二维铁磁介孔复合体的伊辛模型的蒙特卡罗研究

用蒙特卡罗方法研究了二维铁磁介孔复合体的伊辛模型，并针对几种典型情形计算了格点的平均能量和磁化率．     

溶胶-凝胶法合成介孔材料的研究进展

综述了近年来采用溶胶-凝胶法合成各种介孔材料的研究进展,包括介孔硅基材料、金属氧化物、磷酸铝、炭材料等方面,并对相关领域今后的研究发展方向进行了展望.     

以豆角秧为模板的复合孔二氧化硅药物缓释性能研究

以植物豆角秧为大孔模板,P123为介孔模板,通过溶剂挥发方法合成了大孔-介孔二氧化硅材料.这种硅材料不但具有较高的比表面积,而且具有可调的孔径,可以作为药物的载体,展现良好药物缓释能力.SEM、XRD、氮气吸附-脱附等测试被用来对材料结构进行了详细的袁征.     

介孔碳材料的合成及应用研究

综述了介孔碳材料的合成及应用．     

Fe（Ⅲ）掺杂介孔TiO2的溶剂热法合成与表征

采用溶剂热法,以钛酸丁酯为前驱体,十八烷胺为模板剂合成了Fe(Ⅲ)掺杂介孔TiO2材料.利用XRD,TEM,氮气吸附,热重-差热,红外,UV-Vis 漫反射,XPS 等手段对材料的结构、形貌、比表面积、孔径分布、热学性能及吸光性能进行了表征.研究结果表明Fe(Ⅲ)掺杂介孔TiO2材料的蠕虫孔道结构实际上是由TiO2纳米晶排列而成.通过降解甲基橙水溶液来考察Fe(Ⅲ)掺杂介孔TiO2材料的光催化性能,实验结果表明,Fe(Ⅲ)掺杂介孔TiO2的光催化明显优于未掺杂样品,其原因在于掺杂的微量金属离子能够捕获光生电子,有效地阻止光生电子与空穴的复合,提高了光催化效率.     

介孔二氧化锡材料的合成及其乙醇敏感性能的研究

以KIT-6为硬模板,合成了介孔SnO2-6材料.这种介孔材料不但具有较高的比表面积(57 m2· g-1),而且具有较小的颗粒尺寸(4～7 nm),展现出良好的气敏性能.并用TEM、XRD、氮气吸附-脱附等测试手段对材料结构进行了详细的表征.     

具有高水热稳定性有机-无机杂化中孔硅基材料的合成

以Y型沸石前驱体和不同的有机硅氧烷为硅源,合成了多种具有高水热稳定性的有机官能化中孔硅基材料,这些材料在100℃纯水中处理150 h后,能同时保持中孔结构和孔道表面上有机组分的稳定.Y型沸石前驱体可用廉价的反应物制备,提供了一条制备具有高水热稳定性有机官能化中孔硅基材料的低成本合成路线.     

等离子体Ag/介孔黑TiO2空心球用于可见光催化制氢

以介孔黑二氧化钛空心球为模板,通过真空诱导辅助热还原方法在介孔黑TiO2空心球孔道及表面生长等离子体Ag纳米粒子,制备了等离子体Ag/介孔黑TiO2空心球可见光催化剂.用XRD、UV-Vis、SEM、TEM和XPS等多种表征手段对Ag/介孔黑TiO2空心球进行了详细的结构表征.结果表明,表面Ag粒子的存在显著提升了该复合材料的表面等离子体共振(SPR)效应,使得复合材料在可见光区的吸收增强,从而提高了太阳光的利用率;适量的Ag粒子有利于光生电荷迁移与分离.相比于介孔黑TiO2空心球,等离子体Ag/介孔黑TiO2空心球在模拟太阳光AM1.5G和可见光下的光催化产氢性能显著提升.     

介孔材料固载的氯铟酸离子液体用于催化合成二苯甲烷

合成l-三甲氧基硅烷丙基-3-甲基咪唑氯-InCl3并将其嫁接到纯硅MCM-41上,制备了MCM-41介孔材料固载的氯铟酸离子液体.以X射线小角衍射、氮气吸附-脱附、红外光谱、热失重及等离子原子发射光谱对所得材料进行了表征.结果表明氯铟酸离子液体已经成功地固载到了介孔材料上,且在固载过程中介孔材料的骨架未受到大的损害.所合成的固体酸催化剂在苄氯和苯合成二苯甲烷的Friedel-Crafts反应中显示了较好的催化活性,且对水不敏感,可以重复使用.     

