谈静态工作点的稳定

本文通过理论分析，讨论了静态工作点不稳定的原因，给出了解决静态工作点不稳定的电路设计方案。     

串并联法求管网系统的稳定工作点

管路系统由泵和输水管路组成，管路元件工作点的确定能让我们监测管路的运行状态，可以为管路系统的调节，调度提供理论依据，也能辅助分析管路系统运行中常见的故障原因。传统的工作点的分析方法直接从系统或子系统的质量能量守恒出发，建立多元方程组，然后求解。从系统的角度出发，类比电路的回路，给出元件的数学模型，并据此和物理学基本定律建立管网系统的“基尔霍夫定律”，思路清晰，可以推广到其他的非线性能量回路系统。     

浅析手弧焊稳定工作点的确定方法

本论述主要阐述手工电弧焊过程中当外界因素发生变化时,电弧的稳定性受到干扰,如何确定其稳定工作点,确保焊接质量.     

紧束缚分子动力学模拟纳米硅管的稳定结构

利用紧束缚分子动力学退火方法模拟研究了纳米硅管(SiNT)的稳定结构和基态能量,结果表明:几何结构特征对纳米硅管的结合能有重要影响,平均键长为0.236 4 nm,表面为双层原子面,具有很高的亚稳性,锯齿型管比扶手椅型管的原子结合能大0.051 eV/atom,SiNT(m,m)(m=2-4)不具有管状结构,SiNT(2,2)可以作为单元形成硅纳米线.     

硅镓锗砷的反常散射因子

本文在略述反常散射后,给出几种最常见半导体元素硅,镓、锗、砷在 K 吸收限附近的反常散射因子的模拟表达式,并作了简单讨论。     

室温下硅与硅锗合金的热电性能研究

采用第一性原理方法研究在温度为300 K时,硅单质和两种锗组分不同的硅锗合金的热电性能,发现虽然硅的热电功率因子S2σ较大,但由于其热导率也高,故不是良好的热电材料,但若与其同族的元素锗形成合金,就可使材料的热导率得到显著下降,伴随而来的载流子迁移率的下降则远不如热导率明显,从而可获得较大的热电优值,而且在硅锗合金中锗含量不同时,热电优值也会有变化.     

锗、硅对水稻营养生长的影响

用０～３．０ｍｇ／Ｌ浓度ＧｅＯ２对水稻种子浸种处理之后,在木村Ｂ培养液中培养,并分别以６个浓度继续添加ＧｅＯ２溶液．另用不同浓度的ＧｅＯ２和ＳｉＯ２混合溶液培养水稻,测定其营养生长期的整株鲜重、根鲜重、地上部高、叶绿素含量、根系活力以及叶过氧化氢酶（ＣＡＴ）、叶多酚氧化酶（ＰＰＯ）、根过氧化物酶（根ＰＯ）和叶（ＰＯ）．实验表明,随着培养时间延长,上述生理指标值有所变化,其中前６项正常生理指标值,随着ＧｅＯ２浓度提高而减少,后３项衰老指标则随着ＧｅＯ２浓度提高而有增加趋势,表明３种酶活性的提高以缓解ＧｅＯ２对水稻的毒害作用．各生理指标与ＧｅＯ２浓度之间呈明显相关关系．同时,还发现了一定浓度的ＧｅＯ２对水稻生长有抑制和毒害作用,而较高浓度的ＳｉＯ２可适度缓解该抑制作用．     

应用微型计算机求解串联管和简单管水击的通用程序

本通用程序中,水击计算采用等时段网格特征线法,阀门启闭为曲线(含直线)变化规律。本程序结构紧凑,需要存贮单元少,使用方便灵活,节约计算时间,成果精度高,只要从键盘上改变输入的数据(程序本身不需更动),便能迅速得到相应情况下,串联管或简单管的水击计算结果。可用于露天钢管、露天钢筋混凝土管、无衬砌隧洞和埋藏式管道(钢板衬砌或钢筋混凝土衬砌或混合衬砌)等组合的串联管,以及各种简单管道的水击计算。特别对于大量不同情况下的水击计算更显优越。     

关子数学教育学内容结构的探讨

<正>数学教育学作为数学、教育学、心理学、逻辑学、社会学、哲学等的交叉学科,是近年来兴起的,它目前正处于形成和发展阶段.虽然它的研究范围基本确定且它又是由传统的数学教学法脱胎而来,但其内容结构,还正处于进一步摸索与完善阶段.本文就这一方面的问题,作一些初浅的探讨.     

