有长程序的混合自旋反铁磁材料L2BaNiO5的理论研究

在L2BaNiO5材料晶体磁学结构的实验研究基础上,引入了三维混合自旋反铁磁Heisen-berg模型,利用Schwinger-boson平均场理论对其低温下的物理性质进行了理论研究,所得结果与中子散射实验的结果完全一致。     

混合自旋反铁磁材料Y2BaNiO5的低激发谱

采用格林函数方法,在一维自旋为1的各向异性Heisenberg模型基础上,分析了Y2BaNiO5材料的低激发谱.得到了该材料链原子的自旋关联函数,计算了材料的低激发谱在不同交换各向异性因子下的性质.结果表明,完全一维自旋为1的反铁磁材料Y2BaNiO5的基态为完全无序自旋液体态,且其间耦合作用较弱,因而可作为一维链状来处理.     

二维反铁磁Heisenberg模型基态性质的理论研究

在Ｔｙａｂｉｋｏｎ退耦近似下，采用双时格林函数理论讨论了二维反铁磁Ｈｅｉｓｅｎｂｅｒｇ模型的基态性质，理论计算得到系统的交错磁化强度Ｍ＝０．３４７６和每个键上的基态能量Ｅｇ／４ＮＪ＝－０．３２７５，与对应的数值模拟结果符合很好。     

自旋1/2的二维反铁磁Heisenberg模型的格林函数理论

采用双时格林函数理论讨论了二维反铁磁Heisenberg模型的热力学性质.将自旋算符的关联函数在Tyab-likov近似下进行退耦,得到关联函数的自洽方程,从而研究了相变温度下自旋交错磁化的激发情况,求出了系统的平均能量,并将基态的情况与对应的数值模拟结果进行了比较.     

S=1/2反铁磁海森堡交替链的能隙

应用Ｓ＝１／２量子键算符方法研究了Ｓ＝１／２反铁磁海森堡交替链的激发谱,该方法比严格 对角化方法简单而有效,当Ｊ‘＝Ｊ时,第一激发态和基态之间能隙为零,这与各向同性的Ｓ＝１／２反铁磁海森堡链的结论一致。当Ｊ’＝－Ｊ时,第一激发态和基态之间能隙为０．５８８８Ｊ。     

一种准一维反铁磁海森堡自旋链的自旋波激发

准一维海森堡自旋链具有三支自旋波激发谱(其中一支属于声学模,两支属于光学模)。计算表明:两支光学模能隙是简并的;随着最近邻作用的减弱,声学模自旋波激发谱出现软化现象,但光学模激发谱没有出现软化现象;同时光学模激发谱明显下移,这意味着弱化最近邻作用可以使得光学模激发变得重要且容易实现;当0.1相似文献   

混合自旋反铁磁材料L2BaNiO5及其L稀土离子的自旋

对反铁磁材料L2BaNiO5的特性与结构进行了分析,在此基础上,利用群论方法对该材料中L稀土离子的自旋进行了研究.     

1/5掺杂反铁磁海森堡自旋链的基态

利用密度矩阵重整化群方法研究1/5掺杂对自旋1/2海森堡反铁磁链的影响.研究表明,掺人侧自旋能减弱近邻自旋关联但增强长程自旋关联,同时侧自旋的掺入破坏了子格对称性,导致系统基态反铁磁和铁磁长程序共存.侧自旋对量子涨落的抑制作用随自旋关联距离的增加而减弱,且其自身受到量子涨落的影响最小.对于1/5掺杂反铁磁海森堡自旋链,量子涨落的影响明显,引起了交错磁化率47%的减弱.     

有反铁磁近邻作用的海森堡铁磁长程作用自旋链的低温性质的修正自旋波理论研究（英文）

文章将修正的自旋波理论应用于研究具有铁磁长程相互作用J₀/r^p和反铁磁近邻相互作用J的海森堡铁磁链.通过限制总磁化强度为零,利用自洽方法得到了系统的自旋波热力学.结果表明,铁磁长程相互作用和反铁磁近邻相互作用对系统的低温性质有很大的影响.比热C和比热系数C/T~(1/(p-1))均呈现受p与J诱导的低温峰值行为,而磁化率系数χT²显示了有一最小值,且受p与J诱导的低温行为.当J=0时,且在大p极限下,本文的结果与精确贝特方案的结果和量子蒙特卡罗数据吻合得很好.     

