首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
运用双极点双零点控制理论,设计了电压控制模式下升压变换器的补偿环路.通过选择在合适频率点处放置零极点来矫正系统的响应曲线,以达到增大相位裕度的目的.利用Cadence 16.6对所设计环路进行电路仿真,对比分析了补偿前后穿越频率点处的相位裕度和幅值.在负载电流跳变时,对不同输入电压下的输出电压稳定性进行仿真验证.结果表明,在受到负载突变干扰时,变换器能够在很短时间内恢复正常工作,满足宽范围输入电压的输出稳定性要求.  相似文献   

2.
探究了人体电阻对电刺激安全性的影响,设计了一种电刺激理疗设备恒功率输出与保护系统.通过负载端采样电阻的反馈值计算出设备的实际输出功率,与设定的阈值进行比较,利用增量式PID控制技术输出比较误差,间接调节电刺激的输出电压,对现有功率进行校正,同时改变流过人体的电流,达到提高设备治疗效果、保护患者的目的.  相似文献   

3.
充分利用主动电压相位突变检测与被动电流扰动的互补特性,提出基于相关因子的复合孤岛检测方法,克服单一相位突变检测方法的被动检测方法在近乎阻性负载下失效的问题,加快检测速度,并尽可能减少对电能质量的影响.利用当孤岛发生时逆变器输出电压和电流扰动的相互关系产生相关因子,通过阈值判断孤岛是否发生.在MATLAB 仿真平台上搭建光伏并网系统仿真模型,选择代表性负载,模拟实际过程,进行相应分析,较好地验证了这一方案的可行性和有效性.此外,复合检测方法还能区分孤岛现象与电网电压不稳定或大负载的突然投入/切除引起电网的异常偏离.  相似文献   

4.
智能脱扣器是智能断路器的核心部分,它不仅提供普通断路器的各种保护功能,还能实时地显示负载电路中的各种电参量数据.电流和电压是最直观的两个电参量.三相电流检测是基础.分负载线路正常与短路故障两种情况,探讨智能脱扣器电流测量误差问题.重点分析了负载线路正常时电参量测量误差的主要来源.提出应用了一种动态的异常值、虚值剔除方法.提供了电参量测量算法及对应的误差模型.智能脱扣器电参量测量误差,既与测量方法有关,又与测量算法有关.实例说明电流、电压均方根值及有功功率的测量误差能控制在合理范围之内.  相似文献   

5.
为了分布式电源随机特性的配电网电压质量概率的准确评估,同时为了对分布式电源输出以及负载功率的随机性特点对配电网电压的影响做出准确的评估,在原来的两点估计法的基础上,提出了改良后的新两点估计法。此种方法,目的是为了得到电压的概率统计值而解除分布式电源配电系统的概率潮流。以结合半不变量理论和级数的展开来得到分布式电源节点电压超限的概率以及概率的密度曲线,评估分布式电源电网的电压质量概率。最后,通过计算来验证分布式电源随机性的配电网电压质量的概率评估。  相似文献   

6.
针对微电网中多个分布式电源之间的复杂协调控制问题,提出了一种微电网分布式电源的下垂控制策略,可实现微电网增切负载、微电网运行模式切换时对分布式电源电压和频率的平滑控制.该方法依据下垂控制原理,研究了P-f和Q-U下垂特性,设计了基于输出滤波器、功率控制器、电压电流双环控制器的下垂控制器,建立了下垂控制器的仿真模型及对等控制策略下的微电网仿真模型.通过Matlab/Simulink仿真结果,分析了微电网在孤岛、并网及运行模式切换时各分布式电源的频率、电压和功率的变化规律,验证了下垂控制策略的正确性和可行性.  相似文献   

7.
通过对采用峰值电流控制的有源钳位正激变换器功率级传递函数的推导,得出其小信号传递函数的数学模型,计算出在不同应用条件下的开环传递函数的伯德图.根据其伯德图,优化补偿器,使补偿器的传递函数能随温度的变化而变化,从而使电源在不同的应用条件下都满足环路的稳定性的要求.  相似文献   

8.
针对外场激励下双层带缝屏蔽腔内置传输线的终端响应计算问题,提出了一种基于拓扑网络的电磁拓扑法(EMT方法).将传输线网络拓扑分解成两个拓扑网络,先给出第一个拓扑网络相应的网络BLT方程,计算出外腔内的响应电压.将响应电压转换成内孔缝上的等效磁流,给出了内腔的耦合场表达式.然后给出第二个拓扑网络相应的网络BLT方程,计算出内腔体内置传输线终端的响应电压和电流.通过与其他数值方法对比,验证了网络BLT方程法和EMT法分别计算单双层屏蔽腔的屏蔽效能的有效性.最后计算结果表明:单层屏蔽腔内置传输线的终端响应明显强于双层屏蔽腔内置传输线的,但在腔体和孔缝的谐振频率附近,即使是双层屏蔽下,传输线的响应仍出现了峰值.而且腔内传输线使得双层屏蔽腔的屏蔽效果变差.分析结果可为电磁兼容和电磁防护设计提供一定的参考.  相似文献   

9.
运用量子力学的隧穿方法讨论一个铁磁/半金属/铁磁隧道结(FM/HM/FM)中的自旋极化输运和隧道磁电阻(TMR).结果表明:当选定半金属材料自旋向上子能带呈现金属性时,自旋向上和自旋向下电子的隧穿系数都表现出共振隧穿特性.发现TP↑↑与a,u和Δm↓-Δm↑的取值无关,但随着这些量的增加,TP↓↓和TAP振荡逐渐加快,峰也变得更为尖锐,并且相邻峰之间的间距也逐渐变窄.更重要的是,当这些系数取值合适时,TMR值明显增大.可见,半金属材料对提高隧道结的磁电阻是十分有利的,只要选取合适的参数便能得到较理想的结果,从而有利于提高磁性存储器等磁性元件的性能.  相似文献   

10.
采用燃烧法合成了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+黄绿色长余辉发光材料,并对其进行醇酸清漆包覆.对包覆材料进行了水解后电导率、发光亮度及余辉衰减曲线的测定,利用红外光谱及热重分析对包覆层进行分析.结果表明合适量的清漆包覆对发光材料的发光性能影响很小,却能有效地改善其耐水性能.合适包覆量的质量百分比约为4.2-6.3%.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号