ZIF衍生多孔材料电催化剂的制备与OER性能

有序多孔材料基电催化剂在能源转换领域具有重要作用．有序多孔材料可以暴露更多的活性位点，同时可以有效促进催化过程中离子的传输．采用沸石咪唑酯骨架材料(Zeolitic imidazolate frameworks,ZIF)为硬模板，通过造孔剂和胶束结合在ZIF纳米片上均匀地修饰有序介孔．复合胶束@ZIF纳米片经热处理和磷化后标记为P-MCS@ZIF,P-MCS@ZIF作为电催化剂对其进行析氧性能分析．结果表明，在电流密度为10mA·cm^-2时，P-MCS@ZIF的过电位为303m V，明显优于未经过造孔处理的参比样品，说明复合结构纳米片材料表面修饰有序介孔可以提高电催化性能．该方法为高性能电催化剂的制备提供了有效的参考．     

Eosin Y/M/SiO2（M=Pt,Rh,Ru）催化剂可见光催化还原水制氢

通过人工模拟光合作用,构建了具有较高可见光还原水制氢性能的Eosin Y/M/SiO₂（M=Pt,Rh,Ru）催化体系,详细考察了析氢助催化剂、二氧化硅表面性质以及曙红与二氧化硅的混合方式等因素对光敏化催化剂制氢性能的影响。实验结果表明:钌作为析氢助催化剂,析氢速率和表观量子效率可分别高达90μmol·h^-1和23.8%;二氧化硅的比表面积增大,析氢速率随之增高;与曙红Y浸渍法吸附在二氧化硅表面制备的催化剂相比,原位物理混合制备的催化剂光敏化析氢速率和稳定性均有显著提高。     

基片温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响

采用对靶直流反应磁控溅射方法,在不同温度的Si（100）基片上制备了一系列的ZnO薄膜．利用X射线衍射仪和荧光分光分度计对ZnO薄膜的结构和发光性能进行了研究．结果表明：所有的ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,且都表现出了（002）织构．随基片温度增加,ZnO薄膜结晶质量提高,其颗粒尺寸单调增加,并且薄膜应力状态发生改变,由压应力转变为拉应力．同时光致发光谱实验结果表明：室温沉积的ZnO薄膜出现了365nm和389nm的紫外双峰,并且出现了弱的蓝光发射带．随着基片温度升高到350℃,365nm附近的紫外峰红移到373nm,并且强度增强,而389nm处的紫外峰强度明显减弱．当基片温度增加到500℃时,373nm的发光峰强度减弱并蓝移到366nm处,蓝光带强度减弱并红移到430nm-475nm处,并且出现了396nm的近紫峰．     

Y2O3:Eu3+红色荧光粉的制备及其发光性质研究

采用固相法、溶胶凝胶法、共沉淀法和水热法4种实验方法,分别制得Y2O3:Eu3+红色荧光粉,并对所制得的样品进行了XRD、SEM以及荧光光谱等表征.结果表明：所制得的Y2O3:Eu3+样品均为纯的立方晶相;都能够被256 nm的紫外光激发,在612 nm处发出强烈的红色荧光,对应于Eu3+ 的5D0→7F2电偶极跃迁,当检测波长为612 nm时,4种实验方法制得的荧光粉体均在256 nm附近出现较明显的激发峰,该处的激发峰对应于从O2-的2p轨道到Eu3+的4f轨道的电荷转移跃迁.且3种湿化学方法（溶胶凝胶法、共沉淀法和水热法）的发光强度强于固相法.     

