0．053MPa下酒精中乙醇和主要杂质之间的汽液平衡研究

本文利用自行改进的Ｒｏｓｅ釜研究了在０．０５３ＭＰａ绝对压力下酒精中乙醇和主要杂质（甲醇、正丙醇和异丁醇）之间的三个二元汽液平衡关系，为差压精馏技术在酒精精馏中的应用提供基础数据．获得的全部数据与ＵＮＩＱＵＡＣ模型符合得很好．     

77K下硅中杂质电离率的计算

用纯数值技术计算了７７Ｋ硅中杂质的电离率，考虑了Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计、禁带变窄效应、冻析效应以及温度对各种物理参数的影响，计算结果比简化模型精确，而且可插入到半导体器件模拟软件中。     

萃取杂质法精制对氨基苯酚

以硝基苯（ＮＢ）为萃取剂，考察了文题的影响因素，确定了萃取过程的最佳工艺条件：萃取温度４０￣６０℃；初始水相的ｐＨ值４．３￣５．５。负载有机相中的苯胺可用精馏方法回收，其纯度大于９９．５％。依实验确定的萃取平衡等温线，可得到萃取的理论级数为５级。ＮＢ萃取关键杂质精制对氨基苯酚为一吸热反应，萃取反应的热效应为２．２６ｋＪ／ｍｏｌ。     

样条插值法在酒精精馏塔设计中的应用

本文对酒精精馏塔的设计,提出采用一元三次样条插值法计算其最小回流比和理论板数,并给出计算程序框图。为非理想溶液系统提供了设计和精馏模拟的依据。该方法对于有合理的汽液平衡数据的精馏,特别是高纯产品精馏和精密精馏的设计计算有参考价值。     

直拉单晶炉中碳氧含量的研究

晶体硅中的杂质会显著的影响各种硅基器件的性能,本文分析了直拉单晶炉中碳、氧杂质的引入机制,研究了减少碳、氧杂质的措施,并且做了相应的分析。     

未掺杂SI—InP中缺陷的正电子寿命研究

在１０－３００Ｋ的温度范围内,测量了用液封直拉法（ＬＥＣ）生长的ｎ－ＩｎＰ经高温退火后形成的未掺杂ＳＩ－ＩｎＰ晶体的正电子寿命谱,用ＰＡＴＦＩＴ和ＭＥＬＴ两种技术分析了正电子寿命谱。常温下的结果表明,ＳＩ－ＩｎＰ中存在甸空位ＶＩｎ或与杂质的复合体缺陷。观察到在１０－２２０Ｋ之间正电子的平均寿命τｍ随温度的升高而减小,表明上述缺陷是带负电荷的铟空位ＶＩｎ的氢复合体;但是在低温下还存在正电子浅捕获态。     

药物制剂杂质研究概述

目的对药物制剂杂质研究方法进行归纳和总结,对杂质的分析方法和标准建立做相关探讨方法通过查阅杂质分析研究方面的文献资料结果总结梳理了杂质的研究分析过程结论色谱条件、波长等关键因素的确认应合理。     

酒精精馏中的热泵应用探讨

结合酒精水溶液相图,给出其精馏中热泵应用的可行节能流程－－分割式热泵精馏,并分析此流程的实际应用特点。     

基因重组药物蛋白类杂质检测及质量控制

生物技术药物中蛋白类杂质是最普通、最复杂也是最具潜在危害性的杂质,去除生物药品中所有蛋白杂质也是不可能的.为增加产品安全性必须加强对生物制品中蛋白类杂质的质量控制.目前对生物技术药物蛋白类杂质检测及质量控制方法包括：免疫学分析、凝胶电泳、等电聚焦电泳、二维电泳及质谱技术、毛细管电泳、高效液相色谱等.将生物药品中相关蛋白类杂质控制在合理范围内,既可增加用药安全性,又能增强药物生物学活性,是该类药品成功应用于临床的必然要求.     

附加供料离心净化级联的实现

为了降低用离心级联净化浓缩铀产品时净化级联精料端轻杂质的含量,研究了一种附加供料方法。通过给离心净化级联附供氟利昂C6F12,加大了离心净化级联精料端的杂质取料量,避免了轻杂质积累,保证了离心机的安全。以核燃料中典型的金属杂质C rO2F2为例进行计算表明,产品中金属杂质小于1×10-6,通过调节氟利昂的供料比例,净化级联末级的轻杂质含量可以限制在3%以下或更低,杂质中235U F6的丰度小于5×10-6。通过附供C6F12可以实现用离心级联净化核燃料的目的。     

半导体外延掺杂的深度分布——"修正的"余误差分布

在制造半导体器件的外延工艺中,外延生长时通常要掺入杂质.如果杂质的扩散系数很小,杂质在外延层中的深度分布是均匀的;如果杂质的扩散系数较大,半导体在外延生长过程中,杂质还有较明显的扩散,也会扩散到衬底中去.杂质浓度随深度分布不仅和杂质的扩散系数有关,还和外延生长速度及外延生长时间有关.从理论上推导出掺杂外延生长时杂质浓度深度分布表达式——"修正的"余误差分布;并根据该表达式绘出不同扩散系数和不同外延生长条件下的杂质浓度深度分布图;讨论了由杂质浓度深度分布确定扩散系数的实验条件.     