理想的非晶态硅和锗的结构模型

非晶态结构与相应的晶态结构之间存在着一定的联系。据此,本文提出了一个关于理想的非晶态半导体中原子排布的物理模型。利用它成功地将金刚石晶格“改造”成了非晶态硅和锗的连续无规网格,所得结构模型的主要参数(密度、径向分布函数等)均与实验结果符合得较好。     

硅,锗衬底上的软硬碳氢膜

我们使用射频-直流辉光放电系统制备了非晶碳氢膜(a-C:H),所用的衬底为半导体级抛光后的硅、锗单晶片,锗片纯度在9个9以上,硅片为N型,电阻率10～20Ω·cm为研究淀积源对膜层结构的影响,我们除使用气态源乙炔(C_2H_2)外,还使用了液态源戌烷(C_5H_(12))。所用淀积参数为:高频频率10MHz,高频功率密度1.4～2.8W/cm~2(未能精确测量),直流偏压0～600V,气体流量0.3～0.61/min,反应室内压强0.01～1托,衬底温度:室温～300℃。     

石榴子硅卡岩中锗的光谱定量分析

在一九五八年大跃进的形势下,半导体材料的制备成了我校化学系的一项重要任务。为了配合半导体材料铑的制备,曾经进行过各种含锗放物及析煤、烟灰中锗的光谱半定量分析,对于提供制备所需要的原材料起了一定作用。但上述分析工作远不能满足要求,准确地测定锗的合量遂成了我们工作的任务,本试验工作就针对着锗的提取原料硅卡岩为分析对象,寻求一适当方法来测定该岩     

硅锗合金氧化纳米结构的光致发光谱

首次发现硅锗合金氧化纳米结构中的锗纳米层的PL谱(5410A波长处的谱峰),采用量子受限模型分析PL谱结构得到的计算方法和结果与实验拟合较好.     

面向GPON的硅基锗探测器应用研究

锗硅探测器由于其在近红外波段有高响应度、高带宽,且与CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺兼容等优良的光电特性,已经成为近几年的研究热点之一.为了研究硅基锗APD的商用通信测试指标,结合GPON(Gigabit-capable Passive Optical Networks)接入网的技术指标要求,实验研究了硅基锗探测器的光电变换特性.采用BERT搭建了可靠的硅基锗探测器测试系统,并对探测器进行了性能测试.该设计方案可靠性高,测试数据对实际应用有一定的指导意义.测试眼图表明,该探测器可以在2.5Gbps速率下可靠检测出2电平调制符号,有在GPON光通信网络中应用的潜力.讨论了进一步降低误码率,实现低误码、高可靠性的数据通信,减小信号因内部逻辑设计而产生的误码的几种方法.其中包括采用可扩展的Aurora光纤传输协议的传输方案、集成直流平衡缓冲器(DC-balancing Buffer)的方法和加入CDR(时钟数据恢复)模块的方法.数据表明,所提出的测试方案是可行的.本试验为硅基锗探测器在GPON上应用提供可行解决方案和技术数据.     

浅谈单管共射放大电路静态工作点的稳定问题

已设置好的单管共射放大电路的静态工作点Q会受温度影响而发生移动，从而导致信号失真。本文分析了温度是如何影响静态工作点稳定的以及既能稳定静态工作点，又不会影响放大性能的分压式射极偏置放大电路的特点。     

硅纳米图形诱导生长分布均匀的锗纳米岛

采用阳极氧化铝模板的方法在硅衬底上制备出分布均匀的硅纳米图形,研究了在硅纳米图形衬底上自组装生长锗纳米岛的演化.发现在500℃下,硅纳米图形对自组装生长锗岛起到诱导作用,获得尺寸和分布均匀的Ge纳米岛,岛的尺寸为35nm,密度达到5×1010 cm-2.当温度较低和较高时,硅纳米图形的诱导作用变得不明显.最后探讨了纳米图形诱导锗纳米岛生长可能的机理.     

硅、锗中硼、磷杂质的振动特性

本文用六原子模型．分析丁硼、磷原子在硅、锗半导体中刃位错附近的三维振动特性．     

锗硅烯与H_2O加成反应的计算研究

采用密度泛函理论方法研究了两种锗硅烯(H2Ge=Si H2及Ph2Ge=Si Ph2)与H2O的加成反应的微观机理和势能剖面,分析了加成反应中区域选择性的起源.计算结果表明,H2O的单聚体、二聚体及三聚体均可作为亲核试剂与锗硅烯发生加成反应.形成Si—O键和Ge—O键的反应均为复杂反应,且Si(Ge)—O键比Ge(Si)—H键优先形成.加成反应的区域选择性由动力学因素决定.H2O作为亲核试剂的反应活性低于CH3OH.     

共集电极基本放大电路静态工作点稳定性的探讨

目前各公开出版的电子技术类教材中都鲜有提及共集电极基本放大电路静态工作点稳定问题。本文对该问题分别进行了理论分析和实验证明,最终阐明该电路静态工作点是稳定的。对电子技术类课程领域中小有争议的知识点给出了确切结论。