SrNb_2O_6:Eu~(3+), Bi~(3+)红色荧光粉的固相合成及发光性质研究

采用高温固相反应法合成稀土离子Eu~(3+)掺杂的铌酸锶红色荧光粉,对其晶体结构和荧光性质进行了X射线衍射(XRD)、荧光光谱(PL)的表征,同时研究了共激活剂Bi~(3+)对SrNb_2O_6:Eu~(3+)发光性质的影响.结果表明,在1 200 ℃焙烧后可得到SrNb_2O_6纯相;Sr_(1-x)Nb_2O_6:Eu_x~(3+)荧光粉可以被395 nm近紫外光有效激发,发射峰以Eu~(3+)的5D_0→7F_2(614 nm)电偶极跃迁为最强峰,Eu~(3+) 在SrNb_2O_6中应处于偏离反演对称中心的格位,当x=0.15时,SrNb_2O_6:Eu~(3+)在614 nm处的发光强度最大;共激活剂Bi~(3+)的掺入可以增强SrNb_2O_6:Eu~(3+)荧光粉在325 nm左右激发峰的强度.     

砷化镓表面P2S5／NH4OH钝化研究

用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、先致发光（ＰＬ）和俄歇电子能量谱（ＡＥＳ）研究Ｐ＿２Ｓ＿５／ＮＨ＿４ＯＨ对ｎ型ＧａＡｓ（１００）晶面的钝化作用．测试结果表明，钝化后在砷化镓（１００）面上的自然氧化物已被除去，表面形成了一层性质稳定的硫原子层．硫原子与砷、镓原子分别有效地成键，阻止了砷化镓表面氧化物的组成，并消除了表面存在的悬挂键，从而大大优化了ＧａＡｓ（１００）面的特性．ＰＬ实验结果支持了上述结论．实验结果表明钝化后ＧａＡｓ表面复合速度下降，表面态密度降低．     

砷化镓中某些缺陷低温光致发光光谱的解释

本文对某些缺陷的低温光致发光光谱的解释提出了一种经验方法.将该法应用于文献中报道的非掺、LEC半绝缘砷化镓的低温光致发光光谱,得到了一些有用的结果.然后,对某些有关缺陷的本性提出了一些看法.     

化学有序AlxGa1-xN合金的第一性原理研究

基于第一性原理方法系统研究了化学有序结构AlxGa1-xN合金的结构特征和电子性质.结果表明:随着组分x的增大,化学有序结构AlxGa1-xN合金的晶格常数逐渐减小,而结构稳定性变强.计算的电子结构揭示:化学有序结构AlxGa1-xN合金是直接带隙半导体,其带隙随着x的增大而变宽.化学有序化对带隙变化的影响可能源于量子...     

M^（X）／G（Y）/1成批服务系统中等待时间内高峰期顾客人数

讨论了单个服务员的M^（X）／G（Y）/1排队模型在等待时间内高峰期的顾客人数,基于下模序刻画的随机变量相依程度,得到了M^（X）／G（Y）/1在等待时间内高峰期顾客人数关于等待时间和在此等待时间内到达的顾客人数在减凹序下的单调性．     

水相中合成CdSe量子点的研究

分别用Na2SeSO3和NaHSe为前驱体在水相中合成了CdSe半导体量子点（Quantum Dots, QDs）材料，通过紫外吸收光谱（UV-VIS）、荧光发射光谱（PL）、透射电子显微镜（TEM）等手段对制备的样品进行了表征. 实验结果表明：选用同一前驱体，紫外吸收峰、荧光发射峰随反应时间的延长有明显红移，即粒径在不断长大；随反应时间延长荧光发射谱的半峰宽逐渐变宽，选用不同的前驱体，反应相同的时间，可以得到不同粒径的量子点材料，量子点水溶液Zeta电位基本不受前驱体和pH值的影响，始终为负值.     

扫描光荧光表征半导体材料特性

报道了一个自制的采用计算机控制的自动光荧光(PL)扫描系统.该系统可用于形貌半导体晶片或外延层的PL强度分布,尺寸可大到3英寸,样品可以是Si,GaAs,InP等.它可以用来探测材料中的缺陷及浅能级杂质,显示其分布.PL对于杂质识别和缺陷分布的形貌特别灵敏.文中列举和讨论了用本PL扫描系统对Si和GaAs所获得的一些光谱和形貌的信息.实验证明该系统可用作为一个简单、无接触然而却是灵敏的表征手段,可用于评估半导体基片近表面层的均匀性,也适用于器件表征.