杂质在制备胶态五氧化二锑过程中的行为

在胶态五氧化二锑制备工艺研究的基础上,就制备过程的不同阶段杂质元素对产物的稳定性和产出率的影响进行了研究。结果表明,某些少量杂质离子在溶液中的存在可以在一定程度上促进制胶过程。此外,制胶前溶液中的杂质离子与制胶后溶胶中杂质离子对胶团的影响方式是不同的,前者的聚沉浓度相当高,而后者的则很低。     

工业硅中杂质铁去除的理论分析

分析了硅中杂质的分凝特性,计算、讨论了在定向凝固条件下硅中铁的有效分凝系数 K_(fef)和凝固速度 f的关系,并用生产实践中铁在硅锭中的分布,验证了理论分析的可靠性。提出了用组合结晶器定向凝固技术去除工业硅中杂质铁的工艺方法。     

晶闸管铝镓闭管扩散工艺的计算机模拟

为了对晶闸管特性进行计算机模拟,有必要对其P区的杂质浓度分布建立准确而便于计算的模型。文中对形成P区二段式杂质分布的铝镓分步闭管扩散工艺进行了讨论。对较低浓度铝的最终分布着重考虑它在扩镓过程中的再分布,而对高浓度镓的最终分布则着重考虑扩散系数的变化。与实验样品的扩展电阻探针测试数据进行比较后表明,本工作所用模型与实验结果有较好的吻合,适宜于在实际工艺过程中使用。     

四探针测半导体材料杂质分布

设计一个新的近代物理实验题目,利用阳极氧化法对半导体材料逐次去层,采用四探针法测量其每层的电阻率及相应杂质浓度,可得出半导体材料的杂质分布N(x）,实验设备简单,测量方便,结果准确,并提供了自制四探针测量仪的方法。     

SURFACE SPIN WAVES FOR A SEMI-INFINITE FERRIMAGNET WITH A SINGLE ION UNIAXIAL ANISOTROPY IN THE PRESENCE OF MAGNETIC IMPURITY LAYER

A C3Cl-type(bcc)-semi-infinite ferrimagnet with a single-ion uniaxial anisotropy and a magnetic impurity layer is considered through combining Green‘s function theory with the transfer-mairx method.The effect of the anisotropy term and the impurity layer on surface spin wave specirum is discussed.The influence of the impurity layer‘s distance from the surface or surface spin woves is also concerned.     

介电常数的修正对半导体异质结中杂质态结合能的影响

采用连续电介质理论计入对材料介电常数的修正,利用变分法讨论半导体单异质结中界面附近的单电子束缚于施主杂质的基态结合能.对A lxG a1-xA s/G aA s和G axIn1-xN/InN等几种半导体异质结做了数值计算,给出杂质态结合能随杂质位置的变化关系.结果表明:当杂质处于垒材料中远离界面时,介电常数的修正对结合能无明显影响;当杂质靠近界面且组成异质结的两种材料的介电常数相差较大时,计入修正后的结合能低于已有的近似结果,最大降低可达5%~6%(x=0.3).     

Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结中的束缚极化子

对半导体单异质结系统 ,引入三角势近似异质结势 ,考虑电子、杂质与声子的相互作用 ,利用改进的 LLP变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的极化子基态能量 .对 Zn1-xCdx Se/Zn Se系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能、声子贡献随杂质位置、电子面密度和组分的变化关系 .结果表明 ,杂质 -声子相互作用显著且声子对结合能的作用为负 .     

双势垒中杂质原子对量子隧穿的影响

采用计算穿越任意势之透射系数的数值计算方法,得到了在双势垒阱区中有正电杂质时电子隧穿的共振能级、波函数、透射系数.通过与无杂质原子的双势垒量子隧穿情形对比,详细讨论了杂质原子对量子隧穿的影响.数值结果显示,体系的有效势是双势垒与杂质原子库仑势的叠加,当电子能量处于叠加势中的本征能级时,发生共振隧穿,对纯束缚态,不可能发生共振隧穿.此外,还给出势阱中有、无杂质两种情形的波形图,通过对比,可以进一步看出杂质原子对共振隧穿的影响.