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相似文献
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1.
接触界面压力对高次谐波和键合强度的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
为减少超声键合换能器劈刀在振动过程中的非线性振动,改善劈刀振动的稳定性,提高芯片键合的强度,建立超声波在接触界面传播的模型.在超声引线键合机上,通过改变劈刀和变幅杆接触界面的接触压力,分别测量变幅杆和劈刀的振动和芯片键合强度,并对劈刀振动位移进行频谱分析.研究结果表明:超声波通过接触界面时,由于接触界面层的非线性特性会产生高次谐波和波形畸变;劈刀振动中的高次谐波成分对芯片键合强度造成负面影响.只有当接触界面压力适中时,劈刀振动的波形畸变最小,高次谐波成分最少,超声波的非线性系数最小,芯片键合强度最大.测量劈刀振动的高次谐波町以作为预测芯片键合程度的一种方法.  相似文献   

2.
数值研究了He~+在啁啾场与单极场下发射高次谐波及阿秒脉冲的特点.计算结果表明,当He~+的初始波函数布局在基态与激发态的叠加态时,其谐波强度比单基态时增强7个数量级.随后在啁啾场及单极控制场的作用下,谐波发射的截止能量明显增强,谐波的干涉结构也明显减小.引入空间非均匀效应,谐波截止能量得到进一步延伸,形成一个320eV的平台区.通过叠加谐波,可获得3个持续时间在45~48as的X射线脉冲.其强度比单基态输出的脉冲增强5~6个数量级.  相似文献   

3.
数值研究了He~+在啁啾场与单极场下发射高次谐波及阿秒脉冲的特点.计算结果表明,当He~+的初始波函数布局在基态与激发态的叠加态时,其谐波强度比单基态时增强7个数量级.随后在啁啾场及单极控制场的作用下,谐波发射的截止能量明显增强,谐波的干涉结构也明显减小.引入空间非均匀效应,谐波截止能量得到进一步延伸,形成一个320eV的平台区.通过叠加谐波,可获得3个持续时间在45~48as的X射线脉冲.其强度比单基态输出的脉冲增强5~6个数量级.  相似文献   

4.
利用遗传算法优化了电子在电场中运动获得的最大返回动能,得到了组合双色场的波形.结果表明,在激光脉冲总能量不变的前提下,优化得到的双色场能够将产生的高次谐波的截止位置提高2倍,而且谐波场的强度不会有明显的降低.本文的结果可为实验上更好地实现宽频高次谐波提供理论指导.  相似文献   

5.
利用数值求解含时薛定谔方程的方法,从理论上研究了一维模型He+离子在波长为1064nm的线性啁啾激光和高频脉冲形成的组合场中产生的高次谐波以及由这种高次谐波构造的阿秒脉冲特征.发现在组合场中,由于啁啾脉冲的作用和在适当的时刻加入了高频脉冲,不仅使高次谐波谱的平台区域能得到很大的扩展,而且谐波转化效率也得到有效地提高,当对第二平台区域的不同范围内高次谐波迭加都可得到单个阿秒脉冲,最短可达21阿秒.最后通过经典分析和时频分析解释了这种高次谐波展宽与阿秒脉冲发射过程的特点.  相似文献   

6.
通过数值求解二维含时薛定谔方程,研究了氩原子在双色反向旋转椭圆偏振激光场作用下的高次谐波发射,双色反向旋转椭圆偏振激光场是由2个共面的频率为rω和sω(r=1,s=2,3,4,ω是圆偏振的基频)时的激光脉冲组成.通过理论计算我们发现在不同椭偏率下的氩原子的高次谐波谱的特性与2015年Milosevic[26]提出的选择定则一致.倍频场为2倍频,驱动激光场为反向旋转圆偏振激光脉冲时,高次谐波谱的3q阶次谐波被抑制,驱动激光场为反向旋转椭圆偏振激光脉冲时,高次谐波谱中被抑制的3q阶次谐波增强;倍频场为3倍频,驱动激光场为反向旋转圆偏振和椭圆偏振激光脉冲时,高次谐波谱的偶数阶次谐波被抑制;倍频场为4倍频,高次谐波谱中与5q阶次相邻的谐波阶次产生,其余谐波阶次被抑制,驱动激光场为反向旋转椭圆偏振激光脉冲时,被抑制的谐波阶次增强.我们计算了相对应激光场下的Lissajou's图形,从图中可以看到随着椭偏率的变化,Lissajou's图形的对称性被破坏,相应的高次谐波谱的特性发生变化;Lissajou's图形的对称性不变化,相应的高次谐波谱的特性不发生改变.  相似文献   

7.
分子高次谐波的研究结果表明,由于分子的各向异性,分子表现出的谐波特征决定于分子的最高占据轨道,分子产生高次谐波的特征可以通过分子轴取向和激光极化方向的角度依赖关系来进行研究。分子轨道对称性在分子的强场现象中具有很重要的作用,谐波的强度由分子最高占据轨道对称性影响下的电离几率振幅而决定,这一结果将来可以更好的控制高次谐波的产生。  相似文献   

8.
对高重复率低能量飞秒(fs)脉冲激光和静态氩气相互作用下产生相位匹配高次谐波进行了实验研究. 在重复频率为1 kHz单脉冲能量为0.55mJ的商品化全固化飞秒激光系统上获得了相位匹配27次谐波. 这是迄今为止在静态气体盒子内获得相位匹配27次谐波所用的最低激光脉冲能量. 对不同氩气气压下的高次谐波强度变化进行了研究. 分析了高次谐波光谱的蓝移和展宽. 并且对高次谐波的源尺寸和强度空间分布进行了分析, 发现相位匹配高次谐波的源尺寸和强度空间分布与非相位匹配情况截然不同.  相似文献   