二维反铁磁Kagomé晶格系统物理性质的理论研究

利用自洽的格林函数理论,在Heisenberg模型下讨论了二维反铁磁Kagomé晶格的基态能、静态磁化率和摩尔热容等物理性质,得到每个格点的自旋液体基态能Eg/NsJ=-0.859 2,仅仅比最好的数值模拟结果大3%.在温度稍低的区域内,静态磁化率的倒数随温度升高而增大,并且在较高温度时呈线性增加.在较低温度时,摩尔热容随温度增加而增加,但在某一温度时,它将达到最大值,此后随着温度的增加而减小.这与实验结果符合得很好,支持了二维反铁磁Kagomé晶格Heisenberg模型的基态是没有长程序的结论.     

二维反铁磁Kagomé啨晶格系统物理性质的理论研究

利用自洽的格林函数理论 ,在Heisenberg模型下讨论了二维反铁磁Kagom啨晶格的基态能、静态磁化率和摩尔热容等物理性质 ,得到每个格点的自旋液体基态能Eg/NsJ =- 0 .85 92 ,仅仅比最好的数值模拟结果大 3% .在温度稍低的区域内 ,静态磁化率的倒数随温度升高而增大 ,并且在较高温度时呈线性增加 .在较低温度时 ,摩尔热容随温度增加而增加 ,但在某一温度时 ,它将达到最大值 ,此后随着温度的增加而减小 .这与实验结果符合得很好 ,支持了二维反铁磁Kagom啨晶格Heisenberg模型的基态是没有长程序的结论     

自旋-声子耦合对正方晶格自旋-1/2反铁磁体的影响

在准自旋波理论框架内,应用正则变换方法讨论了有限温度下自旋－声子耦合相互作用对正方晶格自旋－１／２海森堡反铁磁体的影响．计算了系统的自旋－自旋关联函数．采用非绝热近似方法处理自旋－声子耦合相互作用．结果表明,通常的绝热近似处理方法所得的结果仅是此处结果的一种极限（ωｐｈ→０）情况．自旋－声子耦合相互作用可以削弱系统的拓扑长程序．在强自旋－声子耦合相互作用系统中可以建立某种量子自旋液体相     

NO2-N途径的短程硝化反硝化除磷试验研究

在序批式活性污泥反应器(SBR)中,以模拟城市污水为处理对象,研究了短程硝化和以NO2--N为电子受体的反硝化除磷过程特征及处理效果.试验表明,在SBR反应器中以NO2--N作为电子受体进行反硝化除磷是完全可行的.在温度为20～25℃,曝气量为30～40 L.h-1,pH值为7.0～7.5,MLSS为3 000 mg.L-1左右的条件下,COD、NH4+-N、TN及TP的平均去除率分别达到92%、96%、89%和90%.     

Ni3(C10H8N2)6(PW12O40)2·3H2O的水热合成及性能研究

以NiCl₂·3H₂O、4,4′-联吡啶和(NH₄)₃PW₁₂O₄₀·5H₂O（摩尔比3∶6∶2）为原料，采用溶剂热法合成出了新的无机-有机杂化材料Ni₃(C₁₀H₈N₂)₆(PW₁₂O₄₀)₂·3H₂O。该化合物为绿色块状晶体，最佳的形成条件是：去离子水为溶剂, pH=6,140℃下反应3d。漫反射光谱研究表明，该晶体的光学能隙为2.12eV，属于半导体材料，对太阳辐射具有选择吸收特性，在温度低于366℃时可稳定存在。     

