Logistic曲线拟合与预测在我国旅游市场中的应用

讨论了外加驱动场和原子介质自发辐射量子相干来调控固定腔中四能级原子介质的古斯-汉欣位移.研究表明,原子介质的自发辐射量子相干对古斯-汉欣位移的影响较大,在具有一定强度的自发辐射量子相干时,外加驱动场的强度和失谐对透射光和反射光的古斯-汉欣位移调控最为明显,可以实现大的古斯-汉欣位移.     

Control of the Goos-H(a)nchen shifts via quantum spontaneously generated coherence

讨论了外加驱动场和原子介质自发辐射量子相干来调控同定腔中四能级原子介质的古斯-汉欣位移.研究表明,原子介质的自发辐射量子相干对古斯-汉欣位移的影响较大,在具有一定强度的自发辐射量子相干时,外加驱动场的强度和失谐对透射光和反射光的古斯-汉欣位移调控最为明显,可以实现大的古斯-汉欣位移.     

近零介电常数区超导界面的古斯-汉欣位移

对相同的结构,构造材料的光学特性不同,古斯-汉欣(Goos-H?nchen,GH)位移也会不同。在近零介电常数区,对介质-超导界面上反射光的GH位移进行了理论研究。结果表明,GH位移与超导材料介电常数为零时的波长(定义为阈值波长)相关。当入射光波长小于阈值波长时,不同偏振态的入射光的GH位移随入射角和介质折射率的变化规律基本相同。当入射光波长大于阈值波长,对s波,GH位移为正值,而对p波,GH位移为负值。当以阈值波长入射,除了在以接近0°的小角度入射时,GH位移基本保持为某一常数,不随入射角的改变而变化。零折射率材料在光子学领域具有广泛的应用,计算结果为基于超导材料的新型光子学器件研究开发提供了参考。     

基于古斯-汉欣位移在级联型波导中增强的研究

利用级联型波导结构来增强古斯-汉欣位移.用两块完全相同的对称金属包覆波导制备级联型波导,研究了反射光束的古斯-汉欣位移增强效应.结果表明,当激光在级联型波导之间反射8次、波长从859.630nm变化到859.673 nm时,古斯-汉欣位移大于5 mm,消光比可以达到50 d B.     

三维狄拉克半金属红外波段的古斯—汉欣效应研究

从理论上研究了三维狄拉克半金属(3D DSM) 与石墨烯结合的红外波段的古斯—汉欣(GH) 效应, 并与石英玻璃的GH效应进行了对比．结果表明: 覆盖石墨烯加剧了反射光相位的变化, 明显增强了GH位移, 改变了GH位移的正负．p偏振的光以布儒斯特角入射时,覆盖有石墨烯的 3D DSM 的GH位移出现正向峰．3D DSM 的GH位移对于平板厚度比石英玻璃敏感,随平板厚度变化时出现震荡峰．在金属区域和高损耗电介质区域, GH位移接近零; 在无损耗电介质区域,GH位移随波长变化呈现震荡特性．     

基于古斯-汉欣位移差分信号的波长锁定

利用双面金属包覆波导对古斯-汉欣(GH)位移具有极大的增强效应和GH位移对入射光波长极其灵敏这两特性,本文基于GH位移差分信号提出了一种稳定度高的波长锁定方法.在实验中,测量信号是反射光束位置的移动,不受激光光强涨落的影响,可有效避免因激光光强波动所带来的误差,波长锁定的稳定度能进一步提高.该方法能实现皮米量级的激光波长锁定,且其制作工艺简单.     

N型四能级原子介质中古斯-汉欣位移的相干控制

通过外加控制场调控腔中N型四能级介质的吸收-色散关系,从而调控反射光和透射光的古斯-汉欣位移.研究表明,在没有外加弱信号控制场的电磁感应透明状态,反射光和透射光的古斯-汉欣位移完全重合;当加上弱信号控制场时,反射光的古斯-汉欣位移对信号场强度、失谐量的变化比较灵敏,可以通过外加控制场使介质在弱吸收的情况下调控古斯-汉欣位移,实现大的、负向古斯-汉欣位移.     

古斯-汉欣(Goos-Hnchen)位移的研究

该文解释了由古斯-汉欣位移引出的违反相对论的因果律佯谬问题;导出了共振激发下古斯-汉欣位移增强必须满足的条件;在此基础上,用波长为860 nm的半导体激光在实验上获得了迄今为止最大的0.9 mm的正向位移和0.2 mm的负向位移;同时,利用双面金属包覆波导中超高阶导模的特殊性质和增强的古斯-汉欣位移实现了高灵敏的位移和溶液浓度的传感以及观察空间色散的超棱镜效应.     

