MoO_3高压电输运性能研究

利用DAC原位测量技术,研究了Mo O3电阻率和高压阻抗随压力的变化规律.电阻率在10.6 GPa和20.8 GPa时出现不连续变化,对应着Mo O3由正交相到单斜相(P21/m)再到单斜相(P21/c)的结构相变.压力低于10.6 GPa时,电阻率随着压力的增大而减少;单斜相(P21/m)的电阻率随压力增加而增加;压力高于20.8GPa时,电阻率随压力增加而减小.通过拟合复阻抗谱,得到了晶粒电阻随压力的变化规律.晶粒电阻在10.6GPa出现不连续变化,对应着Mo O3由正交相到单斜相(P21/m)的结构相变.正交相晶粒电阻随着压力的增大而减少.     

面向生物分子检测的MoS_2膜流体场效应管的制备

为提高生物分子检测的灵敏度,通过氮化硅基底的制备、二硫化钼(MoS_2)薄膜的铺陈以及金属电极的制备等步骤研制了MoS_2流体场效应管.将制备好的场效应管进行电学表征并分别在空气和浸润环境中进行性能测试.实验结果表明:当背栅电压为0 V时,漏极电流与电压呈线性关系,电极与二硫化钼样品之间的接触为欧姆接触;用机械剥离方法制备出的MoS_2薄膜为单层;浸润环境下场效应管上二硫化钼的电阻比空气中的小,这是由于浸润环境下样品杂质掺杂浓度提高所致;随着液栅电压的增加,漏极电流与电压的曲线斜率也会随之增加,场效应增强.作为一种新型的二维材料,二硫化钼可以用来制备流体场效应管和提高生物分子检测的灵敏度.     

In-Sn20合金熔体电输运性质的研究

文章以直流四电极法和微差法分别测量了In-Sn20合金熔体的电导率σ和热电势S随温度的变化,并对不同温度下的熔体进行了X射线衍射实验。结果表明,合金熔体的电导率和热电势均在远高于液相线几百度的温区内发生了突变,且2种电子输运性质的突变温度一致,表明合金熔体在升温过程中可能发生了某种结构转变。利用Fiber-Ziman理论及赝势模型,计算并分析了合金熔体的电子状态密度N(EF)及其随能量的变化率dN(EF)/dE,发现N(EF)和dN(EF)/dE在一定温度范围内也随温度发生了突变。     

单根双螺旋碳纤维的电输运性质

在750-790℃温区,利用镍粉作催化剂,采用催化热解法制备得到形状规则的双螺旋碳纤维。在多功能物性测量仪（PPMS）上测量了单根碳纤维的电阻一温度关系,低温I-V曲线,结果发现在300—13K温区满足三维Mott变程跳跃模型,而在13K以下则符合Efros-Shklovskii变程跳跃模型。在I-V曲线上,观察到低温下逐渐变强的电子一电子相互作用。     

分形结构金属的电输运性质

基于电子－声子和电子－分形子相互作用，通过求解量子输过方程，计算出分形结构金属的电阻率和霍尔电导率。数值计算表明，对于不同的渡越频率，平面电阻率和霍尔角有不同的温度关系。     

单根碳纳米管的低温电输运性质

报道了单根碳纳米管的低温电输运测量结果,特别关注了由于碳纳米管在长度方向的尺寸较小时产生的库仑阻塞性质,碳纳米管的低温电输运出现了零偏置反常和库仑振荡。因此碳纳米管在小的尺寸和低温时不仅出现能量量子化而且可以出现电荷量子化-量子点的行为。     

Ar-O_2混合气体输运性质的量子力学研究

基于物理力学理论，利用量子力学的IOSA方法和Ar－O2等效势模型计算了Ar在O2气体中的扩散系数和粘滞系数，计算值与实验值符合较好，比经典计算值更接近实验值，谈．明我们的方法是有效的，所用的Ar－O2相互作用等效势模型反映了该系统相互作用的客观情况。     

CdS薄膜的电输运和光学性质

通过喷雾热解获得CdS薄膜，在氮中气做了退火处理，观测到吸收边随退火温度升高而移动；在室温下的拉曼谱中观察到CdS的2个特征峰；经暗电阻与温度的变化关系的测试，发现激活能存在着极小值，用载流子衰减时间的变化能较好地解释其缘由；探讨了光电导与入射光强以及退火温度的关系。     

单层MoS_2的电子结构和光学性质研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了单层MoS_2的能带结构、电子态密度和光学性质。计算结果表明单层MoS_2是直接带隙半导体材料,禁带宽度为1.63 e V,静态介电值为4.7,具有良好的紫外光吸收特性,研究结果为制备紫外光器件提供了理论基础。     

MoO_2-Mo系热力学性质的气态平衡法研究

本文使用自行设计的热重装置对MoO_2-Mo系中间氧化物热力学稳定性及金属-氧化物平衡作了H_2O/H_2气氛下气态平衡法的研究。在P_(H_2O)/P_(H_2)从0.123到0.507,温度由625至912℃范围内直接测定了反应1/2MoO_2 H_2=1/2Mo H_2O(g)的平衡常数。平衡常数K_p与绝对温度T之间的关系可表达为方程:lgK_p=1.612(2257.7/T)。实验表明,Mo_3O,MoO和Mo_2O_3等中间氧化物在本研究的温度和氧压范围内不能作为热力学稳定相存在。     

材料的电输运性质与电子高能级分布研究

讨论了孤立原子、块状材料、薄膜材料、纳米材料的电子高能态分布的特点及其产生这种特点的原因.指出,由于原子物理学学科分工的特点,没有讨论孤立原子的核外电子的能级分布与温度的关系(也无法讨论);而块状材料和薄膜材料的电子高能态之所以分布在表面上,是与其形状有关的,原因在于表面上存在着缺陷原子,而这些缺陷原子周围存在着悬空键,块状材料和薄膜材料的电子能态分布是连续的,这种连续性是由块状材料和薄膜材料单位体积里包含大量的原子造成的;纳米材料的电子能态是不连续的,这种不连续性是由于纳米颗粒本身包含有限的原子个数造成的.同时定性地解释了稳恒电流无趋肤效应而交流电和超导电流产生趋肤效应的物理原因.     