CO2/DME/CH3OH和CO2/DME/C2H5OH体系的汽液相平衡研究

文中基于对CO₂/DME,DME/CH₃OH,CO₂/CH₃OH和DME/C₂H₅OH体系汽液相平衡研究的文献调查,采用Gibbs-Duhems方程对实验数据做热力学一致性检验和热力学模型评价。研究表明,PR-NRTL模型组合对四个体系都有良好的表现。进而基于通过检验的二元体系数据拟合了5个组合的NRTL模型的交互作用参数,并以此模型研究了CO₂ /DME/CH₃OH和CO₂/DME/C₂H₅OH两个三元体系。计算给出的CH₃OH/DME/CO₂体系的VLE数据与文献值偏差很小,表明此PR NRTL模型组合能较好地描述其高压下的VLE行为,在此基础上对C₂ H₅OH/DME/CO₂体系的VLE行为进行了预测,给出了VLE相图。     

空心多孔纳米SiO2载体材料的载药方法研究

研究了利用蒸发溶剂法、反溶剂法和超临界流体技术将阿维菌素包埋到空心多孔纳米SiO₂载体中的工艺过程，并利用热分析仪、智能溶出仪、紫外分光-光度计等对其整体载药量、载体内、外载药量分布以及载药后的缓释性能进行了分析。结果表明：用超临界流体包埋法制备的阿维菌素纳米控释剂（Av-PHSN）的整体载药量和内部载药量均为最大，缓释效果最好。反溶剂法和蒸发溶剂法制备的Av-PHSN载药量虽然不如超临界包埋法高，但工艺流程简单，能耗小，在最优操作条件下也能获得较满意的整体载药量和载体内部载药量。     

燃烧合成SrAl2O4∶Eu,Dy长余辉发光材料的研究

利用燃烧合成法低温合成SrAl2O4∶Eu,Dy长余辉发光材料.研究炉温、反应物中铝锶比、助溶剂和可燃物等对发光材料性能的影响.研究结果表明,反应物置于温度为500 ℃的高温炉中发生点火燃烧得到的产物性能最好,发光时间超过12 h,其发射光谱的最大波长在520 nm左右.与高温固相反应法比,该方法具有合成温度低,反应时间短,所得产物硬度小,发光亮度好等优点.     

KMgF3:Mn2+晶体自旋晶格-耦合系数的理论研究

在晶体场理论的强场图象下,建立了轴对称(三角和四角)晶场中3d5离子零场劈裂D因子的四阶微扰公式,进而得出相应的自旋-晶格耦合系数G11和G44.并将上述公式应用于KMgF3Mn2+晶体,在不引入调节参量的情况下,得到的计算值G11和G44与实验结果符合较好.     

N2分子部分电子态的完全振动能谱和分子离解能的精确研究

对于大多数双原子分子的电子态, 往往很难直接用现代实验技术或精确的量子理论方法获得体系精确的全部高激发态振动能级和分子离解能D_e, 而且从理论上推导分子离解能的精确解析表达式也很困难. 以LeRoy和Bernstein基于WKB理论的能量表达式为基础, 建立了计算精确分子离解能的新解析表达式. 并用作者最近建立的代数方法(AM) 获得了N₂分子部分电子态的包含所有高振动激发态的完全振动能谱, 进而将AM完全振动能谱与建立的新解析表达式相结合, 计算了这些电子态的精确分子离解能. 研究表明: AM方法和新的离解能解析表达式优势互补, 获得的结果与实验值符合得非常好, 从而在理论上提供了计算双原子分子电子态的精确分子离解能的一个物理新方法.     

Sin/Sin-（n=710）的结构和电子亲合能的研究

选用4种不同的密度泛函理论方法(B3LYP,BLYP,BP86,B3P86),在全电子的双ζ加极化加弥散函数基组(DZP )下,对Sin/Si-n (n=7～10)体系进行研究,获得它们的基态结构和电子亲合能.预测Si7/Si-7,Si8/Si-8,Si9/Si-9和Si10/Si-10的基态结构分别为D5h(1A′ 1)/D5h(2A″ 2),C2h(1Ag)/C3υ(2A2),Cs(1A′)/Cs(2A′)和C3υ(1A1)/C3υ(2A1).理论预测Si7,Si8,Si9和Si10的电子亲合能分别为1.90,2.59,2.07和2.20 eV,BLYP方法预测的电子亲合能最为可靠的.