古斯-汉欣(Goos-H(a)nchen)位移的研究

该文解释了由古斯-汉欣位移引出的违反相对论的因果律佯谬问题;导出了共振激发下古斯-汉欣位移增强必须满足的条件;在此基础上,用波长为860mm的半导体激光在实验上获得了迄今为止最大的0.9mm的正向位移和0.2哪的负向位移;同时,利用双面金属包覆波导中超高阶导模的特殊性质和增强的古斯-汉欣位移实现了高灵敏的位移和溶液浓度的传感以及观察空间色散的超棱镜效应.     

阶梯型三能级原子中自发诱导相干对无反转激光的效应

主要对阶梯型三能级原子系统中无反转激光的产生作系统的理论分析。从光场与原子介质相互作用哈密顿量的表达式出发,得到存在自发诱导相干的阶梯型三能级原子系统在与探测、驱动光场近共振的相互作用,及与非相干泵浦场作用下的密度矩阵方程。由无反转激光产生的条件,判断自发辐射诱导相干以及非相干泵浦对其产生的影响。在稳态条件下,通过数值模拟对所得的图形进行理论的分析和讨论得出SGC会削弱LWI产生,而非相干泵浦能增强LWI效应的结论。     

四能级Λ-型原子系统中自发诱导相干对无反转激光的效应

讨论了四能级Λ-型原子系统自发诱导相干(SGC)对原子系统产生无反转激光的影响。原子系统在与一个弱探测光场及强泵浦光场共振相互作用情况下,不论是否双光子共振,原子系统都有无反转激光(LWI)产生。在双光子共振条件下,SGC效应可强化LWI的产生;在非双光子共振时,改变SGC参量和上能级之间能级差可有效控制LWI的产生及其产生的强度。文中给出了产生LWI的相应条件。     

一种非对称双原子分子的电子位移极化率计算模型

分析了经典的电子位移极化率的计算模型,指出了这些经典模型在计算非对称双原子分子模型时存在局限性,提出了一种针对非对称双原子分子的电子位移极化率的计算模型.该模型考虑了分子内原子偶极矩对电子位移极化的影响,推导了宏观电场与分子轴平行、垂直、呈任意夹角等典型情况下的非对称双原子分子的电子位移极化率的数学模型.根据该模型计算了六方氮化硼(h-BN)晶体的电子位移极化率,并与经典模型的计算结果进行了比较,进一步分析了所提出模型的适用范围.     

双模压缩真空场中原子间相对位置的量子退相干

利用全量子理论,研究了双模压缩真空态光场中,两原子质心运动的量子动力学演化特性.通过计算,得到了两原子之间相对位置的密度约化矩阵和退相干因子的表达式,发现:1)在双模压缩态光场中,这对原子的自发辐射能够诱导质心运动的退相干;2)随着压缩因子γ的增大,量子退相干现象越来越明显.     

关于Goos——Hnchen位移的探讨

本文介绍了Gooe——Hnchen位移的由来,并对其作了简化推导,指出通过该位移的测定,可以得到媒质(?)射率;该原理可作为设计一类偏光器件的物理基础。     

N型四能级光学量子相干系统的结构子类型研究

根据偶极跃迁选择规则,选择合适的跃迁通道,利用布尔代数方法将N型四能级量子相干系统分成5种不同的现实通道子类型,并根据相关耦合光场强度的强、弱不同,将现实通道子类型进一步精确分为48种现实强度子类型.这些子类型的确定有利于N型四能级量子相干系统研究成果的整理与利用.     

光在不同界面反射时的Goos—Hanchen位移

分别计算了光由正折射率材料入射到负折射率材料,由负折射率材料入射到正折射率材料,由一种负折射率材料入射到另一种负折射率材料时,反射光束所产生的Goos-H(a)nchen位移. 材料的吸收作用以及TE和TM极化对Goos-H(a)nchen位移的影响被分析.     

^13C化学位移与不对称烯烃的亲电加成

根据单取代苯１３Ｃ核磁化学位移所计算的电子效应值，结合可极化率观点，解释并定量判断不对称烯烃的亲电加成定位     

芳烃的亲核取代与~(13)C—NMR谱的化学位移

本文从反应历程入手,研究了~(13)C—NMR谱的化学位移与芳烃亲核取代位置选择以及反应活性的关系,文章指出在加成—消去历程的亲核取代反应中,可根据~(13)C—NMR谱化学位移值的估算推出芳烃亲核取代发生的位置和反应活性顺序,并对一些不符合规律的例外作出了分析。     

Aharonov－Bohm磁通对—维分子环中局域极化子的影响

本文研究了存在Ａｈａｒｏｎｏｖ—Ｂｏｈｍ磁通时，一维分子环中局域极化子的概率振幅所满足的非线性方程，并求出方程的极化子解，以及其束缚能和相应的电子自陷阱．