9.
通过激光波形调控,理论提出一种获得水窗区间单阶谐波的方法.研究表明,在双色激光场中适当引入啁啾调制可获得强度增强一个数量级的单阶谐波.随后,在啁啾波形处适当引入半周期激光场可使单阶谐波进一步向高能区延伸,进而覆盖整个水窗区间.最后,在不同啁啾场以及半周期场的组合下可获得波长可调的水窗区间单阶谐波.  相似文献   

10.
利用啁啾场调控激光波形,理论研究了不同啁啾场对高次谐波光谱的影响. 结果表明:当采用对称中间啁啾调控时,谐波截止能量的延伸及光谱连续区来自于激光中间区域. 当采用不对称负向啁啾调控时,谐波截止能量的延伸及光谱连续区来自于激光下降区域. 虽然,谐波截止能量在不同啁啾调控下都可以得到延伸,但是,不对称负向啁啾场下光谱连续区的强度要比对称中间啁啾场下光谱连续区强度高2个数量级. 最后,通过叠加光谱连续区上的谐波可以获得2个脉宽在38 as的单个阿秒脉冲. 并且,负向啁啾场下获得脉冲强度要比对称中间啁啾场下获得脉冲强度高2个数量级.  相似文献   

11.
本文通过调控非线性啁啾波形,提出了运用两种非线性啁啾组合波形延伸谐波截止能量以及增强谐波强度的方法. 研究结果表明,适当调节组合场的二阶和三阶啁啾参数、啁啾延迟以及其它激光参数后,激光波形得到最佳优化. 在最佳波形驱动下,谐波截止能量和辐射强度明显增大,进而我们可以获得脉宽在39 as的孤立脉冲.  相似文献   

12.
目的 提出一种直接获得单个超短阿秒脉冲的新方法.方法 通过数值求解一维含时薛定谔方程,研究中红外非均匀组合场驱动氦离子产生的高次谐波辐射.结果 这种时空组合场不仅实现了单一量子路径的控制,而且产生了一个频带极宽的超连续谱.结论 对连续谱上一些适当的谐波直接进行滤波,在没有任何相位补偿的情况下可获得脉宽仅为19.3 as的单个脉冲.  相似文献   

13.
利用含时波包方法中的劈裂算符方案研究了激光场中分子振动对氢分子离子高次谐波谱的影响.研究表明,平台区的高次谐波的强度随着振动量子数的增大而增强,增大激光强度能产生更强的谐波谱.  相似文献   

14.
提出了利用相互耦合法实现恒定泵浦场二次谐波系统混沌控制和同步的方法.利用相互耦合法,选择合适的耦合系数可以实现两个不同的初始条件下二次谐波系统的混沌周期态同步.数值计算结果表明,在一定的泵浦强度下,这两个二次谐波系统尽管初始条件不同,在确定的参数范围内,通过调整相互耦合系数,可以将两个系统从混沌状态控制到周期同步态.这种方法为实现多个二次谐波系统和高次谐波系统的混沌控制和同步打下了良好的基础,对混沌保密通信工作具有重要的意义.  相似文献   

15.
从减小噪声源的思路出发,根据扩频理论,提出了一种应用在开关电源控制芯片中的减小EMI的电路实现方法.采用三角波调制的方法调制振荡器的频率,通过采用调频PWM开关技术,使原本集中在开关频率及其高次谐波的尖峰上的能量展开到更宽的频带上,从而减小了EMI噪声.通过对振荡器输出脉冲波形的频谱分析,验证了所提出的振荡器结构可以实现减小EMI噪声源的作用.  相似文献   

16.
介绍强场高次谐波的概念和产生过程及研究进展,说明强场高次谐波是获得更短波长射线的主要手段之一.  相似文献   

17.
本文对正弦脉宽调制变频器的输出波形进行了谐波分析。在载波比较大的情况下,藉助计算机可以精确计算出高次谐波的幅值,并找出在高次谐波中最大幅值出现的规律,绘出在不同载波比时高次谐波对电动机的附加铜、铁损耗曲,从而找出最佳载波比。  相似文献   

18.
本文利用电子计算机数字仿真技术进行非理想条件下的可控硅变流设备的高次谐波及母线电压波形畸变的分析,揭示了解析法难以考虑的几个常见因素对高次谐波及电压畸变的影响及其程度,扩展和补充了文献中有关这一问题的讨论。  相似文献   

19.
通过对双色场激光波形的调控,理论上获得了单阶谐波的选择增强.理论分析表明,单阶谐波的选择增强来源于‘W’波形下谐波辐射的折叠区域.而且,第二束调控场的脉宽对‘W’波形下所形成的谐波辐射折叠区域有较大影响.该研究为获得单阶谐波脉冲提供了一种新的方案,对激光光源的发展有帮助.  相似文献   

20.
建立了PWM型变频器输出波形的数学模型,得出了n个奇次谐波的幅值与1/4周期内的触发次数m之间的m阶方程组.采用数值法对方程进行求解.用计算机算出可消除m个由低到高奇次谐波的触发角系列,并对结果进行仿真研究,按给出的触发角控制方案进行控制的变频器输出的线电压、相电压和相电流波形.仿真结果表明,所得电流波形已与正弦波接近,经证明是一种有效的谐波抑制技术.图6,表1,参7.  相似文献   

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