的研究方向。     

新型电子清洗工艺对半导体表面的清洗效果

报告了一种新型电子清洗工艺．该工艺采用了被命名为ＤＺ—１和ＤＺ—２的两种新型电子清洗剂分别与９５％体积的去离子水配制成清洗液，先后用超声波清洗．用高频Ｃ—Ｖ测试和原子吸收光谱分析研究了清洗效果．用该工艺清洗过的硅片生长的二氧化硅层中固定电荷密度在１０１０ｃｍ－２数量级；去重金属离子能力与常规ＣＭＯＳ／ＳＯＳ栅氧化工艺相当．新型清洗工艺具有操作简单、价格低廉、且无毒、无腐蚀和对人体无危害、对环境无污染的优点．     

砷化镓材料的激光微孔技术

激光打孔是砷化镓场效应晶体管生产中的一项新技术。该工艺能够提高器件的功率和截止频率。通过对砷化镓衬底上近万个激光微孔的观察和归纳分类,我们分析了其成孔机理及微观过程;总结出了成孔规律并得出了成孔结果。     

新型电子清洗工艺对半导体表面的清洗效果

报告了一种新型电子清洗工艺，该工艺采用了被命名为ＤＺ－１和ＤＺ－２的两种新型电子清洗剂分别与９５％体积的去离子水配制成清洗液，先后用超声波清洗，用高频Ｃ－Ｖ测试和原子吸收光谱分析研究了清洗效果，用该工艺清洗过的硅片生长的二氧化硅层中固定电荷密度在１０＾１０ｃｍ＾－２数量级，去重金属离子能力与常规ＣＭＯＳ／ＳＯＳ栅氧化工艺相当，新型清洗工艺具有操作简单，价格低廉，且无毒，无腐蚀和对人体无危害，对环境     

砷化镓表面的等离子体氧化及氧化物的AES分析

本文叙述了在氧等离子体辉光放电中,GaAs表面的阳极氧化。研究了该氧化物的化学性质和电学性质。用该氧化物进行了制造MOS场效应晶体管的尝试。对氧化物进行了AES分析,得到了元素的深度分布。分析表明,氧化物由氧、镓、砷等元素组成,Ga/As的原子比约为1.3—1.7。     

聚焦离子束刻蚀多晶TiNi薄膜的表面形貌

报道了TiNi薄膜的聚焦离子束刻蚀特征及刻蚀后的表面形貌．测量结果表明薄膜的表面粗糙度随刻蚀深度呈非线性变化,当刻蚀深度等于0．1μm时,表面粗糙度为最小（5．26nm,刻蚀前为14．88nm）;刻蚀深度小于0．1μm时,表面粗糙度随刻蚀深度的增大而减小;当刻蚀深度大于0．1μm时表面粗糙度随刻蚀深度增大而增大,其原因是刻蚀深度大于0．1μm后表面出现了清晰的周期性条纹结构．此外,表面粗糙度随聚焦离子束流的增大而减小,当离子束流为2．5nA时,表面粗糙度从刻蚀前的14．88nm减小到4．67nm．     

半绝缘砷化镓表面光伏谱的三区分析

采用低温（21K-300K）稳态表面光伏实验方法,对腐蚀前后的半绝缘砷化镓（Si—GaAs）样品进行了大量的实验测量,发现其表面光伏谱可分为三个区域,并对三个区域的成因进行了合理的物理分析。     

抛光转速对砷化镓双面抛光片表面平整度的影响

砷化镓双面抛光片的平整度不仅影响光刻过程中的对焦精度,而且双抛过程中的边缘过抛现象,即砷化镓晶片边缘去除速率增加,使得在后续应用过程中晶片边缘需去除2~3,mm,造成材料及生产成本的浪费。实验主要设计对抛光盘转速和内外齿圈转速影响双抛片表面平整度情况进行验证,结果显示抛光盘转速对抛光去除速率的影响较内外齿圈转速更为显著,而晶片的运动轨迹主要集中在抛光布中部的环状范围内,当抛光盘转速增加就造成抛光布中部的集中磨损,影响晶片的连续抛光稳定性,使晶片中心去除速率降低,而边缘过抛,增加双抛片的表面平整度。     

超声波去蜡清洗技术研究

超声波清洗技术是半导体材料制备的主要清洗方法,极大地提高了半导体材料制备的工作效率和清洗效果。阐述了超声波清洗作用原理。通过调节超声机功率密度、频率,进行晶片去蜡清洗实验,验证、分析了超声清洗过程中超声机功率密度、频率对晶片去蜡清洗的影响。     

超声波清洗技术工艺研究

产品的装配试验状态与产品表面清洁度有直接关系,尤其对于高精密产品来说保证产品洁净是十分必要的。此次研究主要针对管路、复杂结构壳体及弹簧等部件的清洗情况进行对比研究,对超声波下产品表面洁净度进行细致的分析,以提高产品清洗质量。利用新购置超声波清洗机,通过开展超声波清洗技术达到完善工厂清洗技术能力,并满足工艺要求。     

单晶圆清洗技术的研究

分析以往批处理清洗技术面临的问题及现代清洗技术的关键要求,介绍了采用臭氧的单晶圆清洗工艺,提出了臭氧清洗需要解决的问题。     

砷化镓材料技术发展及需求

介绍了HB、LEC、FEC、VCZ、VB、VGF砷化镓单晶炉及生长技术,分析了各种生长技术的优缺点及发展趋势。HB砷化镓多晶合成和单晶生长可以同时完成,生长温度梯度小、位错小、应力小;其缺点为不易生长半绝缘砷化镓单晶材料。LEC法生长过程可见,成晶情况可控,可生长大尺寸、长单晶;其缺点是晶体温度梯度大、位错密度高、应力高、晶体等径控制差。VB/VGF法生长出的单晶位错密度和残留应力比LEC法低,晶体等径好,适合规模生产;其缺点在于容易产生双晶、线性缺陷和花晶,过于依赖生长系统重复性和稳定性。