压力对分子结电输运性质的影响

在密度泛函理论基础上,优化不同金电极距离下以羧基为末端基团的硫醇分子的几何结构,得到了体系能量与金电极距离的变化关系。根据外力与能量的关系式,计算了不同金电极距离下对应的压力值。利用弹性散射格林函数方法计算了不同压力下分子结的伏安曲线。研究结果表明,当两个金电极距离被拉伸为2.08 nm时,羧基断开了与金电极的物理接触。随着外加压力的增加,分子结的电导值快速地增加。     

n型GaN薄膜输运性质与发光研究

系统研究了掺Si的n型GaN的表面形貌、电学性质和光学性质。GaN薄膜采用金属有机化学气相沉积系统（MOCVD）制备,通过选择不同掺杂流量的siH4,使n型载流子浓度变化范围为3×10^16-5．4×10^18cm^-3。原子力显微镜研究发现随掺杂浓度的增加样品表面形貌变粗糙,表面位错坑密度增加,表明了晶体质量下降。变温霍尔效应获得载流子浓度随温度的变化曲线（n-1/T）,拟合得到不同Si掺杂量下,Si杂质在GaN中的电离激活能在12～22meV之间变化,它是施主波函数的相互作用增强所造成。通过研究迁移率随温度（μ-T）的关系曲线,认为载流子输运过程受不同温度下的散射机制影响。光致发光谱研究了室温下GaN薄膜带边发光和黄带,发现带边发光峰的移动是伯斯坦-莫斯效应和能带重整化效应共同作用的结果,并拟合得到了能带收缩效应系数-1．07×10^-8eV／cm,指出黄带的产生和变化与不同Si掺杂浓度下Ga空位的浓度相关。     

Bi2Te3基热电材料的电输运性能研究进展

Bi2Te3基化合物是热电领域的代表性材料之一,被广泛应用于余热发电、固态制冷、温度探测等方面.该类材料具有复杂的能带结构,利用强自旋轨道和能带反转,有望对Bi2Te3基材料的热电性能实现优化.通过分析对比近些年Bi2Te3基材料的能带结构计算数据与部分实验结果,总结了Bi2Te3、N型Bi2Te3-x Sex和P型B...     

T型介观空腔结构电子输运性质的研究

利用格林函数方法计算了T型介观空腔结构的电子传输特性,分别运用递归格林函数和全格子格林函数技术给出体系的总格林函数,导出T型介现空腔结构的电导方程．计算结果表明：格林函数方法可以非常方便地应用到介观空腔结构电子传输性质的研究中．由于空腔的存在,使原来平台结构的传输系数出现了复杂的传输谱结构．     

H2与稀有气体间输运性质的理论研究

利用现有文献中数据计算出H2与稀有气体原子间的Born-Mayer系数,然后在求得的Born-Mayer系数基础上,通过Tang-Toennies势(简写为TT势)模型理论计算了H2与稀有气体原子间的相互作用势,得到了较好的势能曲线;同时在此基础上,基于Chapman-Enskog方法,计算出了H2与稀有气体原子间的扩散系数与热传导系数,最后将计算结果与Tayebeh Hosseinnejad,Hassan Behnejad等人的计算结果进行了比较,两者的计算结果极为接近.     

MgB_2晶胞电子输运性质的计算

基于密度泛函理论结合非平衡格林函数,对MgB2晶胞的电子输运性质进行了第一性原理计算,结果得到MgB2晶胞的c轴垂直于z轴方向(电子传输方向)时的电导大于c轴平行于z轴方向时的电导,在外电压为(0～0.9V)范围内,电导比较稳定,其伏安曲线表现出线性特征,并从透射谱、投影态密度与电荷转移量对电子输运性质进行了分析与讨论.     

分子链长对分子结电输运性质的影响

利用杂化密度泛函理论,研究了烷烃硫醇分子与金电极形成分子结的电子结构,利用弹性散射格林函数方法研究了烷烃硫醇分子的电输运性质,并同实验结果进行了比较。研究结果表明,在低的外加偏压下,烷烃硫醇分子电流值随着分子链长度的增加而指数减小。     

烧绿石材料Bi_(2-x)Fe_xIr_2O_7的电输运性质

采用固相法烧制了烧绿石材料Bi_(2-x)Fe_xIr_2O_7(x=0.1,0.2,0.3,0.4);X线衍射证实了Bi_(2-x)Fe_xIr_2O_7的立方结构,样品呈现出很好的单相;通过标准四引线法测量电阻率,样品发生了金属-绝缘体转变,随着Fe掺杂含量的增加,金属-绝缘体转变温度呈上升趋势;对样品的金属体区域和绝缘体区域分别进行了电阻率-温度(ρ-T)拟合分析.     

Cu：SiO2渗流系统电输运特性研究

研究了Cu与SiO2组成的渗流系统的电阻率、霍尔系数等电输运特性，该体系临界指数t高于经典渗流理论的预测数值，不同于其它渗流系统．并且在Cux(SiO2)1-x这一非磁性金属系统中，发现了巨霍尔效应(GHE)，其数值高于普通金属近3个数量级，为霍尔传感器材料研究提供了新途径，这种非磁性系统中的巨霍尔效应是由界观尺度的量子干涉效应引起的。